Title:
Vorrichtung für elastische Wellen
Document Type and Number:
Kind Code:
T5

Abstract:

Es wird eine Vorrichtung für elastische Wellen bereitgestellt, in der das Generieren von Welligkeiten in dem Durchlassband unwahrscheinlich gemacht wird. Eine Vorrichtung für elastische Wellen (1) ist eine Vorrichtung für elastische Wellen (1), die mit einem piezoelektrischen Film (6) ausgestattet ist und ein Element mit hoher Schallgeschwindigkeit enthält, in dem eine Schallgeschwindigkeit einer Volumenwelle, die sich in dem erwähnten Element ausbreitet, größer ist als eine Schallgeschwindigkeit einer elastischen Welle in einem Hauptmodus, die sich in dem piezoelektrischen Film (6) ausbreitet, den piezoelektrische Film (6), die direkt oder indirekt auf das Element mit hoher Schallgeschwindigkeit laminiert ist, einen ersten leitenden Film, der auf dem piezoelektrischen Film (6) angeordnet ist, und einen zweiten leitenden Film, der auf dem piezoelektrischen Film (6) und auf mindestens einem Teil des ersten leitenden Films angeordnet ist. Mehrere IDT-Elektroden (8), die Elektrodenfinger und Sammelschienen enthalten, sind auf dem piezoelektrischen Film (6) angeordnet, mindestens die Elektrodenfinger mehrerer IDT-Elektroden (8) sind aus dem ersten leitenden Film konfiguriert, und mindestens ein Teil einer Verbindungsverdrahtung, mit dem die mehreren IDT-Elektroden (8) miteinander verbunden sind, ist aus dem zweiten leitenden Film konfiguriert.





Inventors:
Yamane, Takashi (Kyoto-fu, Nagaokakyo-shi, JP)
Takamine, Yuichi (Kyoto-fu, Nagaokakyo-shi, JP)
Application Number:
DE112015005769T
Publication Date:
10/19/2017
Filing Date:
11/11/2015
Assignee:
Murata Manufacturing Co., Ltd. (Kyoto-fu, Nagaokakyo-shi, JP)
International Classes:
H03H9/145; H03H9/64
Attorney, Agent or Firm:
CBDL Patentanwälte, 47051, Duisburg, DE
Claims:
1. Vorrichtung für elastische Wellen, die einen piezoelektrischen Film enthält, wobei die Vorrichtung umfasst:
ein Element mit hoher Schallgeschwindigkeit, in dem eine Schallgeschwindigkeit einer Volumenwelle, die sich in dem erwähnten Element ausbreitet, größer ist als eine Schallgeschwindigkeit einer elastischen Welle in einem Hauptmodus, die sich in dem piezoelektrischen Film ausbreitet,
den piezoelektrischen Film, der direkt oder indirekt auf das Element mit hoher Schallgeschwindigkeit laminiert ist,
einen ersten leitenden Film, der auf dem piezoelektrischen Film angeordnet ist, und
einen zweiten leitenden Film, der auf dem piezoelektrischen Film und auf mindestens einem Teil des ersten leitenden Films angeordnet ist,
wobei mehrere IDT-Elektroden, die Elektrodenfinger und Sammelschienen enthalten, auf dem piezoelektrischen Film angeordnet sind, und mindestens die Elektrodenfinger der mehreren IDT-Elektroden aus dem ersten leitenden Film konfiguriert sind, und
mindestens ein Teil einer Verbindungsverdrahtung, mit der die mehreren IDT-Elektroden miteinander verbunden sind, aus dem zweiten leitenden Film konfiguriert ist.

2. Vorrichtung für elastische Wellen nach Anspruch 1, wobei der piezoelektrische Film direkt auf das Element mit hoher Schallgeschwindigkeit laminiert ist.

3. Vorrichtung für elastische Wellen nach Anspruch 1, wobei eine Adhäsionsschicht zwischen dem Element mit hoher Schallgeschwindigkeit und dem piezoelektrischen Film ausgebildet ist.

4. Vorrichtung für elastische Wellen nach Anspruch 1, ferner umfassend:
einen Film mit niedriger Schallgeschwindigkeit, der auf das Element mit hoher Schallgeschwindigkeit laminiert ist, und in dem eine Schallgeschwindigkeit einer Volumenwelle, die sich in dem erwähnten Film ausbreitet, kleiner ist als die Schallgeschwindigkeit der elastischen Welle in einem Hauptmodus, die sich in dem piezoelektrischen Film ausbreitet,
wobei der piezoelektrische Film indirekt auf das Element mit hoher Schallgeschwindigkeit laminiert ist, wobei der Film mit niedriger Schallgeschwindigkeit zwischen dem piezoelektrischen Film und dem Element mit hoher Schallgeschwindigkeit angeordnet ist.

5. Vorrichtung für elastische Wellen nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die gesamte Verbindungsverdrahtung aus dem zweiten leitenden Film besteht.

6. Vorrichtung für elastische Wellen nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei
die Verbindungsverdrahtung einen ersten Verdrahtungsabschnitt enthält, der aus dem ersten leitenden Film gebildet ist, und der erste Verdrahtungsabschnitt eine Verbindung zwischen den IDT-Elektroden herstellt,
die erwähnte Vorrichtung für elastische Wellen ferner einen Isolierfilm enthält, der auf dem ersten Verdrahtungsabschnitt angeordnet ist, und
ein Teil des zweiten leitenden Films auf dem Isolierfilm angeordnet ist.

7. Vorrichtung für elastische Wellen nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Elektrodenfinger und die Sammelschienen aus dem ersten leitenden Film gebildet sind.

8. Vorrichtung für elastische Wellen nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Elektrodenfinger aus dem ersten leitenden Film gebildet sind, die Sammelschienen aus dem zweiten leitenden Film gebildet sind, und die Sammelschienen Endabschnitte der Elektrodenfinger überlappen.

9. Vorrichtung für elastische Wellen nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei
das Element mit hoher Schallgeschwindigkeit aus einem Film mit hoher Schallgeschwindigkeit gebildet wird, und
die Vorrichtung für elastische Wellen ferner ein Trägersubstrat enthält, das auf einer Oberfläche des Films mit hoher Schallgeschwindigkeit auf einer Seite angeordnet ist, die einer Fläche des Films mit hoher Schallgeschwindigkeit gegenüberliegt, wo ein Film mit niedriger Schallgeschwindigkeit angeordnet ist.

10. Vorrichtung für elastische Wellen nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei das Element mit hoher Schallgeschwindigkeit aus einem Substrat mit hoher Schallgeschwindigkeit gebildet wird.

11. Vorrichtung für elastische Wellen nach einem der Ansprüche 1 bis 10,
wobei die erwähnte Vorrichtung für elastische Wellen ein Kettenfilter ist, das einen Reihenarmresonator und einen Parallelarmresonator enthält, und
mindestens einer des Reihenarmresonators und des Parallelarmresonators die mehreren IDT-Elektroden enthält.

12. Vorrichtung für elastische Wellen nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei die erwähnte Vorrichtung für elastische Wellen ein längs gekoppeltes Filter für elastische Wellen vom Resonatortyp ist.

13. Vorrichtung für elastische Wellen, die als ein Duplexer dient, der ein erstes Bandpassfilter und ein zweites Bandpassfilter, dessen Durchlassband von einem Durchlassband des ersten Bandpassfilters verschieden ist, enthält, wobei mindestens eines des ersten und des zweiten Bandpassfilters die Vorrichtung für elastische Wellen nach den Ansprüchen 1 bis 12 ist.

Description:
TECHNISCHES GEBIET

Die vorliegende Erfindung betrifft Vorrichtungen für elastische Wellen.

ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK

Vorrichtungen für elastische Wellen werden weithin in Mobiltelefonen und dergleichen verwendet.

Zum Beispiel enthält ein Filter für elastische Wellen, das in dem unten angeführten Patentdokument 1 offenbart ist, einen Mehrschichtkörper, bei dem ein Film mit hoher Schallgeschwindigkeit, ein Film mit niedriger Schallgeschwindigkeit, der ein Isoliermaterial verwendet, und ein piezoelektrischer Film in dieser Reihenfolge laminiert sind. Eine Interdigitaltransducer(IDT)-Elektrode ist auf dem piezoelektrischen Film angeordnet.

Die Schallgeschwindigkeit einer Volumenwelle, die sich in dem Film mit hoher Schallgeschwindigkeit ausbreitet, ist größer als die Schallgeschwindigkeit einer elastischen Welle in einem Hauptmodus, die sich in dem piezoelektrischen Film ausbreitet. Die Schallgeschwindigkeit der Volumenwelle, die sich in dem Film mit niedriger Schallgeschwindigkeit ausbreitet, kleiner ist als die Schallgeschwindigkeit der elastischen Welle in einem Hauptmodus, die sich in dem piezoelektrischen Film ausbreitet.

Zitierungsliste Patentdokument

  • Patentdokument 1: Internationale Publikation Nr. 2012/086639

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG Technische Aufgabe

Bei dem in Patentdokument 1 offenbarten Filter für elastische Wellen ist die Dicke des piezoelektrischen Films gering, und der Film mit niedriger Schallgeschwindigkeit, der Isoliermaterial verwendet, ist unter dem piezoelektrischen Film angeordnet, so dass elektrische Ladung im Prozess des Ausbildens der IDT-Elektrode auf dem piezoelektrischen Film akkumuliert wird, wodurch in einigen Fällen ein Spannungsspitzendurchschlag zwischen einem Elektrodenfinger und einer Sammelschiene der IDT-Elektrode oder dergleichen verursacht wird. Darum gibt es einen Fall, in dem Welligkeiten in einem Durchlassband des Filters für elastische Wellen generiert werden. Darüber hinaus ist es wahrscheinlich, dass Frequenzen, bei denen Welligkeiten generiert werden, die Größenordnung der Welligkeiten und dergleichen variieren.

