Title:
Supraleitender Oxiddraht
Kind Code:
T5


Abstract:

Ein supraleitender Oxiddraht enthält ein orientiertes Metallsubstrat, eine auf dem orientierten Metallsubstrat gebildete Zwischenschicht und eine auf der Zwischenschicht gebildete supraleitende Oxidschicht. Das orientierte Metallsubstrat hat eine Ebenen-interne Orientierung Δϕ von 7° oder weniger. Die Zwischenschicht ist aus einer einzelnen Schicht gebildet. embedded image




Inventors:
Honda, Genki (Osaka, JP)
Nagaishi, Tatsuoki (Osaka, JP)
Konishi, Masaya (Osaka, JP)
Ohki, Kotaro (Osaka, JP)
Yamaguchi, Takashi (Osaka, JP)
Yoshihara, Tatsuhiko (Osaka, JP)
Application Number:
DE112016004736T
Publication Date:
07/26/2018
Filing Date:
07/12/2016
Assignee:
Sumitomo Electric Industries, Ltd. (Osaka, JP)
International Classes:



Attorney, Agent or Firm:
CBDL Patentanwälte, 47051, Duisburg, DE
Claims:
Supraleitender Oxiddraht, umfassend:
ein orientiertes Metallsubstrat,
eine auf dem orientierten Metallsubstrat gebildete Zwischenschicht und
eine auf der Zwischenschicht gebildete supraleitende Oxidschicht,
wobei das orientierte Metallsubstrat eine Ebenen-interne Orientierung (Δϕ) von 7° oder weniger aufweist,
wobei die Zwischenschicht aus einer einzelnen Schicht gebildet ist.

Supraleitender Oxiddraht nach Anspruch 1, wobei das orientierte Metallsubstrat ein plattiertes Substrat ist.

Supraleitender Oxiddraht nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Zwischenschicht eine Dicke von 10 nm oder mehr hat.

Supraleitender Oxiddraht nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Zwischenschicht eine Ebenen-interne Orientierung von 8° oder weniger hat.

Supraleitender Oxiddraht nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das orientierte Metallsubstrat eine Oxidschicht an einem oberen Abschnitt in Kontakt mit der Zwischenschicht enthält.

Description:
TECHNISCHES GEBIET

Die vorliegende Erfindung betrifft supraleitende Oxiddrähte.

Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der japanischen Patentanmeldung Nr. 2015-203745, eingereicht am 15. Oktober 2015, deren gesamter Inhalt hiermit durch Bezugnahme in den vorliegenden Text aufgenommen wird.

STAND DER TECHNIK

Die japanische Patent-Offenlegungsschrift Nr. 2012-248469 (PTD 1) beschreibt einen supraleitenden Oxiddraht, der ein orientiertes Metallsubstrat, eine auf dem orientierten Metallsubstrat gebildete Zwischenschicht und eine auf der Zwischenschicht gebildete supraleitende Oxidschicht enthält.

ZitierungslistePatentdokument

PTD 1: Japanische Patent-Offenlegungsschrift Nr. 2012-248469

KURZDARSTELLUNG DER ERFINDUNG

Ein supraleitender Oxiddraht der vorliegenden Offenbarung umfasst ein orientiertes Metallsubstrat, eine auf dem orientierten Metallsubstrat gebildete Zwischenschicht und eine auf der Zwischenschicht gebildete supraleitende Oxidschicht. Das orientierte Metallsubstrat hat eine Ebenen-interne Orientierung (Δϕ) von 7° oder weniger. Die Zwischenschicht wird aus einer einzelnen Schicht gebildet.

Figurenliste

  • 1 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Anordnung eines supraleitenden Oxiddrahtes gemäß einer Ausführungsform zeigt.
  • 2 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Anordnung eines herkömmlichen supraleitenden Oxiddrahtes zeigt.
  • 3 ist ein Flussdiagramm, das ein Verfahren zur Herstellung des supraleitenden Oxiddrahtes gemäß der Ausführungsform zeigt.
  • 4 ist eine schematische Schnittansicht, die das Verfahren zur Herstellung des supraleitenden Oxiddrahtes gemäß der Ausführungsform veranschaulicht.
  • 5 ist eine schematische Schnittansicht, die das Verfahren zur Herstellung des supraleitenden Oxiddrahtes gemäß der Ausführungsform veranschaulicht.
  • 6 ist eine schematische Schnittansicht, die das Verfahren zur Herstellung des supraleitenden Oxiddrahtes gemäß der Ausführungsform veranschaulicht.
  • 7 ist eine schematische Schnittansicht, die das Verfahren zur Herstellung des supraleitenden Oxiddrahtes gemäß der Ausführungsform veranschaulicht.
  • 8 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Anordnung des supraleitenden Oxiddrahtes gemäß einer Variation der Ausführungsform zeigt.

BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSFORMEN[Durch die vorliegende Offenbarung zu lösende Probleme]

Bei dem in PTD 1 beschriebenen supraleitenden Oxiddraht kann die Orientierung der supraleitenden Oxidschicht verbessert werden, indem man die Zwischenschicht zwischen dem orientierten Metallsubstrat und der supraleitenden Oxidschicht anordnet. Mit „Orientierung“ ist hier der Grad gemeint, in dem die Kristallorientierungen von Kristallkörnern ausgerichtet sind. Ferner kann die Diffusion und Reaktion von Elementen zwischen dem Substrat und der supraleitenden Oxidschicht unterdrückt werden. Infolge dessen können ausgezeichnete Eigenschaften, wie zum Beispiel eine hohe kritische Stromdichte (Jc) und ein hoher kritischer Strom (Ic), erhalten werden.

Bei dem in PTD 1 beschriebenen supraleitenden Oxiddraht sind jedoch mehrere Schichten auf dem orientierten Metallsubstrat gestapelt, um die Zwischenschicht zu bilden, um eine Zwischenschicht mit einer guten Orientierung zu erhalten. Als eine solche Zwischenschicht wird oft eine Dreischichtstruktur verwendet, die zum Beispiel aus CeO2 (Zeroxid)/YSZ (Yttriumoxid-stabilisiertes Zirkonoxid)/Y2O3 (Yttriumoxid). Somit erfordert ein Schritt des Ausbildens der Zwischenschicht auf dem orientierten Metallsubstrat mehrere Filmbildungsprozesse, die den oben beschriebenen mehreren Schichten entsprechen, wodurch die Herstellungskosten in die Höhe getrieben werden.

