Title:
Licht emittierende Vorrichtung
Kind Code:
T5
Abstract:

Eine Licht emittierende Vorrichtung beinhaltet einen streifenförmigen Bereich mit hoher Flexibilität und einen streifenförmigen Bereich mit geringer Flexibilität, welche abwechselnd in einer Richtung angeordnet sind. Der Bereich mit hoher Flexibilität beinhaltet ein flexibles, Licht emittierendes Feld. Der Bereich mit geringer Flexibilität beinhaltet das Licht emittierende Feld und ein Trägerteil, das eine geringere Flexibilität aufweist als das Licht emittierende Feld und das Licht emittierende Feld überlappt. Es ist vorzuziehen, dass das Licht emittierende Feld eine externe Verbindungselektrode beinhaltet und dass die in der Richtung gemessene Länge eines Bereichs A mit geringer Flexibilität, der die externe Verbindungselektrode überlappt, länger ist als die in der Richtung gemessene Länge eines Bereichs B mit geringer Flexibilität, der am nächsten an dem Bereich A ist.



Inventors:
Hirakata, Yoshiharu (Kanagawa-ken, Atsugi-shi, JP)
Endo, Akio (Kanagawa-ken, Atsugi-shi, JP)
Application Number:
DE112014003233T
Publication Date:
04/21/2016
Filing Date:
06/27/2014
Assignee:
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. (Kanagawa-ken, Atsugi-shi, JP)
Attorney, Agent or Firm:
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB, 80802, München, DE
Claims:
1. Licht emittierende Vorrichtung, die umfasst:
ein flexibles, Licht emittierendes Feld,
wobei das flexible Licht emittierende Feld eine erste Oberfläche auf einer Seite des flexiblen Licht emittierenden Feldes und eine zweite Oberfläche auf der anderen Seite des flexiblen Licht emittierenden Feldes beinhaltet, und
wobei das flexible Licht emittierende Feld derart faltbar ist, dass ein erster Abschnitt der ersten Oberfläche und ein zweiter Abschnitt der ersten Oberfläche einander zugewandt sind und dass ein erster Abschnitt der zweiten Oberfläche und ein zweiter Abschnitt der zweiten Oberfläche einander zugewandt sind.

2. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei das flexible Licht emittierende Feld beinhaltet:
einen ersten Licht emittierenden Abschnitt;
einen zweiten Licht emittierenden Abschnitt;
einen dritten Licht emittierenden Abschnitt zwischen dem ersten Licht emittierenden Abschnitt und dem zweiten Licht emittierenden Abschnitt;
einen ersten biegsamen Abschnitt zwischen dem ersten Licht emittierenden Abschnitt und dem dritten Licht emittierenden Abschnitt; und
einen zweiten biegsamen Abschnitt zwischen dem dritten Licht emittierenden Abschnitt und dem zweiten Licht emittierenden Abschnitt.

3. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 2,
wobei der erste biegsame Abschnitt Licht emittieren kann, und
wobei der zweite biegsame Abschnitt Licht emittieren kann.

4. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei ein Kantenbereich des dritten Licht emittierenden Abschnitts von einem Träger gehalten wird.

5. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1,
wobei es sich bei der ersten Oberfläche des flexiblen Licht emittierenden Feldes um eine Licht emittierende Oberfläche handelt, und
wobei es sich bei der zweiten Oberfläche des flexiblen Licht emittierenden Feldes um keine Licht emittierende Oberfläche handelt.

6. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei dann, wenn das flexible Licht emittierende Feld derart gefaltet wird, dass zwischen einem ersten Ende des flexiblen Licht emittierenden Feldes und einem ersten gebogenen Abschnitt des flexiblen Licht emittierenden Feldes der erste Abschnitt der ersten Oberfläche und der zweite Abschnitt der ersten Oberfläche einander zugewandt sind und dass zwischen einem zweiten Ende des flexiblen Licht emittierenden Feldes und einem zweiten gebogenen Abschnitt des flexiblen Licht emittierenden Feldes der erste Abschnitt der zweiten Oberfläche und der zweite Abschnitt der zweiten Oberfläche einander zugewandt sind, der Zwischenabstand zwischen dem ersten Abschnitt der ersten Oberfläche und dem zweiten Abschnitt der ersten Oberfläche in einer Position, die näher an dem ersten gebogenen Abschnitt ist als an dem ersten Ende, groß ist, im Vergleich zu einer Position, die näher an dem ersten Ende ist als an dem ersten gebogenen Abschnitt.

7. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1,
wobei dann, wenn das flexible Licht emittierende Feld derart gefaltet wird, dass zwischen einem ersten Ende des flexiblen Licht emittierenden Feldes und einem ersten gebogenen Abschnitt des flexiblen Licht emittierenden Feldes der erste Abschnitt der ersten Oberfläche und der zweite Abschnitt der ersten Oberfläche einander zugewandt sind und dass zwischen einem zweiten Ende des flexiblen Licht emittierenden Feldes und einem zweiten gebogenen Abschnitt des flexiblen Licht emittierenden Feldes der erste Abschnitt der zweiten Oberfläche und der zweite Abschnitt der zweiten Oberfläche einander zugewandt sind, der kürzeste Abstand zwischen dem ersten Abschnitt der ersten Oberfläche und dem ersten Abschnitt der zweiten Oberfläche kleiner ist als die Summe der Dicke des flexiblen Licht emittierenden Feldes und des Doppelten der Summe der Krümmungsradien des flexiblen Licht emittierenden Feldes in dem ersten gebogenen Abschnitt und dem zweiten gebogenen Abschnitt, und
wobei der erste Abschnitt der ersten Oberfläche zwischen dem ersten Ende und dem ersten gebogenen Abschnitt und der erste Abschnitt der zweiten Oberfläche zwischen dem zweiten Ende und dem zweiten gebogenen Abschnitt positioniert sind.

8. Licht emittierende Vorrichtung, die umfasst:
einen ersten streifenförmigen Bereich mit hoher Flexibilität, einen ersten streifenförmigen Bereich mit geringer Flexibilität und einen zweiten streifenförmigen Bereich mit hoher Flexibilität, welche in dieser Reihenfolge in einer Richtung angeordnet sind,
wobei der erste streifenförmige Bereich mit hoher Flexibilität einen ersten Teil eines flexiblen Licht emittierenden Feldes beinhaltet,
wobei der erste streifenförmige Bereich mit geringer Flexibilität einen zweiten Teil des flexiblen Licht emittierenden Feldes und ein Trägerteil beinhaltet, das eine geringere Flexibilität aufweist als der zweite Teil des flexiblen Licht emittierenden Feldes und den zweiten Teil des flexiblen Licht emittierenden Feldes überlappt,
wobei der zweite streifenförmige Bereich mit hoher Flexibilität einen dritten Teil des flexiblen Licht emittierenden Feldes beinhaltet, und
wobei die Flexibilität des ersten streifenförmigen Bereichs mit geringer Flexibilität geringer ist als die Flexibilität des ersten streifenförmigen Bereichs mit hoher Flexibilität und die Flexibilität des zweiten streifenförmigen Bereichs mit hoher Flexibilität.

9. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 8, die ferner eine Schutzschicht umfasst, die eine höhere Flexibilität aufweist als das Trägerteil,
wobei der erste streifenförmige Bereich mit hoher Flexibilität einen ersten Teil der Schutzschicht beinhaltet, der den ersten Teil des flexiblen Licht emittierenden Feldes überlappt,
wobei der erste streifenförmige Bereich mit geringer Flexibilität einen zweiten Teil der Schutzschicht beinhaltet, der den zweiten Teil des flexiblen Licht emittierenden Feldes überlappt, und
wobei der zweite streifenförmige Bereich mit hoher Flexibilität einen dritten Teil der Schutzschicht beinhaltet, der den dritten Teil des flexiblen Licht emittierenden Feldes überlappt.

10. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 8,
wobei das flexible Licht emittierende Feld eine erste Oberfläche auf einer Seite des flexiblen Licht emittierenden Feldes und eine zweite Oberfläche auf der anderen Seite des flexiblen Licht emittierenden Feldes beinhaltet, und
wobei dann, wenn das flexible Licht emittierende Feld derart gefaltet wird, dass zwischen einem ersten Ende des flexiblen Licht emittierenden Feldes und einem ersten gebogenen Abschnitt des flexiblen Licht emittierenden Feldes ein erster Abschnitt der ersten Oberfläche und ein zweiter Abschnitt der ersten Oberfläche einander zugewandt sind und dass zwischen einem zweiten Ende des flexiblen Licht emittierenden Feldes und einem zweiten gebogenen Abschnitt des flexiblen Licht emittierenden Feldes ein erster Abschnitt der zweiten Oberfläche und ein zweiter Abschnitt der zweiten Oberfläche einander zugewandt sind, der Zwischenabstand zwischen dem ersten Abschnitt der ersten Oberfläche und dem zweiten Abschnitt der ersten Oberfläche in einer Position, die näher an dem ersten gebogenen Abschnitt ist als an dem ersten Ende, groß ist, im Vergleich zu einer Position, die näher an dem ersten Ende ist als an dem ersten gebogenen Abschnitt.

11. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 8,
wobei das flexible Licht emittierende Feld eine erste Oberfläche auf einer Seite des flexiblen Licht emittierenden Feldes und eine zweite Oberfläche auf der anderen Seite des flexiblen Licht emittierenden Feldes beinhaltet,
wobei dann, wenn das flexible Licht emittierende Feld derart gefaltet wird, dass zwischen einem ersten Ende des flexiblen Licht emittierenden Feldes und einem ersten gebogenen Abschnitt des flexiblen Licht emittierenden Feldes ein erster Abschnitt der ersten Oberfläche und ein zweiter Abschnitt der ersten Oberfläche einander zugewandt sind und dass zwischen einem zweiten Ende des flexiblen Licht emittierenden Feldes und einem zweiten gebogenen Abschnitt des flexiblen Licht emittierenden Feldes ein erster Abschnitt der zweiten Oberfläche und ein zweiter Abschnitt der zweiten Oberfläche einander zugewandt sind, der kürzeste Abstand zwischen dem ersten Abschnitt der ersten Oberfläche und dem ersten Abschnitt der zweiten Oberfläche kleiner ist als die Summe der Dicke des flexiblen Licht emittierenden Feldes und des Doppelten der Summe der Krümmungsradien des flexiblen Licht emittierenden Feldes in dem ersten gebogenen Abschnitt und dem zweiten gebogenen Abschnitt, und
wobei der erste Abschnitt der ersten Oberfläche zwischen dem ersten Ende und dem ersten gebogenen Abschnitt und der erste Abschnitt der zweiten Oberfläche zwischen dem zweiten Ende und dem zweiten gebogenen Abschnitt positioniert sind.

12. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 8, die ferner umfasst:
einen zweiten streifenförmigen Bereich mit geringer Flexibilität, der dem ersten streifenförmigen Bereich mit geringer Flexibilität benachbart ist, wobei der zweite streifenförmige Bereich mit hoher Flexibilität dazwischen liegt,
wobei das flexible Licht emittierende Feld eine externe Verbindungselektrode umfasst,
wobei der zweite streifenförmige Bereich mit geringer Flexibilität die externe Verbindungselektrode überlappt,
wobei eine Länge in der Richtung des zweiten streifenförmigen Bereichs mit geringer Flexibilität länger ist als eine Länge in der Richtung des ersten streifenförmigen Bereichs mit geringer Flexibilität, und
wobei die Flexibilität des zweiten streifenförmigen Bereichs mit geringer Flexibilität geringer ist als die Flexibilität des ersten streifenförmigen Bereichs mit hoher Flexibilität und die Flexibilität des zweiten streifenförmigen Bereichs mit hoher Flexibilität.

13. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 12, die ferner umfasst:
einen dritten streifenförmigen Bereich mit geringer Flexibilität, der dem ersten streifenförmigen Bereich mit geringer Flexibilität benachbart ist, wobei der erste streifenförmige Bereich mit hoher Flexibilität dazwischen liegt,
wobei die in der Richtung gemessene Länge des zweiten streifenförmigen Bereichs mit geringer Flexibilität länger ist als die in der Richtung gemessene Länge des dritten streifenförmigen Bereichs mit geringer Flexibilität, und
wobei die Flexibilität des dritten streifenförmigen Bereichs mit geringer Flexibilität geringer ist als die Flexibilität des ersten streifenförmigen Bereichs mit hoher Flexibilität und die Flexibilität des zweiten streifenförmigen Bereichs mit hoher Flexibilität.

14. Licht emittierende Vorrichtung, die umfasst:
einen ersten streifenförmigen Bereich mit hoher Flexibilität, einen ersten streifenförmigen Bereich mit geringer Flexibilität und einen zweiten streifenförmigen Bereich mit hoher Flexibilität, welche in dieser Reihenfolge in einer Richtung angeordnet sind,
wobei der erste streifenförmige Bereich mit hoher Flexibilität einen ersten Teil eines flexiblen Licht emittierenden Feldes beinhaltet, und
wobei der erste streifenförmige Bereich mit geringer Flexibilität einen zweiten Teil des flexiblen Licht emittierenden Feldes und ein Trägerteil beinhaltet, das eine geringere Flexibilität aufweist als der zweite Teil des flexiblen Licht emittierenden Feldes, wobei der zweite Teil des flexiblen Licht emittierenden Feldes von dem Trägerteil gehalten wird,
wobei der zweite streifenförmige Bereich mit hoher Flexibilität einen dritten Teil des flexiblen Licht emittierenden Feldes beinhaltet, und
wobei die Flexibilität des ersten streifenförmigen Bereichs mit geringer Flexibilität geringer ist als die Flexibilität des ersten streifenförmigen Bereichs mit hoher Flexibilität und die Flexibilität des zweiten streifenförmigen Bereichs mit hoher Flexibilität.

15. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 14, die ferner ein Paar von Schutzschichten umfasst,
wobei das Paar von Schutzschichten eine höhere Flexibilität aufweist als das Trägerteil, und
wobei in dem ersten streifenförmigen Bereich mit geringer Flexibilität das Paar von Schutzschichten zwischen dem Trägerteil und dem flexiblen Licht emittierenden Feld und das flexible Licht emittierende Feld zwischen dem Paar von Schutzschichten platziert sind.

16. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 14,
wobei das flexible Licht emittierende Feld eine erste Oberfläche auf einer Seite des flexiblen Licht emittierenden Feldes und eine zweite Oberfläche auf der anderen Seite des flexiblen Licht emittierenden Feldes beinhaltet, und
wobei dann, wenn das flexible Licht emittierende Feld derart gefaltet wird, dass zwischen einem ersten Ende des flexiblen Licht emittierenden Feldes und einem ersten gebogenen Abschnitt des flexiblen Licht emittierenden Feldes ein erster Abschnitt der ersten Oberfläche und ein zweiter Abschnitt der ersten Oberfläche einander zugewandt sind und dass zwischen einem zweiten Ende des flexiblen Licht emittierenden Feldes und einem zweiten gebogenen Abschnitt des flexiblen Licht emittierenden Feldes ein erster Abschnitt der zweiten Oberfläche und ein zweiter Abschnitt der zweiten Oberfläche einander zugewandt sind, der Zwischenabstand zwischen dem ersten Abschnitt der ersten Oberfläche und dem zweiten Abschnitt der ersten Oberfläche in einer Position, die näher an dem ersten gebogenen Abschnitt ist als an dem ersten Ende, groß ist, im Vergleich zu einer Position, die näher an dem ersten Ende ist als an dem ersten gebogenen Abschnitt.

17. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 14,
wobei das flexible Licht emittierende Feld eine erste Oberfläche auf einer Seite des flexiblen Licht emittierenden Feldes und eine zweite Oberfläche auf der anderen Seite des flexiblen Licht emittierenden Feldes beinhaltet,
wobei dann, wenn das flexible Licht emittierende Feld derart gefaltet wird, dass zwischen einem ersten Ende des flexiblen Licht emittierenden Feldes und einem ersten gebogenen Abschnitt des flexiblen Licht emittierenden Feldes ein erster Abschnitt der ersten Oberfläche und ein zweiter Abschnitt der ersten Oberfläche einander zugewandt sind und dass zwischen einem zweiten Ende des flexiblen Licht emittierenden Feldes und einem zweiten gebogenen Abschnitt des flexiblen Licht emittierenden Feldes ein erster Abschnitt der zweiten Oberfläche und ein zweiter Abschnitt der zweiten Oberfläche einander zugewandt sind, der kürzeste Abstand zwischen dem ersten Abschnitt der ersten Oberfläche und dem ersten Abschnitt der zweiten Oberfläche kleiner ist als die Summe der Dicke des flexiblen Licht emittierenden Feldes und des Doppelten der Summe der Krümmungsradien des flexiblen Licht emittierenden Feldes in dem ersten gebogenen Abschnitt und dem zweiten gebogenen Abschnitt, und
wobei der erste Abschnitt der ersten Oberfläche zwischen dem ersten Ende und dem ersten gebogenen Abschnitt und der erste Abschnitt der zweiten Oberfläche zwischen dem zweiten Ende und dem zweiten gebogenen Abschnitt positioniert sind.

18. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 14, die ferner umfasst:
einen zweiten streifenförmigen Bereich mit geringer Flexibilität, der dem ersten streifenförmigen Bereich mit geringer Flexibilität benachbart ist, wobei der zweite streifenförmige Bereich mit hoher Flexibilität dazwischen liegt,
wobei das flexible Licht emittierende Feld eine externe Verbindungselektrode umfasst,
wobei der zweite streifenförmige Bereich mit geringer Flexibilität die externe Verbindungselektrode überlappt,
wobei die in der Richtung gemessene Länge des zweiten streifenförmigen Bereichs mit geringer Flexibilität länger ist als die in der Richtung gemessene Länge des ersten streifenförmigen Bereichs mit geringer Flexibilität, und
wobei die Flexibilität des zweiten streifenförmigen Bereichs mit geringer Flexibilität geringer ist als die Flexibilität des ersten streifenförmigen Bereichs mit hoher Flexibilität und die Flexibilität des zweiten streifenförmigen Bereichs mit hoher Flexibilität.

19. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 18, die ferner umfasst:
einen dritten streifenförmigen Bereich mit geringer Flexibilität, der dem ersten streifenförmigen Bereich mit geringer Flexibilität benachbart ist, wobei der erste streifenförmige Bereich mit hoher Flexibilität dazwischen liegt,
wobei die in der Richtung gemessene Länge des zweiten streifenförmigen Bereichs mit geringer Flexibilität länger ist als die in der Richtung gemessene Länge des dritten streifenförmigen Bereichs mit geringer Flexibilität, und
wobei die Flexibilität des dritten streifenförmigen Bereichs mit geringer Flexibilität geringer ist als die Flexibilität des ersten streifenförmigen Bereichs mit hoher Flexibilität und die Flexibilität des zweiten streifenförmigen Bereichs mit hoher Flexibilität.

20. Licht emittierende Vorrichtung, die umfasst:
einen ersten streifenförmigen Bereich mit hoher Flexibilität, einen ersten streifenförmigen Bereich mit geringer Flexibilität und einen zweiten streifenförmigen Bereich mit hoher Flexibilität, welche in dieser Reihenfolge in einer Richtung angeordnet sind,
wobei der erste streifenförmige Bereich mit hoher Flexibilität einen ersten Teil eines flexiblen Licht emittierenden Feldes beinhaltet,
wobei der erste streifenförmige Bereich mit geringer Flexibilität ein Paar von Trägerteilen und einen zweiten Teil des flexiblen Licht emittierenden Feldes zwischen dem Paar von Trägerteilen beinhaltet, wobei das Paar von Trägerteilen eine geringere Flexibilität aufweist als das flexible Licht emittierende Feld,
wobei der zweite streifenförmige Bereich mit hoher Flexibilität einen dritten Teil des flexiblen Licht emittierenden Feldes beinhaltet, und
wobei die Flexibilität des ersten streifenförmigen Bereichs mit geringer Flexibilität geringer ist als die Flexibilität des ersten streifenförmigen Bereichs mit hoher Flexibilität und die Flexibilität des zweiten streifenförmigen Bereichs mit hoher Flexibilität.

21. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 20, die ferner ein Paar von Schutzschichten umfasst,
wobei das Paar von Schutzschichten eine höhere Flexibilität aufweist als das Paar von Trägerteilen, und
wobei in dem ersten streifenförmigen Bereich mit geringer Flexibilität das Paar von Schutzschichten zwischen dem Paar von Trägerteilen und das flexible Licht emittierende Feld zwischen dem Paar von Schutzschichten platziert sind.

22. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 20,
wobei das flexible Licht emittierende Feld eine erste Oberfläche auf einer Seite des flexiblen Licht emittierenden Feldes und eine zweite Oberfläche auf der anderen Seite des flexiblen Licht emittierenden Feldes beinhaltet, und
wobei dann, wenn das flexible Licht emittierende Feld derart gefaltet wird, dass zwischen einem ersten Ende des flexiblen Licht emittierenden Feldes und einem ersten gebogenen Abschnitt des flexiblen Licht emittierenden Feldes ein erster Abschnitt der ersten Oberfläche und ein zweiter Abschnitt der ersten Oberfläche einander zugewandt sind und dass zwischen einem zweiten Ende des flexiblen Licht emittierenden Feldes und einem zweiten gebogenen Abschnitt des flexiblen Licht emittierenden Feldes ein erster Abschnitt der zweiten Oberfläche und ein zweiter Abschnitt der zweiten Oberfläche einander zugewandt sind, der Zwischenabstand zwischen dem ersten Abschnitt der ersten Oberfläche und dem zweiten Abschnitt der ersten Oberfläche in einer Position, die näher an dem ersten gebogenen Abschnitt ist als an dem ersten Ende, groß ist, im Vergleich zu einer Position, die näher an dem ersten Ende ist als an dem ersten gebogenen Abschnitt.

23. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 20,
wobei das flexible Licht emittierende Feld eine erste Oberfläche auf einer Seite des flexiblen Licht emittierenden Feldes und eine zweite Oberfläche auf der anderen Seite des flexiblen Licht emittierenden Feldes beinhaltet,
wobei dann, wenn das flexible Licht emittierende Feld derart gefaltet wird, dass zwischen einem ersten Ende des flexiblen Licht emittierenden Feldes und einem ersten gebogenen Abschnitt des flexiblen Licht emittierenden Feldes ein erster Abschnitt der ersten Oberfläche und ein zweiter Abschnitt der ersten Oberfläche einander zugewandt sind und dass zwischen einem zweiten Ende des flexiblen Licht emittierenden Feldes und einem zweiten gebogenen Abschnitt des flexiblen Licht emittierenden Feldes ein erster Abschnitt der zweiten Oberfläche und ein zweiter Abschnitt der zweiten Oberfläche einander zugewandt sind, der kürzeste Abstand zwischen dem ersten Abschnitt der ersten Oberfläche und dem ersten Abschnitt der zweiten Oberfläche kleiner ist als die Summe der Dicke des flexiblen Licht emittierenden Feldes und des Doppelten der Summe der Krümmungsradien des flexiblen Licht emittierenden Feldes in dem ersten gebogenen Abschnitt und dem zweiten gebogenen Abschnitt, und
wobei der erste Abschnitt der ersten Oberfläche zwischen dem ersten Ende und dem ersten gebogenen Abschnitt und der erste Abschnitt der zweiten Oberfläche zwischen dem zweiten Ende und dem zweiten gebogenen Abschnitt positioniert sind.

24. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 20, die ferner umfasst:
einen zweiten streifenförmigen Bereich mit geringer Flexibilität, der dem ersten streifenförmigen Bereich mit geringer Flexibilität benachbart ist, wobei der zweite streifenförmige Bereich mit hoher Flexibilität dazwischen liegt,
wobei das flexible Licht emittierende Feld eine externe Verbindungselektrode umfasst,
wobei der zweite streifenförmige Bereich mit geringer Flexibilität die externe Verbindungselektrode überlappt,
wobei die in der Richtung gemessene Länge des zweiten streifenförmigen Bereichs mit geringer Flexibilität länger ist als die in der Richtung gemessene Länge des ersten streifenförmigen Bereichs mit geringer Flexibilität, und
wobei die Flexibilität des zweiten streifenförmigen Bereichs mit geringer Flexibilität geringer ist als die Flexibilität des ersten streifenförmigen Bereichs mit hoher Flexibilität und die Flexibilität des zweiten streifenförmigen Bereichs mit hoher Flexibilität.

25. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 24, die ferner umfasst:
einen dritten streifenförmigen Bereich mit geringer Flexibilität, der dem ersten streifenförmigen Bereich mit geringer Flexibilität benachbart ist, wobei der erste streifenförmige Bereich mit hoher Flexibilität dazwischen liegt,
wobei die in der Richtung gemessene Länge des zweiten streifenförmigen Bereichs mit geringer Flexibilität länger ist als die in der Richtung gemessene Länge des dritten streifenförmigen Bereichs mit geringer Flexibilität, und
wobei die Flexibilität des dritten streifenförmigen Bereichs mit geringer Flexibilität geringer ist als die Flexibilität des ersten streifenförmigen Bereichs mit hoher Flexibilität und die Flexibilität des zweiten streifenförmigen Bereichs mit hoher Flexibilität.

Description:
Technisches Gebiet

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Licht emittierende Vorrichtung, eine Anzeigevorrichtung, eine elektronische Vorrichtung, eine Beleuchtungsvorrichtung oder ein Herstellungsverfahren dafür. Im Besonderen betrifft die vorliegende Erfindung eine Licht emittierende Vorrichtung, eine Anzeigevorrichtung, eine elektronische Vorrichtung oder eine Beleuchtungsvorrichtung, welche Elektrolumineszenz (EL) nützt, oder ein Herstellungsverfahren dafür.

Stand der Technik

Es wird erwartet, dass neueste Licht emittierende Vorrichtungen und Anzeigevorrichtungen in verschiedener Weise eingesetzt werden und sich verbreiten.

Beispielsweise ist es erforderlich, dass Licht emittierende Vorrichtungen und Anzeigevorrichtungen für tragbare Vorrichtungen und dergleichen dünn und leicht sind und mit geringerer Wahrscheinlichkeit beschädigt werden.

Licht emittierende Elemente, die EL nützen (auch als EL-Elemente bezeichnet), haben Vorteile, nämlich eine leichte Verringerung der Dicke und des Gewichts, eine schnelle Antwort auf ein Eingangssignal sowie Betrieb mit einer Gleichstrom-Niederspannungsquelle; deshalb ist der Einsatz der Licht emittierenden Elemente für Licht emittierende Vorrichtungen und Anzeigevorrichtungen vorgeschlagen worden.

Beispielsweise offenbart Patentdokument 1 eine flexible Licht emittierende Aktivmatrix-Vorrichtung, bei der ein organisches EL-Element und ein Transistor, der als Schaltelement dient, über einem Foliensubstrat bereitgestellt sind.

[Referenz][Patentdokument]

  • Patentdokument 1: Japanische Patentoffenlegungsschrift Nr.2003-174153

Offenbarung der Erfindung

Beispielsweise kann eine Anzeigevorrichtung, deren Größe zur besseren Tragbarkeit verringert ist und deswegen einen kleinen Anzeigebereich aufweist, weniger Informationen auf einem Bildschirm anzeigen und ist weniger übersichtlich.

Eine Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, eine leicht tragbare Licht emittierende Vorrichtung, Anzeigevorrichtung, elektronische Vorrichtung oder Beleuchtungsvorrichtung bereitzustellen. Eine weitere Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, eine sehr übersichtliche Licht emittierende Vorrichtung, Anzeigevorrichtung oder elektronische Vorrichtung bereitzustellen. Eine weitere Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, eine leicht tragbare und sehr übersichtliche Licht emittierende Vorrichtung, Anzeigevorrichtung oder elektronische Vorrichtung bereitzustellen.