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung einer Vorrichtung für elastische Wellen, bei der es unwahrscheinlich ist, dass Welligkeiten in einem Durchlassband generiert werden.

Lösung der Aufgabe

Eine Vorrichtung für elastische Wellen gemäß der vorliegenden Erfindung ist eine Vorrichtung für elastische Wellen, die mit einem piezoelektrischen Film ausgestattet ist und enthält: ein Element mit hoher Schallgeschwindigkeit, in dem eine Schallgeschwindigkeit einer Volumenwelle, die sich in dem erwähnten Element ausbreitet, größer ist als eine Schallgeschwindigkeit einer elastischen Welle in einem Hauptmodus, die sich in dem piezoelektrischen Film ausbreitet, den piezoelektrischen Film, der direkt oder indirekt auf das Element mit hoher Schallgeschwindigkeit laminiert ist, einen ersten leitenden Film, der auf dem piezoelektrischen Film angeordnet ist, und einen zweiten leitenden Film, der auf dem piezoelektrischen Film und auf mindestens einem Teil des ersten leitenden Films angeordnet ist, wobei mehrere IDT-Elektroden, die Elektrodenfinger und Sammelschienen enthalten, auf dem piezoelektrischen Film angeordnet sind, mindestens die Elektrodenfinger der mehreren IDT-Elektroden aus dem ersten leitenden Film bestehen, und mindestens ein Teil einer Verbindungsverdrahtung, mit der die mehreren IDT-Elektroden miteinander verbunden sind, aus dem zweiten leitenden Film bestehen.

Bei einer bestimmten konkreten Ausführungsform der Vorrichtung für elastische Wellen gemäß der vorliegenden Erfindung ist der piezoelektrische Film direkt auf das Element mit hoher Schallgeschwindigkeit laminiert.

Gemäß einer weiteren konkreten Ausführungsform der Vorrichtung für elastische Wellen gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine Adhäsionsschicht zwischen dem Element mit hoher Schallgeschwindigkeit und dem piezoelektrischen Film ausgebildet. In diesem Fall kann das Haftvermögen zwischen dem Element mit hoher Schallgeschwindigkeit und dem piezoelektrischen Film verstärkt werden.

Bei einer weiteren konkreten Ausführungsform der Vorrichtung für elastische Wellen gemäß der vorliegenden Erfindung ist ferner ein Film mit niedriger Schallgeschwindigkeit enthalten, der auf das Element mit hoher Schallgeschwindigkeit laminiert ist und in dem eine Schallgeschwindigkeit einer Volumenwelle, die sich in dem erwähnten Film ausbreitet, kleiner ist als die Schallgeschwindigkeit der elastischen Welle in einem Hauptmodus, die sich in dem piezoelektrischen Film ausbreitet, wobei der piezoelektrische Film indirekt auf das Element mit hoher Schallgeschwindigkeit laminiert ist, wobei der Film mit niedriger Schallgeschwindigkeit dazwischen angeordnet ist.

Bei einer weiteren konkreten Ausführungsform der Vorrichtung für elastische Wellen gemäß der vorliegenden Erfindung besteht die gesamte Verbindungsverdrahtung aus dem zweiten leitenden Film. Dadurch ist es möglich, eine Oberfläche des ersten leitenden Films zu verkleinern, wodurch das Auftreten eines Spannungsspitzendurchschlags der IDT-Elektrode unwahrscheinlich gemacht werden kann und das Generieren von Welligkeiten in dem Durchlassband unwahrscheinlich gemacht werden kann.

Bei einer weiteren konkreten Ausführungsform der Vorrichtung für elastische Wellen gemäß der vorliegenden Erfindung enthält die Verbindungsverdrahtung einen ersten Verdrahtungsabschnitt, der aus dem ersten leitenden Film gebildet ist, wobei der erste Verdrahtungsabschnitt eine Verbindung zwischen den IDT-Elektroden herstellt, wobei ferner ein Isolierfilm enthalten ist, der auf dem ersten Verdrahtungsabschnitt angeordnet ist, und ein Teil des zweiten leitenden Films auf dem Isolierfilm angeordnet ist. In diesem Fall kann eine dreidimensionale Verdrahtung konfiguriert werden, in der der erste Verdrahtungsabschnitt und ein Teil des zweiten leitenden Films laminiert sind, wobei der Isolierfilm dazwischen angeordnet ist. Diese macht es möglichen, die Vorrichtung für elastische Wellen zu miniaturisieren.

Gemäß einer weiteren konkreten Ausführungsform der Vorrichtung für elastische Wellen gemäß der vorliegenden Erfindung sind die Elektrodenfinger und die Sammelschienen aus dem ersten leitenden Film hergestellt. In diesem Fall werden die Elektrodenfinger und die Sammelschienen gleichzeitig ausgebildet.

Gemäß einer weiteren konkreten Ausführungsform der Vorrichtung für elastische Wellen gemäß der vorliegenden Erfindung sind die Elektrodenfinger aus dem ersten leitenden Film hergestellt, die Sammelschienen sind aus dem zweiten leitenden Film hergestellt, und die Sammelschienen überlappen mit Endabschnitten der Elektrodenfinger. In diesem Fall kann die Oberfläche des ersten leitenden Films verkleinert werden. Damit kann ein Spannungsspitzendurchschlag bei der IDT-Elektrode unwahrscheinlich gemacht werden kann, und das Generieren von Welligkeiten in dem Durchlassband kann unwahrscheinlich gemacht werden.

Bei einer weiteren konkreten Ausführungsform der Vorrichtung für elastische Wellen gemäß der vorliegenden Erfindung wird das Element mit hoher Schallgeschwindigkeit aus einem Film mit hoher Schallgeschwindigkeit gebildet, und ferner ist ein Trägersubstrat enthalten, das auf einer Oberfläche des Films mit hoher Schallgeschwindigkeit auf der Seite angeordnet ist, die jener Fläche gegenüber liegt, wo der Film mit niedriger Schallgeschwindigkeit angeordnet ist. In diesem Fall kann ein Element mit hoher Schallgeschwindigkeit auf dem Trägersubstrat angeordnet werden, das in der Lage ist, ein Entweichen von Energie der elastischen Wellen effektiv zu erschweren. Damit kann ein Gütewert effektiv erhöht werden.

Gemäß einer weiteren konkreten Ausführungsform der Vorrichtung für elastische Wellen gemäß der vorliegenden Erfindung wird das Element mit hoher Schallgeschwindigkeit aus einem Substrat mit hoher Schallgeschwindigkeit gebildet. In diesem Fall kann das Trägersubstrat weggelassen werden, wodurch es möglich wird, die Anzahl der Komponenten zu reduzieren und die Kosten zu senken. Dadurch kann die Produktivität gesteigert werden.

Gemäß einer weiteren konkreten Ausführungsform der Vorrichtung für elastische Wellen gemäß der vorliegenden Erfindung ist die Vorrichtung für elastische Wellen ein Kettenfilter, das einen Reihenarmresonator und einen Parallelarmresonator enthält, und mindestens einer des Reihenarmresonators und des Parallelarmresonators enthält die mehreren IDT-Elektroden. In diesem Fall ist es möglich, das Generieren von Welligkeiten in einem Durchlassband des Kettenfilters unwahrscheinlich zu machen.

Gemäß einer weiteren konkreten Ausführungsform der Vorrichtung für elastische Wellen gemäß der vorliegenden Erfindung ist die Vorrichtung für elastische Wellen ein längs gekoppeltes Filter für elastische Wellen vom Resonatortyp. In diesem Fall ist es möglich, das Generieren von Welligkeiten in einem Durchlassband des längs gekoppelten Filters für elastische Wellen vom Resonatortyp unwahrscheinlich zu machen.

Gemäß einer weiteren konkreten Ausführungsform der Vorrichtung für elastische Wellen gemäß der vorliegenden Erfindung ist die erwähnte Vorrichtung für elastische Wellen ein Duplexer, der ein erstes Bandpassfilter und ein zweites Bandpassfilter enthält, dessen Durchlassband von einem Durchlassband des ersten Bandpassfilters verschieden ist, und mindestens eines des ersten und des zweiten Bandpassfilters ist die oben beschriebene Vorrichtung für elastische Wellen, die gemäß der vorliegenden Erfindung konfiguriert ist. In diesem Fall ist es möglich, das Generieren von Welligkeiten in dem Durchlassband von mindestens einem des ersten und des zweiten Bandpassfilters in dem Duplexer unwahrscheinlich zu machen.

VORTEILHAFTE EFFEKTE DER ERFINDUNG

Gemäß der vorliegenden Erfindung kann eine Vorrichtung für elastische Wellen bereitgestellt werden, in der das Generieren von Welligkeiten in dem Durchlassband unwahrscheinlich gemacht ist.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

1 ist ein Schaltbild einer Vorrichtung für elastische Wellen gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

2 ist eine schematische Querschnitts-Vorderansicht der Vorrichtung für elastische Wellen gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

3 ist eine schematische Draufsicht eines Reihenarmresonators in der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

4 ist eine schematische Querschnitts-Vorderansicht einer Vorrichtung für elastische Wellen in einer Abwandlung der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

5 ist eine teilweise geöffnete Draufsicht, die schematisch einen Zustand veranschaulicht, in dem ein erster leitender Film auf einem piezoelektrischen Film in der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung angeordnet ist.