Dementsprechend ist es eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung, einen supraleitenden Oxiddraht bereitzustellen, der reduzierte Herstellungskosten ermöglicht und dabei ausgezeichnete supraleitende Eigenschaften beibehält.

[Effekte der vorliegenden Offenbarung]

Gemäß der vorliegenden Offenbarung kann ein supraleitender Oxiddraht realisiert werden, der reduzierte Herstellungskosten ermöglicht und dabei ausgezeichnete supraleitende Eigenschaften beibehält.

[Beschreibung von Ausführungsform der vorliegenden Erfindung]

Zuerst wird eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung angeführt und beschrieben.

  1. (1) Ein supraleitender Oxiddraht 1 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung (siehe 1) enthält ein orientiertes Metallsubstrat 10, eine auf dem orientierten Metallsubstrat 10 gebildete Zwischenschicht 20 und eine auf der Zwischenschicht 20 gebildete supraleitende Oxidschicht 30. Das orientierte Metallsubstrat 10 hat eine Ebenen-interne Orientierung (Δϕ) von 7° oder weniger. Die Zwischenschicht 20 ist aus einer einzelnen Schicht gebildet. In der vorliegenden Spezifikation kann die Ebenen-interne Orientierung des orientierten Metallsubstrats 10 durch Röntgendiffraktion (XRD) anhand der vollen Breite beim halben Maximum (FWHM) eines Peaks bestimmt werden, der durch eine ϕ-Abtastung einer (111)-Ebene des orientierten Metallsubstrats 10 erhalten wird.
    Da das orientierte Metallsubstrat 10 eine gute Orientierung hat, kann bei dem supraleitenden Oxiddraht 1 gemäß (1) oben die auf dem orientierten Metallsubstrat 10 gebildete Zwischenschicht 20 eine gute Orientierung haben. Dementsprechend kann eine gute Orientierung auch mit einer auf einer einzelnen Schicht gebildeten Zwischenschicht 20 erhalten werden. Infolge dessen hat die auf der Zwischenschicht 20 gebildete supraleitende Oxidschicht 30 auch eine gute Orientierung, wodurch ausgezeichnete supraleitende Eigenschaften erhalten werden können.
    Da die auf einer einzelnen Schicht gebildeten Zwischenschicht 20 mit einer guten Orientierung gebildet werden kann, kann ferner bei dem supraleitenden Oxiddraht 1 die Dicke der Zwischenschicht 20 im Vergleich zu der eines herkömmlichen supraleitenden Oxiddrahtes reduziert werden. Die Herstellungskosten können dadurch reduziert werden. Infolge dessen kann ein supraleitender Oxiddraht realisiert werden, der reduzierte Herstellungskosten ermöglicht und dabei ausgezeichnete supraleitende Eigenschaften beibehält.
    Das orientierte Metallsubstrat 10 kann besonders bevorzugt eine Ebenen-interne Orientierung Δϕ von 6° oder weniger haben.
  2. (2) Bevorzugt ist in dem supraleitenden Oxiddraht 1 gemäß (1) oben das orientierte Metallsubstrat 10 ein plattiertes Substrat. Als ein solches orientiertes Metallsubstrat kann zum Beispiel ein plattiertes Substrat, das eine gestapelte Struktur aus NiW/SUS aufweist, oder ein plattiertes Substrat, das eine gestapelte Struktur aus Ni/Cu/SUS aufweist, verwendet werden. Dementsprechend kann eine supraleitende Eigenschaft (Ic) mit der gleichen Dicke der Zwischenschicht im Vergleich zu einem supraleitenden Oxiddraht verbessert werden, in dem ein Ni-W-Legierungssubstrat als das orientierte Metallsubstrat verwendet wird.
  3. (3) Bevorzugt hat in dem supraleitenden Oxiddraht 1 gemäß (1) oben die Zwischenschicht 20 eine Dicke von 10 nm oder mehr. Dementsprechend kann die auf einer einzelnen Schicht gebildete Zwischenschicht 20 mit einer guten Orientierung gebildet werden. Die Zwischenschicht 20 hat besonders bevorzugt eine Dicke von 200 nm oder weniger. Dementsprechend können die Herstellungskosten reduziert werden, während eine gute Orientierung der supraleitenden Oxidschicht 30 erreicht wird.
  4. (4) Bevorzugt hat in dem supraleitenden Oxiddraht 1 nach einem von (1) bis (3) oben die Zwischenschicht 20 eine Ebenen-interne Orientierung Δϕ von 8° oder weniger. Da die auf einer einzelnen Schicht gebildete Zwischenschicht 20 eine gute Orientierung hat, kann die auf der Zwischenschicht 20 gebildete supraleitende Oxidschicht 30 dementsprechend eine gute Orientierung haben.
    Die Ebenen-interne Orientierung der Zwischenschicht 20 ist bevorzugt mindestens so groß wie die Ebenen-interne Orientierung des orientierten Metallsubstrats 10. Dass die Ebenen-interne Orientierung „mindestens so groß ist wie“ bedeutet, dass Δϕ der Zwischenschicht 20 nicht größer ist als Δϕ des orientierten Metallsubstrats 10. Ein Wert, der durch Dividieren der Differenz zwischen Δϕ der Zwischenschicht 20 und Δϕ des orientierten Metallsubstrats 10 durch Δϕ des orientierten Metallsubstrats 10 erhalten wird, beträgt, in Prozent ausgedrückt, bevorzugt 15 % oder weniger.
  5. (5) Bevorzugt kann in dem supraleitenden Oxiddraht 1 nach einem von (1) bis (4) oben (siehe 8) das orientierte Metallsubstrat 10 eine Oxidschicht 11 an einem oberen Abschnitt in Kontakt mit der Zwischenschicht 20 enthalten.

[Ausführungsdetails der vorliegenden Erfindung]

Die Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nun anhand der Zeichnungen beschrieben. In den folgenden Zeichnungen werden die gleichen oder entsprechende Teile durch die gleichen Bezugszahlen bezeichnet, und ihre Beschreibung wird nicht wiederholt.