Eine Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, eine neuartige Licht emittierende Vorrichtung, Anzeigevorrichtung, elektronische Vorrichtung oder Beleuchtungsvorrichtung bereitzustellen. Eine weitere Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, eine leichte Licht emittierende Vorrichtung, Anzeigevorrichtung, elektronische Vorrichtung oder Beleuchtungsvorrichtung bereitzustellen. Eine weitere Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, eine hochzuverlässige Licht emittierende Vorrichtung, Anzeigevorrichtung, elektronische Vorrichtung oder Beleuchtungsvorrichtung bereitzustellen. Eine weitere Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, eine Licht emittierende Vorrichtung, Anzeigevorrichtung, elektronische Vorrichtung oder Beleuchtungsvorrichtung, welche mit geringerer Wahrscheinlichkeit beschädigt wird, bereitzustellen. Eine weitere Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, eine dünne Licht emittierende Vorrichtung, Anzeigevorrichtung, elektronische Vorrichtung oder Beleuchtungsvorrichtung bereitzustellen. Eine weitere Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, eine flexible Licht emittierende Vorrichtung, Anzeigevorrichtung, elektronische Vorrichtung oder Beleuchtungsvorrichtung bereitzustellen. Eine weitere Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, eine Licht emittierende Vorrichtung oder Beleuchtungsvorrichtung, welche einen nahtlosen großen Licht emittierenden Bereich aufweist, oder eine Anzeigevorrichtung oder elektronische Vorrichtung, welche einen nahtlosen großen Anzeigebereich aufweist, bereitzustellen. Eine weitere Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, eine Licht emittierende Vorrichtung, Anzeigevorrichtung, elektronische Vorrichtung oder Beleuchtungsvorrichtung mit niedrigem Stromverbrauch bereitzustellen.

Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist es unnötig, alle Aufgaben zu erfüllen.

Eine Licht emittierende Vorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beinhaltet einen streifenförmigen Bereich mit hoher Flexibilität und einen streifenförmigen Bereich mit geringer Flexibilität, welche abwechselnd angeordnet sind. Die Licht emittierende Vorrichtung kann gefaltet werden, indem der Bereich mit hoher Flexibilität gebogen wird. Eine Licht emittierende Vorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist im gefalteten Zustand leicht tragbar, und sie ist im geöffneten Zustand sehr übersichtlich, weil sie einen nahtlosen großen Licht emittierenden Bereich aufweist. Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann die Tragbarkeit einer Vorrichtung erhöht werden, ohne dass die Größe eines Licht emittierenden Bereichs oder eines Anzeigebereichs reduziert wird.

Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist insbesondere eine Licht emittierende Vorrichtung, die ein flexibles, Licht emittierendes Feld und eine Vielzahl von Trägerteilen beinhaltet, die voneinander getrennt sind und das Licht emittierende Feld tragen. Das Trägerteil weist eine geringere Flexibilität auf als das Licht emittierende Feld.

Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist eine Licht emittierende Vorrichtung, die einen streifenförmigen Bereich mit hoher Flexibilität und einen streifenförmigen Bereich mit geringer Flexibilität beinhaltet, welche abwechselnd in einer ersten Richtung angeordnet sind. Der Bereich mit hoher Flexibilität beinhaltet ein flexibles, Licht emittierendes Feld. Der Bereich mit geringer Flexibilität beinhaltet das Licht emittierende Feld und ein Trägerteil, das eine geringere Flexibilität aufweist als das Licht emittierende Feld und das Licht emittierende Feld überlappt.

Es ist vorzuziehen, dass die vorstehende Licht emittierende Vorrichtung ferner eine Schutzschicht, die eine höhere Flexibilität aufweist als das Trägerteil, beinhaltet und dass der Bereich mit hoher Flexibilität und der Bereich mit geringer Flexibilität das Licht emittierende Feld und die Schutzschicht, die das Licht emittierende Feld überlappt, beinhalten.

Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist eine Licht emittierende Vorrichtung, die einen streifenförmigen Bereich mit hoher Flexibilität und einen streifenförmigen Bereich mit geringer Flexibilität beinhaltet, welche abwechselnd in einer ersten Richtung angeordnet sind. Der Bereich mit hoher Flexibilität beinhaltet ein flexibles, Licht emittierendes Feld. Der Bereich mit geringer Flexibilität beinhaltet ein Trägerteil, das eine geringere Flexibilität aufweist als das Licht emittierende Feld, und das Licht emittierende Feld, das von dem Trägerteil gehalten wird.

Es ist vorzuziehen, dass die vorstehende Licht emittierende Vorrichtung ferner ein Paar von Schutzschichten beinhaltet und dass die Schutzschicht eine höhere Flexibilität aufweist als das Trägerteil. Es ist auch vorzuziehen, dass in dem Bereich mit geringer Flexibilität das Paar von Schutzschichten von dem Trägerteil gehalten wird und dass das Licht emittierende Feld zwischen dem Paar von Schutzschichten platziert ist.

Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist eine Licht emittierende Vorrichtung, die einen streifenförmigen Bereich mit hoher Flexibilität und einen streifenförmigen Bereich mit geringer Flexibilität beinhaltet, welche abwechselnd in einer ersten Richtung angeordnet sind. Der Bereich mit hoher Flexibilität beinhaltet ein flexibles, Licht emittierendes Feld. Der Bereich mit geringer Flexibilität beinhaltet ein Paar von Trägerteilen und das Licht emittierende Feld zwischen dem Paar von Trägerteilen. Das Trägerteil weist eine geringere Flexibilität auf als das Licht emittierende Feld.

Es ist vorzuziehen, dass die vorstehende Licht emittierende Vorrichtung ferner ein Paar von Schutzschichten beinhaltet und dass die Schutzschicht eine höhere Flexibilität aufweist als das Trägerteil. Es ist auch vorzuziehen, dass in dem Bereich mit geringer Flexibilität das Paar von Schutzschichten zwischen dem Paar von Trägerteilen und das Licht emittierende Feld zwischen dem Paar von Schutzschichten platziert sind.

Bei jeder der vorstehenden Licht emittierenden Vorrichtungen ist das Folgende vorzuziehen: Wenn einer von zwei benachbarten Bereichen mit hoher Flexibilität nach innen und der andere nach außen gebogen werden, überlappen ein Kreis, dessen Radius dem Krümmungsradius des Licht emittierenden Feldes in dem einen Bereich mit hoher Flexibilität entspricht, und ein Kreis, dessen Radius dem Krümmungsradius des Licht emittierenden Feldes in dem anderen Bereich mit hoher Flexibilität entspricht, einander, indem sie in einer Richtung parallel zu einer Trägerfläche der Licht emittierenden Vorrichtung bewegt werden.