6 ist eine teilweise geöffnete Draufsicht, die die Vorrichtung für elastische Wellen gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung schematisch veranschaulicht.

7 ist eine teilweise geöffnete Draufsicht, die schematisch einen Zustand veranschaulicht, in dem ein erster leitender Film auf einem piezoelektrischen Film in einem Vergleichsbeispiel angeordnet ist.

8 ist eine teilweise geöffnete Draufsicht, die schematisch eine Vorrichtung für elastische Wellen des Vergleichsbeispiels veranschaulicht.

9 ist ein Kurvendiagramm, das Frequenzkennlinien in einem Durchlassband einer jeden der Vorrichtungen für elastische Wellen der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und dem Vergleichsbeispiel veranschaulicht.

10 ist eine teilweise geöffnete Draufsicht, die schematisch einen Zustand veranschaulicht, in dem ein erster leitender Film auf einem piezoelektrischen Film in einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung angeordnet ist.

11 ist eine teilweise geöffnete Draufsicht, die schematisch eine Vorrichtung für elastische Wellen gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.

12 ist eine teilweise geöffnete Draufsicht, die schematisch einen Zustand veranschaulicht, in dem ein erster leitender Film auf einem piezoelektrischen Film in einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung angeordnet ist.

13 ist eine teilweise geöffnete Draufsicht, die schematisch eine Vorrichtung für elastische Wellen gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.

14 ist ein Schaltbild einer Vorrichtung für elastische Wellen gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

15 ist eine schematische Draufsicht, die eine Abwandlung einer IDT-Elektrode in der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.

16 ist ein Kurvendiagramm, das eine Beziehung zwischen einer LiTaO3-Filmdicke und einem Gütewert in einer Vorrichtung für elastische Wellen veranschaulicht.

BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMEN

Im Weiteren wird die vorliegende Erfindung anhand der Beschreibung konkreter Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die Zeichnungen erläutert.

Es ist anzumerken, dass die in der vorliegenden Spezifikation beschriebenen Ausführungsformen lediglich Beispiele sind und dass Konfigurationen dieser Ausführungsformen zwischen verschiedenen Ausführungsformen teilweise ersetzt oder kombiniert werden können.

1 ist ein Schaltbild einer Vorrichtung für elastische Wellen gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

Die Vorrichtung für elastische Wellen 1 ist ein Kettenfilter, das Reihenarmresonatoren S1 bis S5 und Parallelarmresonatoren P1 bis P4 enthält. Die Reihenarmresonatoren S1 bis S5 sind zwischen einem Eingangsanschluss 13 und einem Ausgangsanschluss 14 miteinander in Reihe geschaltet. Ein Parallelarmresonator P1 ist zwischen einem Erdungspotenzial und einem Verbindungspunkt zwischen dem Reihenarmresonator S1 und dem Reihenarmresonator S2 verbunden. Ein Parallelarmresonator P2 ist zwischen dem Erdungspotenzial und einem Verbindungspunkt zwischen dem Reihenarmresonator S2 und dem Reihenarmresonator S3 verbunden. Ein Parallelarmresonator P3 ist zwischen dem Erdungspotenzial und einem Verbindungspunkt zwischen dem Reihenarmresonator S3 und dem Reihenarmresonator S4 verbunden. Ein Parallelarmresonator P4 ist zwischen dem Erdungspotenzial und einem Verbindungspunkt zwischen dem Reihenarmresonator S4 und dem Reihenarmresonator S5 verbunden.

Im Weiteren wird eine konkretere Konfiguration der Vorrichtung für elastische Wellen 1 mit Bezug auf die 2 und 3 beschrieben.

2 ist eine schematische Querschnitts-Vorderansicht der Vorrichtung für elastische Wellen gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

Die Vorrichtung für elastische Wellen 1 enthält ein Trägersubstrat 2. Das Trägersubstrat 2 ist aus Si gebildet. Das Trägersubstrat 2 kann auch aus einem anderen Material als Si gebildet werden.

Ein Bondungsfilm 3 ist auf das Trägersubstrat 2 laminiert. Der Bondungsfilm 3 bondet das Trägersubstrat 2 an einen Film mit hoher Schallgeschwindigkeit 4 als ein Element mit hoher Schallgeschwindigkeit, was später noch erläutert wird. Der Bondungsfilm 3 besteht aus SiO2. Der Bondungsfilm 3 kann auch aus einem anderen Material als SiO2 gebildet werden, solange das Material in der Lage ist, sowohl das Trägersubstrat 2 als auch den Film mit hoher Schallgeschwindigkeit 4 ausreichend zu bonden. Obgleich es nicht absolut notwendig ist, den Bondungsfilm 3 bereitzustellen, ist es bevorzugt, den Bondungsfilm 3 bereitzustellen, weil die Bondung zwischen dem Trägersubstrat 2 und dem Film mit hoher Schallgeschwindigkeit 4 verstärkt werden kann.

Der Film mit hoher Schallgeschwindigkeit 4 ist auf den Bondungsfilm 3 laminiert. Eine Schallgeschwindigkeit einer Volumenwelle, die sich in dem Film mit hoher Schallgeschwindigkeit 4 ausbreitet, ist größer als eine Schallgeschwindigkeit einer elastischen Welle in einem Hauptmodus, die sich in einem piezoelektrischen Film 6 ausbreitet, wie später noch erläutert wird. Der Film mit hoher Schallgeschwindigkeit 4 besteht aus SiN. Der Film mit hoher Schallgeschwindigkeit 4 kann aus einem Material gebildet werden, dessen Hauptbestandteil zum Beispiel Aluminiumnitrid, Aluminiumoxid, Siliziumcarbid, Siliziumoxynitrid, ein DLC-Film, Diamant oder dergleichen ist, solange das erwähnte Material ein Material mit relativ hoher Schallgeschwindigkeit ist.

Die Schallgeschwindigkeit einer Volumenwelle ist eine Schallgeschwindigkeit, die durch die inhärente Natur eines Materials bestimmt wird, und es gibt eine P-Welle, die in einer Wellenfortbewegungsrichtung, das heißt in einer Längsrichtung, schwingt, und eine S-Welle, die in einer Querrichtung schwingt, die eine Richtung senkrecht zur Wellenfortbewegungsrichtung ist. Die Volumenwelle breitet sich in jedem des piezoelektrischen Films, des Films mit hoher Schallgeschwindigkeit und des Films mit niedriger Schallgeschwindigkeit aus. Im Fall eines isotropen Materials gibt es die P-Welle und die S-Welle. Im Fall eines anisotropen Materials gibt es die P-Welle, eine langsame S-Welle und eine schnelle S-Welle. In dem Fall, wo eine Oberflächenschallwelle unter Verwendung des anisotropen Materials angeregt wird, werden eine SH(horizontale Scher)-Welle und eine SV(vertikale Scher)-Welle als zwei S-Wellen generiert. In der vorliegenden Spezifikation meint eine Schallgeschwindigkeit einer elastischen Welle in einem Hauptmodus, die sich in dem piezoelektrischen Film ausbreitet, einen Modus unter den drei Modi, nämlich der P-Welle, der SH-Welle und der SV-Welle, der verwendet wird, um ein Durchlassband als ein Filter, Resonanzeigenschaften als ein Resonator oder dergleichen zu erhalten.

Ein Film mit niedriger Schallgeschwindigkeit 5 ist auf den Film mit hoher Schallgeschwindigkeit 4 laminiert. Eine Schallgeschwindigkeit einer Volumenwelle, die sich in dem Film mit niedriger Schallgeschwindigkeit 5 ausbreitet, kleiner ist als die Schallgeschwindigkeit der elastischen Welle in einem Hauptmodus, die sich in dem piezoelektrischen Film 6 ausbreitet, wie später noch erläutert wird. Der Film mit niedriger Schallgeschwindigkeit 5 besteht aus SiO2. Der Film mit niedriger Schallgeschwindigkeit 5 kann aus einem Material gebildet werden, dessen Hauptbestandteil eine Verbindung ist, in der Fluor, Kohlenstoff, Bor oder dergleichen zum Beispiel zu Glas, Siliziumoxynitrid, Tantaloxid oder Siliziumoxid zugegeben wird, solange das erwähnte Material ein Material von relativ niedriger Schallgeschwindigkeit ist.

Der piezoelektrische Film 6 ist auf den Film mit niedriger Schallgeschwindigkeit 5 laminiert. Der piezoelektrische Film 6 besteht aus einem LiTaO3-Film mit einem Schnittwinkel von 50°. Der Schnittwinkel des piezoelektrischen Films 6 ist nicht ausdrücklich auf den oben genannten Wert beschränkt. Der piezoelektrische Film 6 kann zum Beispiel aus einem piezoelektrischen Einkristall aus LiNbO3 oder aus einem anderen Material als LiTaO3 gebildet werden. Alternativ kann der piezoelektrische Film 6 aus piezoelektrischer Keramik gebildet werden.