(Anordnung des supraleitenden Oxiddrahtes)

1 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Anordnung eines supraleitenden Oxiddrahtes gemäß der Ausführungsform zeigt. 1 zeigt einen Querschnitt entlang einer Richtung, die eine Richtung schneidet, in der sich ein supraleitender Oxiddraht 1 gemäß der Ausführungsform erstreckt. Somit ist eine Richtung, die das Blatt der Zeichnung schneidet, die Längsrichtung des supraleitenden Oxiddrahtes 1, und ein supraleitender Strom der supraleitenden Oxidschicht 30 fließt entlang einer Richtung, die den Querschnitt schneidet. Obgleich eine Differenz der Länge zwischen einer vertikalen Richtung (im Weiteren auch als „Dickenrichtung“ bezeichnet) und einer horizontalen Richtung (im Weiteren auch als „Breitenrichtung“ bezeichnet) in dem rechteckigen Querschnitt in 1 und anschließenden schematischen Schnittansichten zur besseren Erkennbarkeit verringert ist, ist die Länge in der Dickenrichtung des Querschnitts in Wirklichkeit hinreichend kleiner als die Länge in der Breitenrichtung.

Bezugnehmend auf 1 ist der supraleitende Oxiddraht 1 gemäß der Ausführungsform länglich (in Form eines Bandes) und von rechteckigem Querschnitt und hat in diesem Fall eine relativ große Oberfläche, die sich in der Längsrichtung der langen Form als eine Hauptfläche erstreckt. Der supraleitende Oxiddraht 1 enthält ein orientiertes Metallsubstrat 10, das eine orientierte und kristallisierte Fläche aufweist, eine Zwischenschicht 20, eine supraleitende Oxidschicht 30, eine Schutzschicht 40 und eine Stabilisierungsschicht 50.

Das orientierte Metallsubstrat 10 bezeichnet ein Substrat, in dem die Kristallorientierungen in einer biaxialen Richtung in einer Ebene der Substratoberfläche ausgerichtet sind. Als das orientierte Metallsubstrat 10 ist zum Beispiel eine Legierung geeignet, die aus zwei oder mehr Metallen von Nickel (Ni), Kupfer (Cu), Chrom (Cr), Mangan (Mn), Kobalt (Co), Eisen (Fe), Palladium (Pd), Silber (Ag), Wolfram (W) und Gold (Au) besteht. Diese Metalle können mit einem anderen Metall oder einer anderen Legierung gestapelt werden.

Das orientierte Metallsubstrat 10 kann zum Beispiel durch Bonden einer orientierten Metallschicht an die Oberfläche des Substrats gebildet werden. Das Substrat ist nicht-orientiert und nicht-magnetisch und hat eine höhere Festigkeit als die orientierte Metallschicht. Als das Substrat können zum Beispiel SUS (Edelstahl), eine Ni-basierte Legierung und dergleichen verwendet werden. Zu Beispielen eines Materials für die orientierte Metallschicht gehören Ni, NiW (Nickel-Wolfram) und Cu (Kupfer). Wenn Cu als ein Material für die orientierte Metallschicht verwendet wird, so kann eine Überzugsschicht, die aus Ni oder dergleichen besteht, auf einer Oberfläche der orientierten Metallschicht durch ein Verfahren wie zum Beispiel Plattieren in einem Schritt gebildet werden, nachdem das orientierte Metallsubstrat erhalten wurde, um eine Oxidation des Cu zu verhindern, das die orientierte Metallschicht bildet.

Als ein solches orientiertes Metallsubstrat 10 können zum Beispiel ein plattiertes Substrat, das eine gestapelte Struktur aus NiW/SUS aufweist, oder ein plattiertes Substrat, das eine gestapelte Struktur aus Ni/Cu/SUS aufweist, verwendet werden. Die Festigkeit des orientierten Metallsubstrats kann dadurch im Vergleich zu einem Beispiel einer elementaren orientierten Metallschicht verbessert werden. Ferner kann eine gute Orientierung erhalten werden, da das Substrat und die orientierte Metallschicht miteinander verbondet werden. Infolge dessen kann das orientierte Metallsubstrat 10, das eine gute Orientierung und hohe Festigkeit aufweist, erhalten werden. Das orientierte Metallsubstrat 10 hat bevorzugt eine Ebenen-interne Orientierung Δϕ von 7° oder weniger.

Die Zwischenschicht 20 wird auf dem orientierten Metallsubstrat 10 gebildet. Die Zwischenschicht 20 ist aus einer einzelnen Schicht gebildet. Ein Material, das die Zwischenschicht 20 bildet, ist bevorzugt ein Oxid, das eine Kristallstruktur aus einem von Steinsalz-Typ, Fluorit-Typ, Perowskit-Typ und Pyrochlor-Typ aufweist. Zu Beispielen eines Oxids, das eine solche Kristallstruktur aufweist, gehören: Seltenerdenelement-Oxide, wie zum Beispiel CeO2 (Zeroxid), HO2O3 (Holmiumoxid), Yb2O3 (Ytterbiumoxid), Oxide wie zum Beispiel YSZ (Yttriumoxid-stabilisiertes Zirkonoxid), MgO (Magnesiumoxid), Al2O3 (Aluminiumoxid), ABO3-Perowskit-Typ-Verbindungen (A ist eine oder mehrere Arten von Elementen, die aus Ca, Ba, Sr und Lanthanoid-Elementen ausgewählt sind, B ist eine oder mehrere Arten von Elementen, die aus Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Zr, Nb, Mo und Gd ausgewählt sind, O ist Sauerstoff), wie zum Beispiel SrTiO3 (Strontiumtitanat), BaZrO3 (Bariumzirkonat), LaMnO3. Insbesondere werden Y2O3, SrTiO3, LaMnO3 und dergleichen im Hinblick auf Kristallkonstante und Kristallorientierung zweckmäßig verwendet.