Es sei angemerkt, dass in dieser Beschreibung mit „nach innen gebogen” eine Biegung gemeint ist, bei der eine Licht emittierende Oberfläche eines Licht emittierenden Feldes nach innen zeigt, und mit „nach außen gebogen” eine Biegung gemeint ist, bei der eine Licht emittierende Oberfläche eines Licht emittierenden Feldes nach außen zeigt. Eine Licht emittierende Oberfläche eines Licht emittierenden Feldes oder einer Licht emittierenden Vorrichtung bezieht sich auf eine Oberfläche, durch die Licht, das von einem Licht emittierenden Element emittiert wird, extrahiert wird.

Bei jeder der vorstehenden Licht emittierenden Vorrichtungen ist das Folgende vorzuziehen: Wenn eine Vielzahl von Bereichen mit hoher Flexibilität abwechselnd nach innen und nach außen gebogen wird, erfüllt der kürzeste Abstand L zwischen einer Oberfläche des Licht emittierenden Feldes, die am nächsten an einer Trägerfläche der Licht emittierenden Vorrichtung ist, und einer Oberfläche des Licht emittierenden Feldes, die am weitesten entfernt von der Trägerfläche ist, L < 2(D + T). Dabei repräsentiert D die Summe der Krümmungsradien des Licht emittierenden Feldes in der Vielzahl von Bereichen mit hoher Flexibilität, und T repräsentiert die Dicke des Licht emittierenden Feldes.

Bei jeder der vorstehenden Licht emittierenden Vorrichtungen ist vorzuziehen, dass das Licht emittierende Feld eine externe Verbindungselektrode beinhaltet und dass die in der ersten Richtung gemessene Länge eines Bereichs A mit geringer Flexibilität, der die externe Verbindungselektrode überlappt, länger ist als die in der ersten Richtung gemessene Länge eines Bereichs B mit geringer Flexibilität, der am nächsten an dem Bereich A ist.

Bei der vorstehenden Licht emittierenden Vorrichtung ist vorzuziehen, dass unter dem Bereich A, dem Bereich B und einem Bereich C mit geringer Flexibilität, der am weitesten entfernt von dem Bereich A ist, die in der ersten Richtung gemessene Länge des Bereichs A am längsten ist und die in der ersten Richtung gemessene Länge des Bereichs C am zweitlängsten ist.

Bei den vorstehenden Licht emittierenden Vorrichtungen ist vorzuziehen, dass unter einer Vielzahl von Bereichen mit geringer Flexibilität die in der ersten Richtung gemessene Länge des Bereichs A am längsten ist.

Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung umfassen auch eine elektronische Vorrichtung, die die vorstehende Licht emittierende Vorrichtung beinhaltet, und eine Beleuchtungsvorrichtung, die die vorstehende Licht emittierende Vorrichtung beinhaltet. Außerdem fungiert in einigen Fällen die vorstehende Licht emittierende Vorrichtung selbst als elektronische Vorrichtung oder als Beleuchtungsvorrichtung.

Es sei angemerkt, dass die Kategorie der Licht emittierenden Vorrichtung in dieser Beschreibung eine Anzeigevorrichtung, bei der ein Licht emittierendes Element verwendet wird, umfasst. Des Weiteren umfasst die Kategorie der Licht emittierenden Vorrichtung in dieser Beschreibung ein Modul, bei dem ein Licht emittierendes Element mit einem Verbinder, wie z. B. einem anisotropen leitenden Film oder einem TOP (Tape Carrier Package), versehen ist, ein Modul mit einem TOP, dessen Ende mit einer gedruckten Leiterplatte versehen ist, und ein Modul, bei dem ein IC (integrated circuit bzw. integrierter Schaltkreis) durch ein COG-(Chip-on-Glass-)Verfahren direkt auf einem Licht emittierenden Element montiert ist. Darüber hinaus umfasst die Kategorie eine Licht emittierende Vorrichtung, die bei einer Beleuchtungseinrichtung oder dergleichen verwendet wird.

Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine leicht tragbare Licht emittierende Vorrichtung, Anzeigevorrichtung, elektronische Vorrichtung oder Beleuchtungsvorrichtung bereitgestellt werden. Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine sehr übersichtliche Licht emittierende Vorrichtung, Anzeigevorrichtung oder elektronische Vorrichtung bereitgestellt werden. Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine leicht tragbare und sehr übersichtliche Licht emittierende Vorrichtung, Anzeigevorrichtung oder elektronische Vorrichtung bereitgestellt werden.

Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine neuartige Licht emittierende Vorrichtung, Anzeigevorrichtung, elektronische Vorrichtung oder Beleuchtungsvorrichtung bereitgestellt werden. Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine leichte Licht emittierende Vorrichtung, Anzeigevorrichtung, elektronische Vorrichtung oder Beleuchtungsvorrichtung bereitgestellt werden. Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine hochzuverlässige Licht emittierende Vorrichtung, Anzeigevorrichtung, elektronische Vorrichtung oder Beleuchtungsvorrichtung bereitgestellt werden. Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine Licht emittierende Vorrichtung, Anzeigevorrichtung, elektronische Vorrichtung oder Beleuchtungsvorrichtung, welche mit geringerer Wahrscheinlichkeit beschädigt wird, bereitgestellt werden. Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine dünne Licht emittierende Vorrichtung, Anzeigevorrichtung, elektronische Vorrichtung oder Beleuchtungsvorrichtung bereitgestellt werden. Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine flexible Licht emittierende Vorrichtung, Anzeigevorrichtung, elektronische Vorrichtung oder Beleuchtungsvorrichtung bereitgestellt werden. Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine Licht emittierende Vorrichtung oder Beleuchtungsvorrichtung, welche einen nahtlosen großen Licht emittierenden Bereich aufweist, oder eine Anzeigevorrichtung oder elektronische Vorrichtung, welche einen nahtlosen großen Anzeigebereich aufweist, bereitgestellt werden. Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine Licht emittierende Vorrichtung, Anzeigevorrichtung, elektronische Vorrichtung oder Beleuchtungsvorrichtung mit niedrigem Stromverbrauch bereitgestellt werden.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

1A bis 1C stellen eine Licht emittierende Vorrichtung dar.

2 stellt eine Licht emittierende Vorrichtung dar.

3A bis 3F stellen Licht emittierende Vorrichtungen dar.

4A bis 4D stellen Licht emittierende Vorrichtungen dar.

5A bis 5D stellen Licht emittierende Vorrichtungen dar.

6A und 6B stellen Licht emittierende Vorrichtungen dar.

7A und 7B stellen ein Licht emittierendes Feld dar.

8A und 8B stellen jeweils ein Licht emittierendes Feld dar.

9A und 9B stellen jeweils ein Licht emittierendes Feld dar.

10A und 10B stellen jeweils ein Licht emittierendes Feld dar.

11A bis 11C stellen ein Verfahren zum Herstellen eines Licht emittierenden Feldes dar.

12A bis 12C stellen ein Verfahren zum Herstellen eines Licht emittierenden Feldes dar.

13 stellt ein Licht emittierendes Feld dar.

14A bis 14C stellen eine Licht emittierende Vorrichtung dar.

15 stellt eine Licht emittierende Vorrichtung dar.

16A bis 16F stellen Licht emittierende Vorrichtungen dar.