Wie oben besprochen, ist auf dem Trägersubstrat 2 und dem Bondungsfilm 3 ein Mehrschichtkörper 7 angeordnet, in dem der Film mit hoher Schallgeschwindigkeit 4, der Film mit niedriger Schallgeschwindigkeit 5 und der piezoelektrische Film 6 in dieser Reihenfolge laminiert sind. In der Ausführungsform beträgt die Dicke des Trägersubstrats 2200 µm. Die Dicke des Bondungsfilms 3 beträgt 1800 nm. Die Dicke des Films mit hoher Schallgeschwindigkeit 4 beträgt 1345 nm. Die Dicke des Films mit niedriger Schallgeschwindigkeit 5 beträgt 670 nm. Die Dicke des piezoelektrischen Films 6 beträgt 600 nm. Es ist zu beachten, dass die jeweiligen Dicken des Trägersubstrats 2, des Bondungsfilms 3, des Films mit hoher Schallgeschwindigkeit 4 und des Films mit niedriger Schallgeschwindigkeit 5 nicht ausdrücklich auf die oben genannten Werte beschränkt sind.

Darüber hinaus in dem Fall, wo eine Wellenlänge, die durch einen Elektrodenfinger-Mittenabstand einer IDT-Elektrode 8 definiert ist, wie später noch erläutert wird, als λ genommen wird, ist es bevorzugt, dass die Dicke des piezoelektrischen Films 6 nicht mehr als 3,5 λ beträgt. Dies wird unter Bezug auf 16 erläutert. 16 ist ein Kurvendiagramm, das eine Beziehung zwischen einer LiTaO3-Filmdicke und einem Gütewert in einer Struktur veranschaulicht, in der ein Film mit geringer Schallgeschwindigkeit, der aus einem SiO2-Film mit einer Dicke von 0,35 λ besteht, und ein piezoelektrischer Film, der aus LiTaO3 besteht und Euler-Winkel (0°, 140,0°, 0°) – oder anders ausgedrückt: einen Schnittwinkel von 90° – aufweist, auf ein Trägersubstrat mit hoher Schallgeschwindigkeit, das aus Silizium besteht, laminiert sind. Wie aus 16 zu erkennen ist, versteht es sich in dem Fall, wo die LiTaO3-Filmdicke nicht mehr als 3,5 λ beträgt, dass der Gütewert höher ist als in dem Fall, wo die erwähnte Dicke 3,5 λ übersteigt. Darum beträgt die LiTaO3-Filmdicke bevorzugt nicht mehr als 3,5 λ und besonders bevorzugt nicht mehr als 1,5 λ.

Die IDT-Elektrode 8 ist auf dem piezoelektrischen Film 6 angeordnet. Die IDT-Elektrode 8 ist eine IDT-Elektrode des in 1 gezeigten Reihenarmresonator S1. Im Weiteren wird – als ein repräsentatives Beispiel – eine Konfiguration des Reihenarmresonators S1 beschrieben.

3 ist eine schematische Draufsicht eines Reihenarmresonators in der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Es ist zu beachten, dass 3 eine schematische Draufsicht des Reihenarmresonators ist, in dem ein später noch zu erläuternder Schutzfilm weggelassen ist.

Reflektoren 9 sind auf beiden Seiten in der Oberflächenschallwellenausbreitungsrichtung der IDT-Elektrode 8 angeordnet, wodurch der Reihenarmresonator S1 konfiguriert wird.

Die IDT-Elektrode 8 enthält mehrere erste Elektrodenfinger 8a1, mehrere zweite Elektrodenfinger 8b1 und erste und zweite Sammelschienen 8a2, 8b2. Die mehreren ersten Elektrodenfinger 8a1 und die mehreren zweiten Elektrodenfinger 8b1 sind abwechselnd ineinander gelegt. Ein Ende eines jeden der mehreren ersten Elektrodenfinger 8a1 ist mit der ersten Sammelschiene 8a2 gemeinsam verbunden. Ein Ende eines jeden der mehreren zweiten Elektrodenfinger 8b1 ist mit der zweiten Sammelschiene 8b2 gemeinsam verbunden. Die IDT-Elektrode 8 enthält ferner mehrere erste Dummy-Elektroden 8a3 und mehrere zweite Dummy-Elektroden 8b3. Ein Ende einer jeden der mehreren ersten Dummy-Elektroden 8a3 ist mit der ersten Sammelschiene 8a2 gemeinsam verbunden. Die mehreren ersten Dummy-Elektroden 8a3 liegen den mehreren zweiten Elektrodenfingern 8b1 gegenüber. Ein Ende einer jeden der mehreren zweiten Dummy-Elektroden 8b3 ist mit der zweiten Sammelschiene 8b2 gemeinsam verbunden. Die mehreren zweiten Dummy-Elektroden 8b3 liegen den mehreren ersten Elektrodenfingern 8a1 gegenüber. Es ist zu beachten, dass in der vorliegenden Spezifikation jene Elektroden, die Elektrodenfinger und Sammelschienen enthalten, zusammen als eine „IDT-Elektrode“ bezeichnet werden.

Die IDT-Elektrode 8 ist ein Mehrschichtkörper, in dem eine Al-Cu-Legierung, die 1 Gewichts-% Cu enthält, auf Ti laminiert ist. Die Dicke des Ti beträgt 12 nm, und die Dicke der Al-Cu-Legierung beträgt 162 nm. Die IDT-Elektrode 8 kann auch eine andere Mehrschichtstruktur als die oben besprochene Struktur haben oder kann eine Einschichtstruktur haben.

Wie in 2 gezeigt, ist ein Schutzfilm 12 auf der IDT-Elektrode 8 angeordnet. Der Schutzfilm 12 besteht aus SiO2, und seine Dicke beträgt 25 nm. Der Schutzfilm 12 kann auch aus einem anderen Material als SiO2 gebildet werden, und seine Dicke ist nicht ausdrücklich auf den oben angesprochenen Wert beschränkt. Obgleich es nicht absolut notwendig ist, den Schutzfilm 12 bereitstellen, ist es bevorzugt, den Schutzfilm 12 bereitzustellen, weil es unwahrscheinlich gemacht werden kann, dass die IDT-Elektrode 8 bricht.

Die Reihenarmresonatoren S2 bis S5 und die Parallelarmresonatoren P1 bis P4 enthalten, wie der Reihenarmresonator S1, IDT-Elektroden und Reflektoren. Die IDT-Elektroden und die Reflektoren der Reihenarmresonatoren S1 bis S5 und die Parallelarmresonatoren P1 bis P4 sind jeweils aus einem ersten leitenden Film gebildet, was später noch erläutert wird.

Die Energie elastischer Wellen ist in dem Medium mit niedriger Schallgeschwindigkeit konzentriert. Da in der vorliegenden Ausführungsform der Film mit hoher Schallgeschwindigkeit 4, der Film mit niedriger Schallgeschwindigkeit 5 und der piezoelektrische Film 6 in dieser Reihenfolge laminiert sind, kann die Energie elastischer Wellen in dem Film mit niedriger Schallgeschwindigkeit 5 und dem piezoelektrischen Film 6 eingeschlossen werden. Dementsprechend ist es unwahrscheinlich, dass die Energie elastischer Wellen zur Seite des Trägersubstrats 2 hin entweicht. Dies macht es möglich, den Gütewert zu erhöhen.

Wie in einer in 4 gezeigten Abwandlung zu sehen, kann anstelle eines Films mit hoher Schallgeschwindigkeit ein Substrat mit hoher Schallgeschwindigkeit 54 als das Element mit hoher Schallgeschwindigkeit verwendet werden. Das Substrat mit hoher Schallgeschwindigkeit 54 besteht beispielsweise aus Si oder dergleichen. Das Substrat mit hoher Schallgeschwindigkeit 54 kann auch aus einem anderen Material als Si gebildet werden, solange eine Schallgeschwindigkeit der Volumenwelle, die sich darin ausbreitet, größer ist als die Schallgeschwindigkeit der elastischen Welle in einem Hauptmodus, die sich in dem piezoelektrischen Film 6 ausbreitet. Die Energie elastischer Wellen kann selbst dann in dem Film mit niedriger Schallgeschwindigkeit 5 und dem piezoelektrischen Film 6 eingeschlossen werden, wenn das Substrat mit hoher Schallgeschwindigkeit 54 verwendet wird. Darüber hinaus kann das in 2 gezeigte Trägersubstrat 2 weggelassen werden. Dadurch ist es möglich, die Anzahl von Komponenten zu verringern und die Kosten zu senken. Dadurch kann die Produktivität gesteigert werden. Es ist zu beachten, dass es jedoch bevorzugt ist, den Film mit hoher Schallgeschwindigkeit 4, der aus einem Element besteht, das in der Lage ist, es zu erschweren, dass die Energie elastischer Wellen entweicht, auf dem Trägersubstrat 2 anzuordnen, wie in der vorliegenden Ausführungsform. Damit kann der Gütewert weiter erhöht werden.

Eine Adhäsionsschicht kann zwischen dem Film mit hoher Schallgeschwindigkeit 4 und dem piezoelektrischen Film 6 ausgebildet werden. Durch das Ausbilden der Adhäsionsschicht wird es möglich, das Haftvermögen zwischen dem Film mit hoher Schallgeschwindigkeit 4 und dem piezoelektrischen Film 6 zu erhöhen. Es reicht aus, die Direktkontaktschicht aus Harz oder Metall zu bilden, und es wird beispielsweise ein Epoxidharz, ein Polyimidharz oder dergleichen verwendet.

Im Weiteren wird eine konkretere Konfiguration der Vorrichtung für elastische Wellen 1 mit Bezug auf die 5 und 6 beschrieben.