Diese Materialien haben eine außerordentlich geringe Reaktionsfreudigkeit mit der supraleitenden Oxidschicht 30 und verschlechtern nicht die supraleitenden Eigenschaften der supraleitenden Oxidschicht 30 selbst an einer Grenzfläche in Kontakt mit der supraleitenden Oxidschicht 30. Diese Materialien können auch, wenn die supraleitende Oxidschicht 30 bei hoher Temperatur gebildet wird, die Funktion des Verhinderns einer Diffusion von Elementen aus dem orientierten Metallsubstrat 10 zu der supraleitenden Oxidschicht 30 übernehmen. Das Material, das die Zwischenschicht 20 bildet, ist nicht speziell auf diese Materialien beschränkt. Die Zwischenschicht 20 hat bevorzugt eine gute Orientierung. Zum Beispiel hat die Zwischenschicht 20 bevorzugt eine Ebenen-interne Orientierung Δϕ von 8° oder weniger.

Die supraleitende Oxidschicht 30 wird auf der Zwischenschicht 20 gebildet. Ein Material für die supraleitende Oxidschicht 30 ist bevorzugt zum Beispiel ein RE123-basierter Oxid-Halbleiter. Der RE123-basierte Oxid-Halbleiter meint einen Halbleiter, der durch eine Zusammensetzungsformel von REBa2Cu3Oy ausgedrückt wird. In dieser Zusammensetzungsformel repräsentiert RE einen Typ oder zwei oder mehr Typen von Seltenerden-Elementen, wie zum Beispiel Y (Yttrium), Gd (Gadolinium), Sm (Samarium), Ho (Holmium), La (Lanthan), Nd (Neodym), Eu (Europium), Dy (Dysprosium), Er (Erbium), Yb (Ytterbium) und Lu (Lutetium). Y liegt zwischen 6 und 8 und besonders bevorzugt zwischen 6,8 und 7. Um den Ic zu verbessern, hat die supraleitende Oxidschicht 30 bevorzugt eine Dicke von 1 bis 5 µm.

Die Schutzschicht 40 wird auf der supraleitenden Oxidschicht 30 gebildet, um die supraleitende Oxidschicht 30 zu schützen. Die Schutzschicht 40 besteht zum Beispiel aus Ag oder einer Ag-Legierung. Die Schutzschicht 40 ist nicht auf diese Ag-Schutzschicht beschränkt, und eine Cu-Schutzschicht, die aus Cu oder einer Cu-Legierung besteht, kann zum Beispiel anstelle der Ag-Schutzschicht verwendet werden.

Ein gestapelter Körper wird aus dem orientierten Metallsubstrat 10, der Zwischenschicht 20, der supraleitenden Oxidschicht 30 und der Schutzschicht 40, wie oben beschrieben, gebildet. Die Stabilisierungsschicht 50 wird dann ausgebildet, um den Umfangsrand dieses gestapelten Körpers zu bedecken. In der vorliegenden Ausführungsform wird die Stabilisierungsschicht 50 ausgebildet, um den Außenumfangsrand des gestapelten Körpers zu bedecken, das heißt fast die gesamte äußerste Fläche des gestapelten Körpers zu bedecken. Jedoch ist „der Umfangsrand des gestapelten Körpers“ wie hier verwendet nicht auf den gesamten Umfangsrand beschränkt, sondern kann auch nur eine obere Hauptfläche des gestapelten Körpers sein.

Die Stabilisierungsschicht 50 besteht aus Folie oder einer plattierten Schicht aus einem Metallmaterial von guter Leitfähigkeit. Das Material, das die Stabilisierungsschicht 50 bildet, ist bevorzugt Cu oder eine Cu-Legierung. Die Stabilisierungsschicht 50 fungiert zusammen mit der Schutzschicht 40 als eine Umgehung, in der der Strom der supraleitenden Oxidschicht 30 während eines Übergangs der supraleitenden Oxidschicht 30 von dem supraleitenden Zustand zum normalleitenden Zustand kommutiert.

Wie in 1 gezeigt, besteht in dem supraleitenden Oxiddraht 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform die Zwischenschicht 20, die zwischen dem orientierten Metallsubstrat 10 und der supraleitenden Oxidschicht 30 angeordnet ist, aus einer einzelnen Schicht.

Herkömmlicherweise ist oft ein supraleitender Oxiddraht, der eine Zwischenschicht aufweist, die aus mehreren Schichten gebildet ist, verwendet worden. 2 ist eine schematische Schnittansicht, die ein Anordnungsbeispiel eines herkömmlichen supraleitenden Oxiddrahtes zeigt. In dem Beispiel von 2 enthält der supraleitende Oxiddraht eine Zwischenschicht 120, die eine Dreischichtstruktur aufweist. Genauer gesagt, enthält die Zwischenschicht 120 eine CeO2-Schicht 121, eine YSZ-Schicht 122, die auf der CeO2-Schicht 121 ausgebildet ist, und eine CeO2-Schicht 123, die auf der YSZ-Schicht 122 ausgebildet ist. Die CeO2-Schicht 121 ist eine Keimschicht zum Bilden einer biaxial orientierten Keramikschicht auf einem orientierten Metallsubstrat 110. Die YSZ-Schicht 122 ist eine Antidiffusionsschicht zum Verhindern der Diffusion von Elementen aus dem orientierten Metallsubstrat 110 zu einer supraleitenden Oxidschicht 130. Die CeO2-Schicht 123 ist eine gitterangepasste Schicht zwischen der Zwischenschicht 120 und der supraleitenden Oxidschicht 130 zum Züchten der c-Achsen-orientierten supraleitenden Oxidschicht 130.

In dem in 2 gezeigten supraleitenden Oxiddraht wird eine gute Orientierung gewährleistet, indem die Zwischenschicht 120, die aus mehreren Schichten besteht, zwischen dem orientierten Metallsubstrat 110 und der supraleitenden Oxidschicht 130 angeordnet wird. Andererseits müssen in dem Schritt des Bildens der Zwischenschicht 120 ein CeO2-Schicht-Bildungsschritt, ein YSZ-Schicht-Bildungsschritt und ein Ce02-Schicht-Bildungsschritt nacheinander ausgeführt werden, um der Reihe nach die CeO2-Schicht 121, die YSZ-Schicht 122 und die CeO2-Schicht 123 auf dem orientierten Metallsubstrat 110 auszubilden, wodurch die Herstellungskosten steigen.