17A und 17B stellen Licht emittierende Vorrichtungen dar.

18A und 18B stellen ein Licht emittierendes Feld dar.

19A bis 19D zeigen eine Licht emittierende Vorrichtung.

20A bis 20C stellen eine Licht emittierende Vorrichtung dar.

21A bis 21C stellen eine Licht emittierende Vorrichtung dar.

22 stellt eine Licht emittierende Vorrichtung dar.

Beste Art der Ausführung der Erfindung

Ausführungsformen werden unter Bezugnahme auf die Zeichnungen detailliert beschrieben. Es sei angemerkt, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die folgende Beschreibung beschränkt ist, und es erschließt sich einem Fachmann ohne Weiteres, dass verschiedene Änderungen und Modifikationen durchgeführt werden können, ohne vom Gedanken und Schutzbereich der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Dementsprechend soll die vorliegende Erfindung nicht als auf die Beschreibung der nachstehenden Ausführungsformen beschränkt angesehen werden.

Es sei angemerkt, dass bei den Strukturen der im Folgenden beschriebenen Erfindung gleiche Teile oder Teile mit ähnlichen Funktionen in unterschiedlichen Zeichnungen mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet sind und dass die Beschreibung dieser Teile nicht wiederholt wird. Zudem wird gleiche Schraffur für Teile mit ähnlichen Funktionen verwendet, und in einigen Fällen sind diese Teile nicht gesondert mit Bezugszeichen gekennzeichnet.

Außerdem ist in einigen Fällen die Position, die Größe, der Bereich oder dergleichen jeder in Zeichnungen und dergleichen gezeigten Struktur zum leichten Verständnis nicht genau dargestellt. Die offenbarte Erfindung ist daher nicht notwendigerweise auf die Position, die Größe, den Bereich oder dergleichen beschränkt, welche in den Zeichnungen und dergleichen offenbart sind.

(Ausführungsform 1)

Bei dieser Ausführungsform werden Licht emittierende Vorrichtungen nach Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben.

Eine Licht emittierende Vorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beinhaltet einen streifenförmigen Bereich mit hoher Flexibilität und einen streifenförmigen Bereich mit geringer Flexibilität, welche abwechselnd angeordnet sind. Die Licht emittierende Vorrichtung kann gefaltet werden, indem der Bereich mit hoher Flexibilität gebogen wird. Eine Licht emittierende Vorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist im gefalteten Zustand leicht tragbar, und sie ist im geöffneten Zustand sehr übersichtlich, weil sie einen nahtlosen großen Licht emittierenden Bereich aufweist.

Bei der Licht emittierenden Vorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann der Bereich mit hoher Flexibilität sowohl nach innen als auch nach außen gebogen werden.

Wenn die Licht emittierende Vorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung nicht verwendet wird, kann sie derart gefaltet werden, dass eine Licht emittierende Oberfläche eines Licht emittierenden Feldes nach innen zeigt, wodurch verhindert werden kann, dass die Licht emittierende Oberfläche beschädigt oder verschmutzt wird.

Wenn die Licht emittierende Vorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird, kann sie geöffnet werden, so dass der gesamte nahtlose große Licht emittierende Bereich verwendet wird, oder sie kann derart gefaltet werden, dass die Licht emittierende Oberfläche des Licht emittierenden Feldes nach außen zeigt, damit der Licht emittierende Bereich teilweise verwendet werden kann. Indem die Licht emittierende Vorrichtung gefaltet wird und ein Teil des Licht emittierenden Bereichs, der vor einem Benutzer verborgen wird, in einen Zustand eines kein Licht emittierenden Bereiches versetzt wird, kann der Stromverbrauch der Licht emittierenden Vorrichtung verringert werden.

Im Folgenden wird beispielhaft eine Licht emittierende Vorrichtung beschrieben, die in drei Teile gefaltet werden kann und zwei streifenförmige Bereiche mit hoher Flexibilität und drei streifenförmige Bereiche mit geringer Flexibilität beinhaltet.

1A stellt die Licht emittierende Vorrichtung dar, die geöffnet ist. 1B stellt die Licht emittierende Vorrichtung beim Öffnen oder Falten dar. 1C stellt die Licht emittierende Vorrichtung dar, die gefaltet ist. 2 ist eine perspektivische Darstellung der Bestandteile der Licht emittierenden Vorrichtung. 3A ist eine Draufsicht auf die Licht emittierende Oberflächenseite der Licht emittierenden Vorrichtung, und 3B ist eine Draufsicht auf die der Licht emittierenden Oberflächenseite entgegengesetzte Seite der Licht emittierenden Vorrichtung. 3C, 3D und 3F sind Beispiele für eine Seitenansicht der Licht emittierenden Vorrichtung in 3A, die in Pfeilrichtung betrachtet wird. 3E ist eine Querschnittsansicht entlang der Strichpunktlinie A–B in 3A. 4A, 4C und 4D sind Beispiele für eine Seitenansicht der Licht emittierenden Vorrichtung in 1C, die in Pfeilrichtung betrachtet wird.

14A, 14B und 14C zeigen Varianten von 1A, 1B bzw. 1C. 14A stellt die Licht emittierende Vorrichtung dar, die geöffnet ist. 14B stellt die Licht emittierende Vorrichtung beim Öffnen oder Falten dar. 14C stellt die Licht emittierende Vorrichtung dar, die gefaltet ist. 15 ist eine perspektivische Darstellung der Bestandteile der Licht emittierenden Vorrichtung. 16A ist eine Draufsicht auf die Licht emittierende Oberflächenseite der Licht emittierenden Vorrichtung, und 16B ist eine Draufsicht auf die der Licht emittierenden Oberflächenseite entgegengesetzte Seite der Licht emittierenden Vorrichtung. 16C und 16D sind Beispiele für eine Seitenansicht der Licht emittierenden Vorrichtung in 16A, die in Pfeilrichtung betrachtet wird. 16E ist eine Querschnittsansicht entlang der Strichpunktlinie A–B in 16A. 16F zeigt eine Variante der Licht emittierenden Vorrichtung, die in 16C und dergleichen gezeigt ist.

Die Licht emittierende Vorrichtung in 1A bis 1C und die Licht emittierende Vorrichtung in 14A bis 14C beinhalten jeweils ein flexibles, Licht emittierendes Feld 11, eine Vielzahl von Trägerteilen 15a und eine Vielzahl von Trägerteilen 15b. Die Trägerteile 15a und 15b weisen jeweils eine geringere Flexibilität auf als das Licht emittierende Feld 11. Die Vielzahl von Trägerteilen 15a sind voneinander getrennt. Die Vielzahl von Trägerteilen 15b sind voneinander getrennt.

Die Licht emittierende Vorrichtung beinhaltet, wie in 3A gezeigt, Bereiche E1 mit hoher Flexibilität und Bereiche E2 mit geringer Flexibilität, welche abwechselnd angeordnet sind. Bei dem Bereich mit hoher Flexibilität und dem Bereich mit geringer Flexibilität handelt es sich um streifenförmige Bereiche (sie bilden Streifen). Bei dieser Ausführungsform sind eine Vielzahl von Bereichen mit hoher Flexibilität und eine Vielzahl von Bereichen mit geringer Flexibilität parallel zueinander; jedoch sind die Bereiche nicht notwendigerweise parallel zueinander angeordnet.