6 ist eine teilweise geöffnete Draufsicht, die schematisch die Vorrichtung für elastische Wellen gemäß der vorliegenden Ausführungsform veranschaulicht. 5 ist eine teilweise geöffnete Draufsicht, die schematisch einen Zustand veranschaulicht, in dem ein Herstellungsprozess der Vorrichtung für elastische Wellen der Ausführungsform zur Hälfte vollendet ist. Genauer gesagt, ist 5 eine teilweise geöffnete Draufsicht, die schematisch einen Zustand veranschaulicht, in dem der erste leitende Film auf dem piezoelektrischen Film angeordnet wird. Es ist zu beachten, dass 6 eine teilweise geöffnete Draufsicht ist, in der der Schutzfilm weggelassen ist.

In den 5 und 6 sowie in den 7 und 8 und den 10 bis 13, die später noch beschrieben werden, sind die Reihenarmresonatoren, die Parallelarmresonatoren, die IDT-Elektroden und die Reflektoren jeweils durch eine schematische Illustration eines Rechtecks angedeutet, in das zwei diagonale Linien eingezeichnet sind.

Wie in 5 gezeigt, sind die Reihenarmresonatoren S1, S2, S3 und S5 und die Parallelarmresonatoren P2, P3 auf dem piezoelektrischen Film 6 gebildet. Obgleich in 5 nicht gezeigt, werden der Reihenarmresonator S4 und die Parallelarmresonatoren P1, P4, die in 1 gezeigt sind, ebenfalls auf dem piezoelektrischen Film 6 gebildet. Anders ausgedrückt: Auf dem piezoelektrischen Film 6 werden die jeweiligen IDT-Elektroden und Reflektoren der Reihenarmresonatoren S1 bis S5 und der Parallelarmresonatoren P1 bis P4 angeordnet. Die oben angesprochenen IDT-Elektroden und Reflektoren werden jeweils aus dem ersten leitenden Film gebildet, der auf dem piezoelektrischen Film angeordnet ist. In der Ausführungsform wird – in einem Prozess nach dem Anordnen des ersten leitenden Films – ein zweiter leitender Film auf dem piezoelektrischen Film 6 und einem Teil des ersten leitenden Films angeordnet. Eine Konfiguration, in der der zweite leitende Film angeordnet ist, ist in 6 gezeigt.

Wie in 6 gezeigt, sind der Eingangsanschluss 13, ein Erdungsanschluss 15 und eine Verbindungsverdrahtung 17 auf dem piezoelektrischen Film 6 angeordnet. Obgleich nicht veranschaulicht, ist ein Ausgangsanschluss ebenfalls auf dem piezoelektrischen Film 6 angeordnet. Der Eingangsanschluss 13, der Ausgangsanschluss, der Erdungsanschluss 15 und die Verbindungsverdrahtung 17 werden jeweils aus dem zweiten leitenden Film gebildet.

Die Verbindungsverdrahtung 17 verbindet den Reihenarmresonator S1 und den Reihenarmresonator S2. Gleichermaßen verbindet die Verbindungsverdrahtung 17 die Reihenarmresonatoren S1 bis S5, die in 1 gezeigt sind, verbindet die Parallelarmresonatoren P1 bis P4, die in 1 gezeigt sind, und stellt die Verbindung zwischen dem Eingangsanschluss 13 und dem Ausgangsanschluss 14 her, die ebenfalls in 1 gezeigt sind. Die Parallelarmresonatoren P1 bis P4 sind durch die Verbindungsverdrahtung 17 mit dem Erdungsanschluss 15 verbunden. Der Erdungsanschluss 15 ist mit dem Erdungspotenzial verbunden. Auf diese Weise wird die in 1 gezeigte Schaltung konfiguriert.

Die Verbindungsverdrahtung 17 wird aus dem zweiten leitenden Film gebildet und enthält einen Abschnitt, der nicht auf den ersten leitenden Film laminiert ist. Wie in 5 gezeigt, wird auf der Stufe, in der die Reihenarmresonatoren S1, S2, S3 und S5 sowie die Parallelarmresonatoren P2 und P3 auf den piezoelektrischen Film 6 laminiert werden, die in 6 gezeigte Verbindungsverdrahtung 17 nicht ausgebildet. Es ist zu beachten, dass die Verbindungsverdrahtung 17 auch einen anderen Film enthalten kann als den zweiten leitenden Film, solange der erwähnte Film einen Abschnitt enthält, der nicht auf den ersten leitenden Film laminiert wird. Zum Beispiel kann ein Isolierfilm oder dergleichen laminiert werden.

Der zweite leitende Film wird so erweitert, dass er den oberen Abschnitt der ersten und zweiten Sammelschienen 8a2 und 8b2 der IDT-Elektrode 8 des Reihenarmresonators S1 erreicht, wie in 3 gezeigt. Der zweite leitende Film wird gleichermaßen so erweitert, dass er den oberen Abschnitt der Sammelschienen der IDT-Elektrode eines jeden der Reihenarmresonatoren S2 bis S5 und der Parallelarmresonatoren P1 bis P4 erreicht. Dadurch ist es möglich, den elektrischen Widerstand zu verringern. Der zweite leitende Film braucht den oberen Abschnitt der Sammelschienen nicht zu erreichen.

Zum Zeitpunkt des Ausbildens des ersten leitenden Films und des zweiten leitenden Films auf dem piezoelektrischen Film 6 wird ein Metallfilm auf dem piezoelektrischen Film 6 durch ein CVD-Verfahren oder ein Sputterverfahren ausgebildet. Anschließend wird eine Strukturierung auf dem Metallfilm durch ein Fotolithografieverfahren oder dergleichen ausgeführt, wodurch der erste leitende Film erhalten wird. Zu diesem Zeitpunkt werden die IDT-Elektroden und Reflektoren der Reihenarmresonatoren S1 bis S5 und der Parallelarmresonatoren P1 bis P4, die in 1 gezeigt sind, ausgebildet.

Als Nächstes wird eine Resiststruktur auf dem piezoelektrischen Film 6 und dem ersten leitenden Film durch das Fotolithografieverfahren oder dergleichen ausgebildet. Anschließend wird ein Metallfilm auf der gesamten Oberfläche durch das CVD-Verfahren, das Sputterverfahren oder dergleichen ausgebildet. Dann wird eine Strukturierung auf dem Metallfilm durch Entfernen der Resiststruktur ausgeführt, wodurch der zweite leitende Film erhalten wird. Zu diesem Zeitpunkt werden der Eingangsanschluss 13, der Ausgangsanschluss 14, der Erdungsanschluss 15 und die Verbindungsverdrahtung 17 ausgebildet.

Die vorliegende Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindungsverdrahtung 17 auf dem zweiten leitenden Film ausgebildet wird. Damit kann das Generieren von Welligkeiten in dem Durchlassband unwahrscheinlich gemacht werden, was unten noch erläutert wird.

8 ist eine teilweise geöffnete Draufsicht, die schematisch eine Vorrichtung für elastische Wellen eines Vergleichsbeispiels veranschaulicht. 7 ist eine teilweise geöffnete Draufsicht, die schematisch einen Zustand veranschaulicht, in dem ein Herstellungsprozess der Vorrichtung für elastische Wellen des Vergleichsbeispiels zur Hälfte vollendet ist. Genauer gesagt, ist 7 eine teilweise geöffnete Draufsicht, die schematisch einen Zustand veranschaulicht, in dem ein erster leitender Film auf einem piezoelektrischen Film angeordnet ist.

Die Verbindungsverdrahtung 67 einer Vorrichtung für elastische Wellen 61 des Vergleichsbeispiels, wie in 8 gezeigt, ist ein Mehrschichtkörper, in dem der erste leitende Film und ein zweiter leitender Film so laminiert werden, dass sie in Kontakt miteinander stehen. Genauer gesagt, enthält die Verbindungsverdrahtung 67 einen ersten Verdrahtungsabschnitt 67a, der aus dem ersten leitenden Film konfiguriert ist, wie in 7 gezeigt, und einen zweiten Verdrahtungsabschnitt 67b, der aus dem zweiten leitenden Film konfiguriert ist, wie in 8 gezeigt. Mit Ausnahme dieses Punktes ist die Vorrichtung für elastische Wellen 61 des Vergleichsbeispiels ein Kettenfilter, das die gleiche Konfiguration aufweist wie die erste Ausführungsform.

In einer Vorrichtung für elastische Wellen, die einen Mehrschichtkörper enthält, in dem ein Film mit hoher Schallgeschwindigkeit, ein Film mit niedriger Schallgeschwindigkeit und ein piezoelektrischen Film in dieser Reihenfolge laminiert sind, ist der piezoelektrische Film auf dem Film mit niedriger Schallgeschwindigkeit laminiert, der aus einem Isoliermaterial besteht. Darum ist es wahrscheinlich, dass sich in einem Prozess des Ausbildens der Elektroden auf dem piezoelektrischen Film elektrische Ladung an den Elektroden sammelt. Darüber hinaus wird, wie in 7 gezeigt, in dem Vergleichsbeispiel zur selben Zeit, wo die IDT-Elektroden der Reihenarmresonatoren S1, S2, S3 und S5 und der Parallelarmresonatoren P2, P3 ausgebildet werden, ebenfalls der erste Verdrahtungsabschnitt 67a gebildet. Darum ist eine Oberfläche des ersten leitenden Films groß. Dementsprechend ist ein Betrag an elektrischer Ladung, die sich auf dem ersten leitenden Film sammelt, groß. In dem ersten leitenden Film ist eine gegenüberliegende Fläche zwischen einer Endfläche eines vorderen Endes des Elektrodenfingers der IDT-Elektrode und einem gegenüberliegenden Abschnitt mit Bezug auf die oben angesprochene Endfläche besonders klein. Dies bewirkt ein Ansammeln von elektrischer Ladung an dem gegenüberliegenden Abschnitt. Darüber hinaus ist eine Distanz zwischen der Endfläche des vorderen Endes des Elektrodenfingers der IDT-Elektrode und dem gegenüberliegenden Abschnitt mit Bezug auf die Endfläche kurz. Dementsprechend gibt es in dem Vergleichsbeispiel einen Fall, wo ein Spannungsspitzendurchschlag in dem gegenüberliegenden Abschnitt der IDT-Elektrode stattfindet.