Die hier benannten Erfinder haben Untersuchungen durchgeführt, um die Dicke einer Zwischenschicht im Hinblick auf die Senkung der Herstellungskosten zu reduzieren. Im Zuge dessen wurde bestätigt, dass die Orientierung eines orientierten Metallsubstrats die Orientierung einer Zwischenschicht beeinflusst und dass das Verbessern der Orientierung des orientierten Metallsubstrats eine Zwischenschicht bilden kann, die eine gute Orientierung aufweist, selbst wenn die Zwischenschicht aus einer einzelnen Schicht besteht, und die Diffusion von Elementen aus dem orientierten Metallsubstrat zu einer supraleitenden Oxidschicht verhindern kann.

Der supraleitende Oxiddraht 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform basiert auf den oben beschriebenen Befunden und kann eine reduzierte Dicke der Zwischenschicht 20 im Vergleich zu der des in 2 gezeigten herkömmlichen supraleitendes Oxiddrahtes haben, weil es möglich ist, die auf einer einzelnen Schicht gebildeten Zwischenschicht 20 mit einer guten Orientierung auf dem orientierten Metallsubstrat 10 zu bilden, das eine gute Orientierung aufweist. Dementsprechend können die Herstellungskosten reduziert werden, während ausgezeichnete supraleitende Eigenschaften aufrecht erhalten werden.

In der vorliegenden Ausführungsform hat das orientierte Metallsubstrat 10 bevorzugt eine Ebenen-interne Orientierung Δϕ von 7° oder weniger. Das orientierte Metallsubstrat 10 kann besonders bevorzugt eine Ebenen-interne Orientierung Δϕ von 6° oder weniger haben. In der vorliegenden Spezifikation kann die Ebenen-interne Orientierung des orientierten Metallsubstrats 10 mittels Diffraktionsorientierungsmessung einer konkreten Ebene durch Röntgendiffraktion (XRD) evaluiert werden.

In der XRD-Messung kann zum Beispiel das von der Rigaku Corporation hergestellte RINT als ein Röntgengenerator verwendet werden. Die Ka-Reihe von Cu wird als eine Röntgenquelle verwendet. Röntgenstrahlen werden mit einer Ausgangsleistung von 40 kV und 40 mA generiert.

Die Ebenen-interne Orientierung Δϕ des orientierten Metallsubstrats 10 kann anhand der FWHM einer ϕ-Abtastung einer (111)-Ebene der Hauptfläche des orientierten Metallsubstrats 10 bestimmt werden. Die FWHM der ϕ-Abtastung der (111)-Ebene der Hauptfläche des orientierten Metallsubstrats 10 entspricht der FWHM eines Röntgendiffraktionspeaks, der erhalten wird, wenn die (111)-Ebene des orientierten Metallsubstrats 10 eine Kippneigung von α = 35° (FWHM der ϕ-Abtastung) hat. Ein Durchschnittswert der FWHMs von vier ϕ-Abtastpeaks, die beobachtet wurden, als α = 35° erfüllt war, ist als die Ebenen-interne Orientierung Δϕ dargestellt. Ein kleinerer Wert von Δϕ bezeichnet eine bessere Orientierung in der Ebene.

Beim Messen der Ebenen-interne Orientierung des orientierten Metallsubstrats 10, nachdem der gestapelte Körper, der das orientierte Metallsubstrat 10, die Zwischenschicht 20, die supraleitende Oxidschicht 30 und die Schutzschicht 40 enthält, gebildet wurde, kann der Grad der Orientierung der Oberfläche des orientierten Metallsubstrats 10 durch Abziehen der Schutzschicht 40 und der supraleitenden Oxidschicht 30 gemessen werden. Das Abziehen der Schutzschicht 40 kann zum Beispiel ausgeführt werden, indem man die Schutzschicht 40 mit einer gemischten Lösung aus einer Wasserstoffperoxidlösung und Ammoniakwasser ätzt. Das Abziehen der supraleitenden Oxidschicht 30 kann zum Beispiel ausgeführt werden, indem man die supraleitende Oxidschicht 30 mit Salpetersäure ätzt. Da die Zwischenschicht 20 eine geringe Dicke hat und Röntgenstrahlen durchlässt, wird die Messung des Grades der Orientierung des orientierten Metallsubstrats 10 nicht beeinflusst, wenn die Zwischenschicht 20 nicht abgezogen wird.

Wenn das orientierte Metallsubstrat 10 eine Ebenen-interne Orientierung Δϕ von 7° oder weniger hat, kann die Gitteranpassung zwischen dem orientierten Metallsubstrat 10 und der supraleitenden Oxidschicht 30 selbst dann entspannt werden, wenn die Dicke der auf einer einzelnen Schicht gebildeten Zwischenschicht 20 verringert wird, und die Diffusion von Elementen (zum Beispiel Ni) zwischen dem orientierten Metallsubstrat 10 und der supraleitenden Oxidschicht 30 kann verhindert werden. Infolge dessen kann die supraleitende Oxidschicht 30 mit einer guten Orientierung auf der auf einem Einschicht-Dünnfilm gebildeten Zwischenschicht 20 gebildet werden, wodurch ausgezeichnete supraleitende Eigenschaften des supraleitenden Oxiddrahtes 1 erreicht werden.

Wenn das orientierte Metallsubstrat 10 eine Ebenen-interne Orientierung Δϕ von mehr als 7° hat, so ist es andererseits schwierig, die Diffusion von Elementen (zum Beispiel Ni) von dem orientierten Metallsubstrat 10 durch die Zwischenschicht 20 zu der supraleitenden Oxidschicht 30 zu verhindern, wenn die supraleitende Oxidschicht 30 bei hoher Temperatur gebildet wird. Infolge dessen kann sich die Kristallinität (Orientierung und Oberflächenglattheit) der supraleitenden Oxidschicht 30 verschlechtern, oder eine supraleitende Übergangstemperatur (Tc) kann sich verringern. Eine solche Verschlechterung der Kristallinität und Reduzierung der Tc der supraleitenden Oxidschicht 30 kann zu einer Verschlechterung der supraleitenden Eigenschaften (zum Beispiel einer Reduzierung des Ic) des supraleitenden Oxiddrahtes 1 führen.

Um die Diffusion von Elementen zwischen dem orientierten Metallsubstrat 10 und der supraleitenden Oxidschicht 30 zu verhindern, gibt es keine andere Möglichkeit, als die Dicke der auf einer einzelnen Schicht gebildeten Zwischenschicht 20 zu vergrößern, was zu der Unmöglichkeit führen kann, den Effekt verringerter Herstellungskosten zu erreichen.

