Title:
Halbleiterschaltung und Halbleitervorrichtung
Kind Code:
T5


Abstract:
Eine Aufgabe besteht darin, eine Technik zum Verbessern bzw. Erhöhen der Durchbruchspannung einer Halbleitervorrichtung vorzusehen. Eine Halbleiterschaltung enthält einen ersten Widerstand, einen zweiten Widerstand, einen dritten Widerstand, einen MOSFET und einen Inverter. Der erste Widerstand, der zweite Widerstand und der dritte Widerstand sind zwischen eine Stromversorgung und eine Erdung, die der Referenzspannung einer Low-Side-Schaltung entspricht, in Reihe geschaltet. Der MOSFET ist zwischen dem zweiten Widerstand und der Erdung mit dem dritten Widerstand parallel geschaltet und hat ein Gate, das mit der Low-Side-Schaltung elektrisch verbunden ist. Der Inverter ist zwischen einen Verbindungspunkt und die High-Side-Schaltung elektrisch geschaltet, wobei der Verbindungspunkt zwischen dem ersten Widerstand und dem zweiten Widerstand gelegen ist.



Inventors:
YOSHINO MANABU (JP)
Application Number:
DE112016006955T
Publication Date:
02/21/2019
Filing Date:
06/10/2016
Assignee:
Mitsubishi Electric Corporation
Attorney, Agent or Firm:
Hoefer & Partner Patentanwälte mbB (München, DE)