Ein Spannungsspitzendurchschlag ist umso wahrscheinlicher, je größer eine Oberfläche einer jeden der gleichzeitig ausgebildeten Elektroden ist. Ferner ist ein Spannungsspitzendurchschlag bei der IDT-Elektrode umso wahrscheinlicher, je kleiner ein Minimumwert der gegenüberliegenden Fläche des gegenüberliegenden Abschnitts ist. Darum ist ein Spannungsspitzendurchschlag bei der IDT-Elektrode umso wahrscheinlicher, je größer ein unten dargelegtes Oberflächenverhältnis ist. (Dicke der IDT-Elektrode und der gleichzeitig mit der IDT-Elektrode ausgebildeten Elektroden × periphere Länge der IDT-Elektrode und der gleichzeitig mit der IDT-Elektrode ausgebildeten Elektroden)/gegenüberliegende Minimumfläche der IDT-Elektrode)

Weil in dem Vergleichsbeispiel das oben angesprochene Oberflächenverhältnis groß ist, kommt es in einigen Fällen zu einem Spannungsspitzendurchschlag in dem gegenüberliegenden Abschnitt der IDT-Elektrode. Aufgrund dessen gibt es einen Fall, wo Welligkeiten in einem Durchlassband der Vorrichtung für elastische Wellen 61 generiert werden. Die Generierungsfrequenz, die Größenordnung oder dergleichen der Welligkeiten variieren wahrscheinlich in dem Vergleichsbeispiel.

Im Gegensatz dazu wird in der vorliegenden Ausführungsform die in 6 gezeigte Verbindungsverdrahtung 17 aus dem zweiten leitenden Film gebildet. Oder anders ausgedrückt: Zum Zeitpunkt des Ausbildens der IDT-Elektrode ist die Verbindungsverdrahtung 17 noch nicht ausgebildet worden. Dadurch ist es möglich, die Oberfläche der IDT-Elektrode und der gleichzeitig mit der IDT-Elektrode ausgebildeten Elektroden zu verkleinern. Darum kann das oben angesprochene Oberflächenverhältnis klein ausgelegt werden. Dementsprechend kann ein Spannungsspitzendurchschlag bei der IDT-Elektrode unwahrscheinlich gemacht werden, und es wird unwahrscheinlicher, dass Welligkeiten in dem Durchlassband generiert werden.

In der vorliegenden Ausführungsform entspricht unter den Endflächen der jeweiligen vorderen Enden der mehreren ersten und zweiten Elektrodenfinger 8a1, 8b1 und der mehreren ersten und zweiten Dummy-Elektroden 8a3 und 8b3, wie in 3 gezeigt, die Minimum-Endfläche der gegenüberliegenden Minimum-Endfläche des oben erwähnten Flächenverhältnisses. In dem Fall, wo die ersten und zweiten Dummy-Elektroden nicht vorhanden sind, entspricht unter den Endflächen der jeweiligen vorderen Enden der mehreren ersten und zweiten Elektrodenfinger die Minimum-Endfläche der gegenüberliegenden Minimumfläche des oben erwähnten Oberflächenverhältnisses.

9 ist ein Kurvendiagramm, das Frequenzkennlinien in einem Durchlassband einer jeden der Vorrichtungen für elastische Wellen der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und dem Vergleichsbeispiel veranschaulicht. Eine durchgezogene Linie zeigt die Frequenzkennlinien der ersten Ausführungsform an, während eine durchbrochene Linie die Frequenzkennlinien des Vergleichsbeispiels anzeigt.

Wie in 9 gezeigt, werden Welligkeiten in dem Durchlassband in dem Vergleichsbeispiel generiert. Andererseits versteht es sich, dass keinerlei Welligkeit in dem Durchlassband in der Ausführungsform generiert wird. Wie oben besprochen, versteht es sich, dass es unwahrscheinlich ist, dass Welligkeiten in dem Durchlassband in der vorliegenden Ausführungsform generiert werden.

In den 5 und 6 ist eine Struktur veranschaulicht, in der die Verbindungsverdrahtung 17, die dafür konfiguriert ist, die Reihenarmresonatoren miteinander zu verbinden oder die Resonatoren mit einem externen Anschluss oder dergleichen verbinden, auf dem zweiten leitenden Film ausgebildet ist, und die einen Abschnitt enthält, der nicht auf den ersten leitenden Film laminiert ist. Es ist zu beachten, dass, wie in 15 gezeigt, erste und zweite Sammelschienen 78a2 und 78b2 einer IDT-Elektrode 78 aus dem zweiten leitenden Film gebildet sein können. Anders ausgedrückt: Die erste Sammelschiene 78a2 ist aus dem zweiten leitenden Film gebildet, und die ersten Elektrodenfinger 78a1 werden jeweils aus dem ersten leitenden Film gebildet. Die erste Sammelschiene 78a2 überlappt einen Endabschnitt eines jeden der ersten Elektrodenfinger 78a1. Damit werden die jeweiligen ersten Elektrodenfinger 78a1 durch die erste Sammelschiene 78a2 verbunden. Gleichermaßen ist die zweite Sammelschiene 78b2 aus dem zweiten leitenden Film gebildet, und zweite Elektrodenfinger 78b1 werden jeweils aus dem ersten leitenden Film gebildet. Die zweite Sammelschiene 78b2 überlappt einen Endabschnitt eines jeden der zweiten Elektrodenfinger 78b1. Die jeweiligen zweiten Elektrodenfinger 78b1 sind durch die zweite Sammelschiene 78b2 verbunden. Indem man die ersten und zweiten Sammelschienen 78a2 und 78b2 so ausbildet, dass diese Sammelschienen Abschnitte enthalten, die nicht auf die ersten und zweiten Elektrodenfinger 78a1 und 78b1 laminiert sind, kann auf diese Weise die Oberfläche des ersten leitenden Films verkleinert werden. Dadurch können die gleichen Effekte wie bei der ersten Ausführungsform realisiert werden.

Es ist zu beachten, dass in 15 erste und zweite Dummy-Elektroden 78a3 und 78b3, die aus dem ersten leitenden Film gebildet sind, ebenfalls vorhanden sind.

Eine zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird mit Bezug auf die 10 und 11 beschrieben.

11 ist eine teilweise geöffnete Draufsicht, die schematisch eine Vorrichtung für elastische Wellen gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. 10 ist eine teilweise geöffnete Draufsicht, die schematisch einen Zustand veranschaulicht, in dem ein Herstellungsprozess der Vorrichtung für elastische Wellen der zweiten Ausführungsform zur Hälfte vollendet ist. Genauer gesagt, ist 10 eine teilweise geöffnete Draufsicht, die schematisch einen Zustand veranschaulicht, in dem ein erster leitender Film auf einem piezoelektrischen Film angeordnet ist.

Eine Vorrichtung für elastische Wellen 21 unterscheidet sich von der Vorrichtung für elastische Wellen der ersten Ausführungsform in dem Punkt, dass sie ein längs gekoppeltes Filter für elastische Wellen vom Resonatortyp ist. Die zweite Ausführungsform hat die gleiche Konfiguration wie die erste Ausführungsform mit Ausnahme des oben angesprochenen Punktes.

Wie in 10 gezeigt, sind IDT-Elektroden 28A bis 28E, Reflektoren 29 und eine erste Erdungsverdrahtung 25a auf einem piezoelektrischen Film 6 angeordnet. Die IDT-Elektroden 28A bis 28E, die Reflektoren 29 und die erste Erdungsverdrahtung 25a sind jeweils aus einem ersten leitenden Film gebildet, der auf dem piezoelektrischen Film 6 angeordnet ist.

Die IDT-Elektroden 28A bis 28E sind in der Oberflächenschallwellenausbreitungsrichtung der IDT-Elektroden 28A bis 28E angeordnet. Die IDT-Elektroden 28A bis 28E enthalten jeweils erste Endabschnitte 28Aa bis 28Ea und zweite Endabschnitte 28Ab bis 28Eb. Die ersten Endabschnitte 28Aa bis 28Ea und die zweiten Endabschnitte 28Ab bis 28Eb liegen einander gegenüber. Die Reflektoren 29 sind auf beiden Seiten in der Oberflächenschallwellenausbreitungsrichtung der IDT-Elektroden 28A bis 28E angeordnet. Die Vorrichtung für elastische Wellen 21 ist ein längs gekoppeltes Filter für elastische Wellen vom Resonatortyp, das die IDT-Elektroden 28A bis 28E und die Reflektoren 29 enthält.

Die erste Erdungsverdrahtung 25a ist elektrisch mit einem Erdungspotenzial verbunden. Die erste Erdungsverdrahtung 25a enthält einen Abschnitt, der mit den Reflektoren 29 und den zweiten Endabschnitten 28Ab, 28Cb und 28Eb der IDT-Elektroden 28A, 28C und 28E verbunden ist. Die erste Erdungsverdrahtung 25a stellt keinerlei Verbindung zwischen den IDT-Elektroden her.

Wie in der ersten Ausführungsform, wird in einem Prozess nach dem Ausbilden des ersten leitenden Films ein zweiter leitender Film angeordnet. 11 veranschaulicht eine Konfiguration, in der der zweite leitende Film vorhanden ist.

