Title:
Bonddraht für Halbleiterbauelement
Kind Code:
T5


Abstract:
Bereitgestellt wird ein Pd-beschichteter Cu-Bonddraht für ein Halbleiterbauelement, der fähig ist, eine Bondzuverlässigkeit eines Kugelbondabschnitts in einer Umgebung mit hoher Temperatur von mindestens 175°C hinreichend zu erhalten, selbst wenn der Schwefelgehalt in dem Formharz, das in dem Gehäuse des Halbleiterbauelements verwendet wird, zunimmt.Der Bonddraht für ein Halbleiterbauelement weist auf: ein Cu-Legierungskernmaterial; und eine auf einer Oberfläche des Cu-Legierungskernmaterials gebildete Pd-Deckschicht, und enthält insgesamt 0,03 bis 2 Masse-% eines oder mehrerer Elemente, das aus Ni, Rh und Ir ausgewählt wird, in dem Bonddraht und ferner insgesamt 0,002 bis 3 Masse-% eines oder mehrerer Elemente, die aus Li, Sb, Fe, Cr, Co, Zn, Ca, Mg, Pt, Sc und Y ausgewählt werden. Der Bonddraht kann in einer Umgebung mit hoher Temperatur von mindestens 175°C eine ausreichende Bondzuverlässigkeit eines Kugelbondabschnitts erhalten, selbst wenn der Schwefelgehalt in dem Formharz, das in dem Gehäuse des Halbleiterbauelements verwendet wird, zunimmt.



Inventors:
ODA DAIZO (JP)
YAMADA TAKASHI (JP)
ETO MOTOKI (JP)
HAIBARA TERUO (JP)
UNO TOMOHIRO (JP)
Application Number:
DE112017000346T
Publication Date:
08/29/2019
Filing Date:
12/28/2017
Assignee:
Nippon Micrometal Corporation
NIPPON STEEL Chemical & Material Co., Ltd.
International Classes:
Attorney, Agent or Firm:
VOSSIUS & PARTNER Patentanwälte Rechtsanwälte mbB (München, DE)