In der vorliegenden Ausführungsform beträgt die Dicke der auf einer einzelnen Schicht gebildeten Zwischenschicht 20 bevorzugt 10 nm oder mehr und 200 nm oder weniger. Wenn die Dicke der Zwischenschicht 2010 nm oder mehr beträgt, so kann die Zwischenschicht 20 die Funktion einer Antidiffusionsschicht und einer gitterangepassten Schicht erfüllen. Wenn die Dicke der Zwischenschicht 20 200 nm übersteigt, so wird andererseits der Effekt der Senkung der Herstellungskosten gemindert. Wenn die Dicke der Zwischenschicht 2010 nm oder mehr und 200 nm oder weniger beträgt, so können die Herstellungskosten reduziert werden, während eine gute Kristallinität (Orientierung, Oberflächenglattheit und dergleichen) der supraleitenden Oxidschicht 30 erreicht wird.

Ferner ist in der vorliegenden Ausführungsform die Ebenen-interne Orientierung Δϕ der Zwischenschicht 20 bevorzugt mindestens so groß wie die Ebenen-interne Orientierung Δϕ des orientierten Metallsubstrats 10. Ein Wert, der durch Dividieren der Differenz zwischen Δϕ der Zwischenschicht 20 und Δϕ des orientierten Metallsubstrats 10 durch Δϕ des orientierten Metallsubstrats 10, ausgedrückt in Prozent, erhalten wird, ist bevorzugt 15 % oder weniger.

Die Ebenen-interne Orientierung Δϕ der Zwischenschicht 20 beträgt bevorzugt 8° oder weniger. Das liegt daran, dass, wenn die Ebenen-interne Orientierung Δϕ der Zwischenschicht 20 8° übersteigt, die Dicke der Zwischenschicht 20 größer als 200 nm wird, um eine gute Orientierung in der auf der Zwischenschicht 20 gebildeten supraleitenden Oxidschicht 30 zu erhalten.

(Verfahren zur Herstellung des supraleitenden Oxiddrahtes)

Als Nächstes wird, wie in den 3 bis 7 zu sehen, ein Verfahren zur Herstellung des supraleitenden Oxiddrahtes gemäß der Ausführungsform beschrieben. 3 ist ein Flussdiagramm, das das Verfahren zur Herstellung des supraleitenden Oxiddrahtes gemäß der Ausführungsform zeigt.

Wie in 3 zu sehen, wird zuerst ein Substratherstellungsschritt (S10) ausgeführt. Genauer gesagt, wird, wie in 4 zu sehen, das orientierte Metallsubstrat 10 hergestellt. Wenn das orientierte Metallsubstrat 10 ein plattiertes Substrat ist, das ein nicht-orientiertes und nicht-magnetisches Metall, wie zum Beispiel SUS, als ein Substrat aufweist, so erfolgt das Bonden zwischen dem Substrat und der orientierten Metallschicht durch ein Verfahren wie zum Beispiel Walzen.

Als Nächstes wird ein Zwischenschicht-Bildungsschritt (S20 in 3) des Bildens einer Zwischenschicht 20 auf dem orientierten Metallsubstrat 10 ausgeführt. Genauer gesagt, wird, wie in 5 zu sehen, die Zwischenschicht 20 auf der Hauptfläche des orientierten Metallsubstrats 10 gebildet. Als ein Verfahren des Bildens einer Zwischenschicht 20 kann zum Beispiel ein Gasphasenverfahren, wie zum Beispiel ein Sputterverfahren, verwendet werden, aber es kann auch ein metallorganisches Zersetzungs (MOD)-Verfahren verwendet werden.

Als Nächstes wird ein Supraleitschicht-Bildungsschritt (S30 in 3) des Bildens einer supraleitenden Oxidschicht 30 auf der Zwischenschicht 20 ausgeführt. Genauer gesagt, wird, wie in 6 zu sehen, die supraleitende Oxidschicht 30, die aus einem RE123-basierten Oxidhalbleiter besteht, auf einer Hauptfläche der Zwischenschicht 20 (obere Hauptfläche in 6) gegenüber der Hauptfläche der Zwischenschicht 20, die dem orientierten Metallsubstrat 10 zugewandt ist, gebildet. Als ein Verfahren des Bildens einer supraleitenden Oxidschicht 30 kann jedes Filmbildungsverfahren verwendet werden, zum Beispiel ein Gasphasenverfahren und ein Flüssigphasenverfahren oder eine Kombination davon. Zu Beispielen des Gasphasenverfahrens gehören ein Impulslaserabscheidungs-(PLD)-Verfahren, ein Sputterverfahren und ein Elektronenstrahlverdampfungsverfahren. Zu Beispielen des Flüssigphasenverfahrens gehört ein MOD-Verfahren. Wenn mindestens eines des Laserabscheidungsverfahrens, des Sputterverfahrens, des Elektronenstrahlverfahrens und des MOD-Verfahrens verwendet wird, so kann eine supraleitende Oxidschicht 30 mit einer Oberfläche von ausgezeichneter Orientierung und Oberflächenglattheit erreicht werden.

Als Nächstes wird ein Schutzschicht-Bildungsschritt (S40 in 3) des Bildens einer Schutzschicht 40 auf der supraleitenden Oxidschicht 30 ausgeführt. Genauer gesagt, wird, wie in 7 zu sehen, eine Schutzschicht 40, die aus Ag oder einer Ag-Legierung besteht, durch ein physikalisches Aufdampfungsverfahren wie zum Beispiel Sputtern oder ein Elektroplattierungsverfahren auf einer Hauptfläche der supraleitenden Oxidschicht 30 (der oberen Hauptfläche in 7) gegenüber der Hauptfläche der supraleitenden Oxidschicht 30, die der Zwischenschicht 20 zugewandt ist, gebildet. Die Oberfläche der supraleitenden Oxidschicht 30 kann durch Bilden einer Schutzschicht 40 geschützt werden. Anschließend wird eine Sauerstoffausheilung ausgeführt, bei der eine Wärmebehandlung unter einer Sauerstoffatmosphäre (Sauerstoffeinarbeitungsschritt) ausgeführt wird, um Sauerstoff in die supraleitende Oxidschicht 30 einzuarbeiten. Durch Ausführen der oben beschriebenen Schritte wird der gestapelte Körper gebildet, der die Zwischenschicht 20, die supraleitende Oxidschicht 30 und die Schutzschicht 40 enthält, die in dieser Reihenfolge auf dem orientierten Metallsubstrat 10 gestapelt sind.