Wie in 11 gezeigt, wird eine zweite Erdungsverdrahtung 25b, die aus dem zweiten leitenden Film besteht, auf der ersten Erdungsverdrahtung 25a und dem piezoelektrischen Film 6 angeordnet. Die zweite Erdungsverdrahtung 25b ist mit der ersten Erdungsverdrahtung 25a verbunden. Die erste Erdungsverdrahtung 25a und die zweite Erdungsverdrahtung 25b haben jeweils einen Abschnitt, der mit dem Erdungspotenzial verbunden ist. Damit sind die erste Erdungsverdrahtung 25a und die zweite Erdungsverdrahtung 25b elektrisch mit dem Erdungspotenzial verbunden.

Die ersten Endabschnitte 28Ba und 28Da der IDT-Elektroden 28B und 28D sind mit der zweiten Erdungsverdrahtung 25b verbunden. Außerdem wird in dieser Ausführungsform – wie in der ersten Ausführungsform – der zweite leitende Film so erweitert, dass sie die Sammelschienen der jeweiligen IDT-Elektroden erreichen.

Ein Isolierfilm 22 ist auf den piezoelektrischen Film 6 und die erste Erdungsverdrahtung 25a laminiert. Eine warmseitige Verdrahtung 24a, die aus dem zweiten leitenden Film gebildet ist, ist auf dem piezoelektrischen Film 6 und dem Isolierfilm 22 angeordnet. Die warmseitige Verdrahtung 24a ist mit den ersten Endabschnitten 28Aa, 28Ca und 28Ea der IDT-Elektroden 28A, 28C und 28E verbunden. Die warmseitige Verdrahtung ist ebenfalls mit den zweiten Endabschnitten 28Bb und 28Db der IDT-Elektroden 28B und 28D verbunden. Die warmseitige Verdrahtung, mit der die IDT-Elektrode 28B und die IDT-Elektrode 28D verbunden sind, ist ebenfalls eine Verbindungsverdrahtung 27, die die IDT-Elektrode 28B und die IDT-Elektrode 28D verbindet. Das heißt, die Verbindungsverdrahtung 27 wird aus dem zweiten leitenden Film gebildet.

Wie in 11 gezeigt, sind die warmseitige Verdrahtung 24a und die Verbindungsverdrahtung 27 an einer Position angeordnet, welche die erste Erdungsverdrahtung 25a überlappt, wobei der Isolierfilm 22 in einer Draufsicht dazwischen angeordnet ist. Anders ausgedrückt: Es wird eine dreidimensionale Verdrahtung konfiguriert, in der die warmseitige Verdrahtung 24a sowie die Verbindungsverdrahtung 27 und die erste Erdungsverdrahtung 25a laminiert sind, wobei der Isolierfilm 22 dazwischen angeordnet ist. Damit kann eine Fläche, die benötigt wird, um die ersten und zweiten Erdungsverdrahtungen 25a und 25b, die warmseitige Verdrahtung 24a und die Verbindungsverdrahtung 27 bereitzustellen, verkleinert werden, wodurch es möglich wird, die Miniaturisierung zu erzielen.

Es reicht aus, dass der Isolierfilm 22 mindestens an einer Position angeordnet ist, wo die erste Erdungsverdrahtung 25a und die warmseitige Verdrahtung 24a (sowie die Verbindungsverdrahtung 27) einander in einer Draufsicht überlappen.

Die Verbindungsverdrahtung 27 wird aus dem zweiten leitenden Film gebildet und enthält einen Abschnitt, der nicht auf den ersten leitenden Film laminiert ist. Wie in 10 gezeigt, wird unter den IDT-Elektroden 28A bis 28E keine der IDT-Elektroden durch den ersten leitenden Film miteinander verbunden. Dadurch ist es möglich, die Oberfläche des ersten leitenden Films zu verringern. Oder anders ausgedrückt: Die Oberfläche der IDT-Elektrode und der gleichzeitig mit der IDT-Elektrode ausgebildeten Elektroden, die in dem Oberflächenverhältnis beschrieben sind, kann verkleinert werden. Dementsprechend kann ein Spannungsspitzendurchschlag bei der IDT-Elektrode unwahrscheinlich gemacht werden, und es wird unwahrscheinlicher, dass Welligkeiten in dem Durchlassband generiert werden.

In der vorliegenden Ausführungsform, wie oben besprochen, ist die erste Erdungsverdrahtung 25a so ausgebildet, dass sie die dreidimensionale Verdrahtung konfiguriert und die Miniaturisierung erzielt. Es ist zu beachten, dass die erste Erdungsverdrahtung 25a weggelassen werden kann. Dies macht es möglich, die Oberfläche des ersten leitenden Films weiter zu verkleinern. Infolge dessen kann ein Spannungsspitzendurchschlag bei der IDT-Elektrode unwahrscheinlicher gemacht werden, und es wird unwahrscheinlicher, dass Welligkeiten in dem Durchlassband generiert werden.

Eine dritte Ausführungsform der vorliegenden Ausführungsform wird mit Bezug auf die 12 und 13 beschrieben.

13 ist eine teilweise geöffnete Draufsicht, die schematisch eine Vorrichtung für elastische Wellen gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. 12 ist eine teilweise geöffnete Draufsicht, die schematisch einen Zustand veranschaulicht, in dem ein Herstellungsprozess der Vorrichtung für elastische Wellen der dritten Ausführungsform zur Hälfte vollendet ist. Genauer gesagt, ist 12 eine teilweise geöffnete Draufsicht, die schematisch einen Zustand veranschaulicht, in dem ein erster leitender Film auf einem piezoelektrischen Film angeordnet ist.

Eine Vorrichtung für elastische Wellen 31 unterscheidet sich von der Vorrichtung für elastische Wellen der zweiten Ausführungsform in dem Punkt, dass die Verbindungsverdrahtung 37 einen Abschnitt enthält, der aus dem ersten leitenden Film gebildet ist, ein längs gekoppeltes Filter für elastische Wellen vom Resonatortyp neun IDT-Elektroden enthält, und eine Elektrodenstruktur eine andere ist, weil die neun IDT-Elektroden enthalten sind. Die dritte Ausführungsform hat die gleiche Konfiguration wie die zweite Ausführungsform, mit Ausnahme der oben angesprochenen Punkte.

Wie in 12 gezeigt, sind IDT-Elektroden 38A bis 38I, Reflektoren 39 und eine erste Erdungsverdrahtung 35a auf einem piezoelektrischen Film 6 angeordnet. Die IDT-Elektroden 38A bis 38I, die Reflektoren 39 und die erste Erdungsverdrahtung 35a werden jeweils aus dem ersten leitenden Film gebildet, der auf dem piezoelektrischen Film 6 angeordnet ist.

Die IDT-Elektroden 38A bis 38I sind in der Oberflächenschallwellenausbreitungsrichtung der IDT-Elektroden 38A bis 38I angeordnet. Die IDT-Elektroden 38A bis 38I enthalten jeweils erste Endabschnitte 38Aa bis 38Ia und zweite Endabschnitte 38Ab bis 38Ib. Die ersten Endabschnitte 38Aa bis 38Ia und die zweiten Endabschnitte 38Ab bis 38Ib liegen einander gegenüber. Die Reflektoren 39 sind auf beiden Seiten in der Oberflächenschallwellenausbreitungsrichtung der IDT-Elektroden 38A bis 38I angeordnet. Die Vorrichtung für elastische Wellen 31 ist ein längs gekoppeltes Filter für elastische Wellen vom Resonatortyp, das die IDT-Elektroden 38A bis 38I und die Reflektoren 39 enthält.

Die erste Erdungsverdrahtung 35a ist elektrisch mit einem Erdungspotenzial verbunden. Die erste Erdungsverdrahtung 35a enthält einen Abschnitt, der mit den Reflektoren 39 und den zweiten Endabschnitten 38Ab, 38Cb, 38Eb, 38Gb und 38Ib der IDT-Elektroden 38A, 38C, 38E, 38G und 38I verbunden ist. Die erste Erdungsverdrahtung 35a enthält außerdem einen Abschnitt, der die IDT-Elektroden 38C, 38E und 38G verbindet. Der Abschnitt der ersten Erdungsverdrahtung 35a, der die IDT-Elektroden 38C, 38E und 38G verbindet, ist ebenfalls ein erster Verdrahtungsabschnitt 37a der Verbindungsverdrahtung, was später noch erläutert wird.

Wie in der zweiten Ausführungsform, wird in einem Prozess nach dem Ausbilden des ersten leitenden Films ein zweiter leitender Film ausgebildet. 13 veranschaulicht eine Konfiguration, in der der zweite leitende Film ausgebildet wird.

Wie in 13 gezeigt, wird eine zweite Erdungsverdrahtung 35b, die aus dem zweiten leitenden Film gebildet wird, auf der ersten Erdungsverdrahtung 35a und dem piezoelektrischen Film 6 angeordnet. Die zweite Erdungsverdrahtung 35b ist mit der ersten Erdungsverdrahtung 35a verbunden. Die zweite Erdungsverdrahtung 35b enthält einen Abschnitt, der mit dem Erdungspotenzial zu verbinden ist. Damit können die ersten und zweiten Erdungsverdrahtungen 35a und 35b elektrisch mit dem Erdungspotenzial verbunden werden.