Als Nächstes wird ein Stabilisierungsschicht-Bildungsschritt (S50 in 3) des Bildens einer Stabilisierungsschicht 50 um den Umfangsrand des gestapelten Körpers herum ausgeführt. Genauer gesagt, wird eine Stabilisierungsschicht 50, die aus Cu oder einer Cu-Legierung besteht, durch ein bekanntes Plattierungsverfahren gebildet, um den Außenumfangsrand des gestapelten Körpers zu bedecken, das heißt, um fast die gesamte äußerste Fläche des gestapelten Körpers zu bedecken. Zu Beispielen eines Verfahrens des Bildens einer Stabilisierungsschicht 50 gehört außer dem Plattierungsverfahren auch ein Verfahren zum Bonden von Kupferfolien. Durch Ausführen der oben beschriebenen Schritte wird der in 1 gezeigte supraleitende Oxiddraht 1 hergestellt.

Bezugnehmend auf 8 wird eine Variation des in 1 gezeigten supraleitenden Oxiddrahtes 1 beschrieben. Der in 8 gezeigte supraleitende Oxiddraht 1 hat im Grunde eine ähnliche Anordnung wie der in 1 gezeigte supraleitende Oxiddraht 1, außer dass sich die Anordnung des orientierten Metallsubstrats 10 von der des in 1 gezeigten supraleitenden Oxiddrahtes 1 unterscheidet. In dem in 8 gezeigten supraleitenden Oxiddraht 1 enthält das orientierte Metallsubstrat 10 eine Oxidschicht 11 an einem oberen Abschnitt in Kontakt mit der Zwischenschicht 20. Wenn eine Oberflächenschicht des orientierten Metallsubstrats 10 eine Ni-Schicht ist, dann ist die Oxidschicht 11 eine NiO (Nickeloxid)-Schicht. Die Oxidschicht 11 hat eine Dicke von etwa 10 bis 200 nm. Die Oxidschicht 11 wird während der Bildung der Zwischenschicht 20 erzeugt und kann auch durch Wärmebehandlung in einer Sauerstoffatmosphäre in dem Supraleitschicht-Bildungsschritt (S30 in 3) erzeugt werden.

Auch hier können in dem in 8 gezeigten supraleitenden Oxiddraht 1 die aus einem Einschicht-Dünnfilm gebildete Zwischenschicht 20 und die supraleitende Oxidschicht 30 mit einer guten Orientierung auf dem orientierten Metallsubstrat 10 gebildet werden. Infolge dessen können ähnliche Effekte wie bei dem in 1 gezeigten supraleitenden Oxiddraht 1 erhalten werden.

Beispiel

Als Nächstes wird die vorliegende Erfindung konkret anhand eines Beispiels beschrieben.

(Proben)

Die folgenden Proben wurden hergestellt, um die Auswirkung der Orientierung des orientierten Metallsubstrats 10 auf einen supraleitenden Oxiddraht zu untersuchen. Das heißt, es wurden Proben (Proben Nr. 1 bis Nr. 13) hergestellt, bei denen eine Zwischenschicht, die aus einer Einzelschicht bestand und eine Dicke von 5 bis 300 nm aufwies, auf einem orientierten Metallsubstrat ausgebildet war, das eine Ebenen-interne Orientierung Δϕ von 5 bis 8° hatte, wobei eine supraleitende Oxidschicht auf dieser Zwischenschicht ausgebildet war.

Als das orientierte Metallsubstrat wurden ein plattiertes Substrat mit einer gestapelten Struktur aus Ni/Cu/SUS (Proben Nr. 1 bis Nr. 11) und ein Ni-W-Legierungssubstrat (Proben Nr. 12 und Nr. 13) verwendet. In dem plattierten Substrat einer jeden der Proben Nr. 1 bis Nr. 11 hatte die Ni-Schicht eine Dicke von 2 µm, und die Cu-Schicht hatte eine Dicke von 20 µm. In dem Ni-W-Legierungssubstrat einer jeden der Proben Nr. 12 und Nr. 13 hatte W ein Zusammensetzungsverhältnis von 5 Atom-% (Atomkonzentration).

Es wurde eine Röntgendiffraktionsanalyse (ϕ-Abtastung) auf dem orientierten Metallsubstrat für jede Probe ausgeführt, um die Ebenen-interne Orientierung Δϕ zu messen. Als die Zwischenschicht wurde eine Y2O3-Schicht mit einer Dicke von 5 bis 300 nm auf dem orientierten Metallsubstrat mittels eines Sputterverfahrens ausgebildet. Ferner wurde als die supraleitende Oxidschicht eine GdBCO-Schicht mit einer Dicke von 2500 nm auf der Zwischenschicht mittels eines PLD-Verfahrens ausgebildet.

(Auswertung)

Für jede der oben beschriebenen Proben Nr. 1 bis Nr. 13 wurde die supraleitende Eigenschaft (Ic) bei der Temperatur von flüssigem Stickstoff (77,3 K) unter einem Eigenmagnetfeld gemessen. Die supraleitende Übergangstemperatur Tc wurde durch ein Induktionsverfahren unter Verwendung eines CryoScan-Gerätes von der Firma THEVA gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 gezeigt. [Tabelle 1]

Orientiertes MetallsubstratSubstrat-Δϕ (°)Zwischenschichtdicke (nm)Zwischenschicht Δϕ (°)Ic (A/cm)Tc(K)Probe Nr. 1Ni/Cu/SUS5,41505,352093Probe Nr. 2Ni/Cu/SUS6,51506,448092Probe Nr. 3Ni/Cu/SUS7,31507,535089Probe Nr. 4Ni/Cu/SUS6,456,53084Probe Nr. 5Ni/Cu/SUS6,6106,547092Probe Nr. 6Ni/CU/SUS7,23007,345091Probe Nr. 7Ni/Cu/SUS6,31508,230092Probe Nr. 8Ni/Cu/SUS5,82005,851093Probe Nr. 9Ni/Cu/SUS5,55005,451092Probe Nr. 10Ni/Cu/SUS5,48005,452093Probe Nr. 11Ni/Cu/SUS5,510005,550093Probe Nr. 12Ni-5 Atom-% W6,9107,140090Probe Nr. 13Ni-5 Atom-% W6,82006,841091

Wie in Tabelle 1 gezeigt, ist Δϕ des orientierten Metallsubstrats in den Proben Nr. 1 bis Nr. 13 kleiner als 7°, mit Ausnahme der Proben Nr. 3 und Nr. 6. Von diesen ist in den Proben Nr. 1 und Nr. 8 bis Nr. 11 Δϕ des orientierten Metallsubstrats kleiner als 6°.

Zuerst werden die Proben Nr. 1 bis Nr. 3 und Nr. 7 verglichen, bei denen die Zwischenschicht die gleiche Dicke hat. In Probe Nr. 3, bei der Δϕ des orientierten Metallsubstrats größer ist als 7°, gibt es eine Reduzierung des Ic. In den Proben Nr. 1 und Nr. 2, bei denen Δϕ des orientierten Metallsubstrats kleiner ist als 7°, ist hingegen zu sehen, dass Ic und Tc hoch sind, was bevorzugt ist. Jedoch hat in Probe Nr. 7, bei der Δϕ des orientierten Metallsubstrats 7° oder weniger ist, aber Δϕ der Zwischenschicht höher als 8° ist, Tc einen hohen Wert, aber Ic hat einen mehr oder weniger niedrigen Wert.

Als Nächstes zeigt ein Vergleich zwischen den Proben Nr. 3 und Nr. 6, bei denen Δϕ des orientierten Metallsubstrats größer ist als 7° und die verschiedene Dicken der Zwischenschicht haben, dass ein höherer Ic in Probe Nr. 6 erhalten wird, die eine größere Dicke der Zwischenschicht aufweist als in Probe Nr. 3, die eine kleinere Dicke der Zwischenschicht aufweist. Es ist somit zu sehen, dass, wenn Δϕ des orientierten Metallsubstrats größer ist als 7°, die Dicke der Zwischenschicht vergrößert werden muss, um einen hohen Ic zu erhalten.

Andererseits zeigt ein Vergleich zwischen den Proben Nr. 4, Nr. 5 und Nr. 12, bei denen Δϕ des orientierten Metallsubstrats kleiner ist als 7° und die reduzierte Dicken der Zwischenschicht haben, dass zwar Ic aufgrund der Reduzierung von Tc verringert ist, wenn die Dicke 5 nm beträgt (Probe Nr. 4), dass aber ein hoher Ic und eine hohe Tc erhalten werden, wenn die Dicke 10 nm beträgt (Proben Nr. 5 und Nr. 12).

Ferner zeigt ein Vergleich zwischen den Proben Nr. 1, Nr. 2, Nr. 5 und Nr. 8 bis Nr. 13, bei denen Δϕ des orientierten Metallsubstrats kleiner ist als 7°, dass in den Proben Nr. 1 und Nr. 8 bis Nr. 11, bei denen Δϕ des orientierten Metallsubstrats kleiner ist als 6°, Ic höher ist, was besonders bevorzugt ist. Außerdem zeigt ein Vergleich zwischen den Proben Nr. 1 und Nr. 8 bis Nr. 11, bei denen Δϕ des orientierten Metallsubstrats kleiner ist als 6°, dass der hohe Ic beibehalten wird, selbst wenn die Dicke der Zwischenschicht von 1000 nm auf 150 nm verringert wird.

Schließlich zeigt ein Vergleich zwischen den Proben Nr. 5 und Nr. 12, bei denen Δϕ des orientierten Metallsubstrats kleiner ist als 7° und die die gleiche Dicke der Zwischenschicht haben, dass in Probe Nr. 5, bei der das orientierte Metallsubstrat ein plattiertes Substrat ist, Ic höher ist, was besonders bevorzugt ist, als in Probe Nr. 12, bei der das orientierte Metallsubstrat ein Ni-W-Legierungssubstrat ist. Das Gleiche lässt sich für einen Vergleich zwischen den Proben Nr. 8 und Nr. 13 sagen. Darum kann man sagen, dass ein plattiertes Substrat für eine Verbesserung des Ic besonders bevorzugt ist.

Auf diese Weise kann, wenn das orientierte Metallsubstrat eine Ebenen-interne Orientierung Δϕ von 7° oder weniger hat, die supraleitende Oxidschicht, die eine gute Orientierung aufweist, selbst mit einer Zwischenschicht aus einem Einschicht-Dünnfilm gebildet werden. Besonders bevorzugt kann die Zwischenschicht eine Dicke von 10 nm oder mehr haben, und die Zwischenschicht kann eine Ebenen-interne Orientierung Δϕ von 8° oder weniger haben. Besonders bevorzugt kann das orientierte Metallsubstrat Δϕ von 6° oder weniger haben. Besonders bevorzugt kann ein plattiertes Substrat als das orientierte Metallsubstrat verwendet werden. Dadurch kann ein supraleitender Oxiddraht, der reduzierte Herstellungskosten ermöglicht und dabei ausgezeichnete supraleitende Eigenschaften beibehält, erhalten werden. So kann in der Folge eine verbesserte Massenproduktion erreicht werden.

Es versteht sich, dass die im vorliegenden Text offenbarten Ausführungsformen und Beispiele in jeder Hinsicht veranschaulichend und nicht-einschränkend sind. Der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die Formulierungen der Ansprüche und nicht durch die oben beschriebenen Ausführungsformen und Beispiele definiert und soll innerhalb des Schutzumfangs und der Bedeutungsäquivalente zu den Formulierungen der Ansprüche jegliche Modifizierungen umfassen.

Bezugszeichenliste

1
supraleitender Oxiddraht
10, 110
orientiertes Metallsubstrat
11
Oxidschicht
20, 120
Zwischenschicht
30, 130
supraleitende Oxidschicht
40
Schutzschicht
50
Stabilisierungsschicht
121, 123
CeO2-Schicht
122
YSZ-Schicht

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG

Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.

Zitierte Patentliteratur

  • JP 2015203745 [0002]
  • JP 2012248469 [0003, 0004]