Die ersten Endabschnitte 38Ba, 38Da, 38Fa und 38Ha der IDT-Elektroden 38B, 38D, 38F und 38H sind mit der zweiten Erdungsverdrahtung 35b verbunden. Ferner wird in dieser Ausführungsform, wie in der zweiten Ausführungsform, der zweite leitende Film so erweitert, dass er die Sammelschienen der jeweiligen IDT-Elektroden erreicht.

Ein Isolierfilm 32 ist auf den piezoelektrischen Film 6 und die erste Erdungsverdrahtung 35a laminiert. Eine warmseitige Verdrahtung 34a und eine warmseitige Verdrahtung 34b, die aus dem zweiten leitenden Film gebildet werden, sind auf dem piezoelektrischen Film 6 und dem Isolierfilm 32 angeordnet. Die warmseitige Verdrahtung 34a ist mit den ersten Endabschnitten 38Aa, 38Ca, 38Ea, 38Ga und 38Ia der IDT-Elektroden 38A, 38C, 38E, 38G und 38I verbunden. Die warmseitige Verdrahtung 34b ist mit den zweiten Endabschnitten 38Bb, 38Db, 38Fb und 38Hb der IDT-Elektroden 38B, 38D, 38F und 38H verbunden.

Die warmseitige Verdrahtung 34b ist ebenfalls die Verbindungsverdrahtung 37, die die IDT-Elektroden 38B, 38D, 38F und 38H verbindet. Genauer gesagt, enthält in der vorliegenden Ausführungsform die Verbindungsverdrahtung 37 den ersten Verdrahtungsabschnitt 37a, der aus dem ersten leitenden Film gebildet ist, und einen zweiten Verdrahtungsabschnitt 37b, der aus dem zweiten leitenden Film gebildet ist. Die Verbindungsverdrahtung 37 enthält einen Abschnitt in dem zweiten Verdrahtungsabschnitt 37b, der nicht auf den ersten leitenden Film laminiert ist. Die IDT-Elektroden 38B, 38D, 38F und 38H sind durch den zweiten Verdrahtungsabschnitt 37b der Verbindungsverdrahtung 37 verbunden. Wie in 12 gezeigt, sind die IDT-Elektroden 38C, 38E und 38G durch den ersten Verdrahtungsabschnitt 37a verbunden.

Wie in 13 gezeigt, ist der Isolierfilm 32 auf den ersten Verdrahtungsabschnitt 37a laminiert, und der zweite Verdrahtungsabschnitt 37b ist auf den Isolierfilm 32 laminiert. Die warmseitige Verdrahtung 34a ist an einer Position angeordnet, die die erste Erdungsverdrahtung 35a überlappt, die nicht direkt mit den IDT-Elektroden 38C, 38E und 38G verbunden ist, während der Isolierfilm 32 in einer Draufsicht dazwischen angeordnet ist. Damit kann, wie in der zweiten Ausführungsform, eine Fläche, die benötigt wird, um die ersten und zweiten Erdungsverdrahtungen 35a, 35b und die warmseitigen Verdrahtungen 34a, 34b verkleinert werden. Dies macht es möglich, die Miniaturisierung zu erzielen.

Die IDT-Elektroden 38B, 38D, 38F und 38H sind durch den zweiten Verdrahtungsabschnitt 37b der Verbindungsverdrahtung 37 verbunden. Wie in 12 gezeigt, wird kein Abschnitt des ersten leitenden Films zum Verbinden der IDT-Elektroden 38B, 38D, 38F und 38H ausgebildet. Auf diese Weise kann selbst dann die Oberfläche des ersten leitenden Films verkleinert werden, wenn die Verbindungsverdrahtung 37 den ersten Verdrahtungsabschnitt 37a enthält. Darum kann es unwahrscheinlich gemacht werden, dass ein Spannungsspitzendurchschlag bei der IDT-Elektrode auftritt, und es ist unwahrscheinlich, dass Welligkeiten in dem Durchlassband generiert werden.

14 ist ein Schaltbild einer Vorrichtung für elastische Wellen gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

Eine Vorrichtung für elastische Wellen 40 der vierten Ausführungsform ist ein Duplexer, der ein erstes Bandpassfilter 41a und ein zweites Bandpassfilter 41b, dessen Durchlassband von dem des ersten Bandpassfilters 41a verschieden ist, enthält. Die vierte Ausführungsform hat die gleiche Konfiguration wie die erste Ausführungsform, mit Ausnahme des oben angesprochenen Punktes.

Die Vorrichtung für elastische Wellen 40 enthält einen Antennenanschluss 44a, der auf einem piezoelektrischen Film angeordnet ist, einen Eingangsanschluss 13 und einen Ausgangsanschluss 44b. Der Antennenanschluss 44a ist mit einer Antenne verbunden. Der Antennenanschluss 44a hat eine Eingangsanschlussfunktion und eine Ausgangsanschlussfunktion. Ein von dem Eingangsanschluss 13 eingegebenes Signal wird von dem Antennenanschluss 44a ausgegeben. Ein von dem Antennenanschluss 44a eingegebenes Signal wird von dem Ausgangsanschluss 44b ausgegeben. Ein Induktor L zur Impedanzanpassung ist zwischen dem Antennenanschluss 44a und einem Erdungspotenzial verbunden.

Das erste Bandpassfilter 41a ist ein Kettenfilter. Zwischen dem Eingangsanschluss 13 und dem Antennenanschluss 44a sind Reihenarmresonatoren S1 bis S5 miteinander in Reihe geschaltet. Mit Ausnahme des oben angesprochenen Punktes ist das erste Bandpassfilter 41a ein Kettenfilter, das die gleiche Konfiguration aufweist wie die Vorrichtung für elastische Wellen 1 der ersten Ausführungsform.

Das zweite Bandpassfilter 41b enthält ein längs gekoppeltes Filter für elastische Wellen vom Resonatortyp 41b1 und Resonatoren 46a zu 46d zur Einstellung der Kennlinien. Das längs gekoppelte Filter für elastische Wellen vom Resonatortyp 41b1 hat die gleiche Konfiguration wie die Vorrichtung für elastische Wellen 21 der zweiten Ausführungsform. Zwischen dem Antennenanschluss 44a und dem längs gekoppelten Filter für elastische Wellen vom Resonatortyp 41b1 sind die Resonatoren 46a und 46b miteinander in Reihe geschaltet. Der Resonator 46c ist zwischen dem Erdungspotenzial und einem Verbindungspunkt zwischen den Resonatoren 46a, 46b verbunden. Der Resonator 46d ist zwischen einem Ausgangsende des längs gekoppelten Filters für elastische Wellen vom Resonatortyp 41b1 und dem Erdungspotenzial verbunden.

Die vorliegende Ausführungsform kann ebenfalls die gleichen Effekte realisieren wie die erste und zweite Ausführungsform. Es ist zu beachten, dass sowohl das erste als auch das zweite Bandpassfilter Kettenfilter oder längs gekoppelte Filter für elastische Wellen vom Resonatortyp sein können.

Bezugszeichenliste

1
Vorrichtung für elastische Wellen
2
Trägersubstrat
3
Bondungsfilm
4
Film mit hoher Schallgeschwindigkeit
5
Film mit niedriger Schallgeschwindigkeit
6
Piezoelektrischer Film
7
Mehrschichtkörper
8
IDT-Elektrode
8a1, 8b1
Erster Elektrodenfinger, zweiter Elektrodenfinger
8a2, 8b2
Erste Sammelschiene, zweite Sammelschiene
8a3, 8b3
erste Dummy-Elektrode, zweite Dummy-Elektrode
9
Reflektor
12
Schutzfilm
13
Eingangsanschluss
14
Ausgangsanschluss
15
Erdungsanschluss
17
Verbindungsverdrahtung
21
Vorrichtung für elastische Wellen
22
Isolierfilm
24a
Warmseitige Verdrahtung
25a, 25b
Erste Erdungsverdrahtung, zweite Erdungsverdrahtung
27
Verbindungsverdrahtung
27a, 27b
Erste Verbindungsverdrahtung, zweite Verbindungsverdrahtung
28A–28E
IDT-Elektrode
28Aa–28Ea
Erster Endabschnitt
28Ab–28Eb
Zweiter Endabschnitt
29
Reflektor
31
Vorrichtung für elastische Wellen
32
Isolierfilm
34a, 34b
Warmseitige Verdrahtung
35a, 35b
Erste Erdungsverdrahtung, zweite Erdungsverdrahtung
37
Verbindungsverdrahtung
37a, 37b
Erster Verdrahtungsabschnitt, zweiter Verdrahtungsabschnitt
38A–38I
IDT-Elektrode
38Aa–38Ia
Erster Endabschnitt
38Ab–38Ib
Zweiter Endabschnitt
39
Reflektor
40
Vorrichtung für elastische Wellen
41a, 41b
Erstes Bandpassfilter, zweites Bandpassfilter
41b1
Längs gekoppeltes Filter für elastische Wellen vom Resonatortyp
44a
Antennenanschluss
44b
Ausgangsanschluss
46a–46d
Resonator
54
Substrat mit hoher Schallgeschwindigkeit
61
Vorrichtung für elastische Wellen
67
Verbindungsverdrahtung
67a, 67b
Erster Verdrahtungsabschnitt, zweiter Verdrahtungsabschnitt
78
IDT-Elektrode
78a1, 78b1
Erster Elektrodenfinger, zweiter Elektrodenfinger
78a2, 78b2
Erste Sammelschiene, zweite Sammelschiene
78a3, 78b3
Erste Dummy-Elektrode, zweite Dummy-Elektrode
L
Induktor
S1–S5
Reihenarmresonator
P1–P4
Parallelarmresonator