Der Bereich E1 mit hoher Flexibilität in der Licht emittierenden Vorrichtung beinhaltet mindestens ein flexibles, Licht emittierendes Feld. Ein Licht emittierendes Feld, bei dem organische EL-Elemente verwendet werden, wird besonders bevorzugt, weil es nicht nur hohe Flexibilität und Stoßbeständigkeit aufweist, sondern auch dünner und leichter werden kann. Beispiele für eine Struktur eines Licht emittierenden Feldes werden bei den Ausführungsformen 2 und 3 detailliert.

Der Bereich E2 mit geringer Flexibilität in der Licht emittierenden Vorrichtung beinhaltet mindestens ein flexibles, Licht emittierendes Feld und ein Trägerteil, das eine geringere Flexibilität aufweist als das Licht emittierende Feld und das Licht emittierende Feld überlappt.

Die Licht emittierende Vorrichtung beinhaltet, wie in 16A gezeigt, einen Bereich mit hoher Flexibilität und einen Bereich mit geringer Flexibilität, welche abwechselnd in einer Richtung angeordnet sind.

In 16A repräsentieren W1 bis W3 die Längen der Bereiche mit geringer Flexibilität in der Richtung, in der der Bereich mit hoher Flexibilität und der Bereich mit geringer Flexibilität angeordnet sind.

Zusätzlich beinhaltet der Bereich mit geringer Flexibilität vorzugsweise eine externe Verbindungselektrode des Licht emittierenden Feldes. Dabei entspricht die externe Verbindungselektrode beispielsweise einer leitenden Schicht 157 in 7B.

In 16A beinhaltet der Bereich mit geringer Flexibilität, der die Länge W1 aufweist, die externe Verbindungselektrode. Bei der Licht emittierenden Vorrichtung ist die Länge W1 eines Bereichs A mit geringer Flexibilität, der die externe Verbindungselektrode überlappt, länger als die Länge W3 eines Bereichs B mit geringer Flexibilität, der näher an dem Bereich A ist.

Wäre dabei bei der Licht emittierenden Vorrichtung im gefalteten Zustand ein Endabschnitt (auch als gefalteter Abschnitt oder dergleichen bezeichnet) des Licht emittierenden Feldes 11 weiter außen positioniert als Endabschnitte der Trägerteile 15a und 15b, so würde in einigen Fällen das Licht emittierende Feld 11 beschädigt, oder ein Element, das in dem Licht emittierenden Feld 11 enthalten ist, würde defekt werden.

Bei der Licht emittierenden Vorrichtung im gefalteten Zustand in 1C ist der Endabschnitt des Licht emittierenden Feldes 11 auf die Endabschnitte der Trägerteile 15a und 15b über und unter dem Licht emittierenden Feld 11 ausgerichtet. Diese Struktur kann Schäden an dem Licht emittierenden Feld 11, einen Bruch eines Elementes, das in dem Licht emittierenden Feld 11 enthalten ist, und dergleichen verhindern.

Außerdem ist bei der Licht emittierenden Vorrichtung im gefalteten Zustand in 14C der Endabschnitt des Licht emittierenden Feldes 11 weiter innen positioniert als die Endabschnitte der Trägerteile 15a und 15b. Diese Struktur kann Schäden an dem Licht emittierenden Feld 11, einen Bruch eines Elementes, das in dem Licht emittierenden Feld 11 enthalten ist, und dergleichen weiter verhindern.

Folglich ist bei der Licht emittierenden Vorrichtung vorzugsweise die Länge W1 des Bereichs A mit geringer Flexibilität, der die externe Verbindungselektrode überlappt, länger als die Länge W3 des Bereichs B mit geringer Flexibilität, der näher an dem Bereich A ist. Besonders bevorzugt ist unter der Länge W1 des Bereichs A, der Länge W3 des Bereichs B und der Länge W2 eines Bereichs C mit geringer Flexibilität, der weiter entfernt von dem Bereich A ist, W1 am längsten und W2 ist am zweitlängsten.

Das Trägerteil ist auf der Licht emittierenden Oberflächenseite und/oder der der Licht emittierenden Oberflächenseite entgegengesetzten Seite des Licht emittierenden Feldes angeordnet.

Das Licht emittierende Feld weist vorzugsweise Trägerteile wie die Trägerteile 15a und 15b in 3C oder 16C sowohl auf der Licht emittierenden Oberflächenseite als auch auf der der Licht emittierenden Oberflächenseite entgegengesetzten Seite auf, in welchem Falle das Licht emittierende Feld zwischen einem Paar von Trägerteilen liegen kann; dementsprechend wird die mechanische Festigkeit des Bereichs mit geringer Flexibilität erhöht, und es wird weniger wahrscheinlich, dass die Licht emittierende Vorrichtung beschädigt wird.

Alternativ kann statt der Trägerteile 15a und 15b auch ein Trägerteil 15 in 3D oder 16D verwendet werden, und das Licht emittierende Feld 11 kann von dem Trägerteil 15 gehalten werden.

Beispielsweise liegen in 1A, 2 und 3C Seitenflächen einer Schutzschicht und des Licht emittierenden Feldes in dem Bereich E2 mit geringer Flexibilität frei; jedoch ist eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung nicht darauf beschränkt. Wie in 3F gezeigt, können Seitenflächen der Schutzschicht und des Licht emittierenden Feldes mit dem Trägerteil 15 (oder einem oder beiden der Trägerteile 15a und 15b) in dem Bereich E2 mit geringer Flexibilität bedeckt sein. 21A bis 21C stellen eine konkrete Struktur einer Licht emittierenden Vorrichtung dar, bei der Seitenflächen der Schutzschicht und des Licht emittierenden Feldes mit dem Trägerteil 15b bedeckt sind. 21A stellt die Licht emittierende Vorrichtung dar, die geöffnet ist. 21B stellt die Licht emittierende Vorrichtung beim Öffnen oder Falten dar. 21C stellt die Licht emittierende Vorrichtung dar, die gefaltet ist. 22 ist eine perspektivische Darstellung der Bestandteile der Licht emittierenden Vorrichtung.

Das Licht emittierende Feld weist vorzugsweise das Trägerteil entweder auf der Licht emittierenden Oberflächenseite oder auf der der Licht emittierenden Oberflächenseite entgegengesetzten Seite auf, da die Licht emittierende Vorrichtung dünner oder leichter sein kann. Beispielsweise kann eine Licht emittierende Vorrichtung eingesetzt werden, die, wie in 16F gezeigt, die Vielzahl von Trägerteilen 15b beinhaltet und nicht die Vielzahl von Trägerteilen 15a beinhaltet.

Der Bereich E1 mit hoher Flexibilität und der Bereich E2 mit geringer Flexibilität beinhalten vorzugsweise das Licht emittierende Feld und eine Schutzschicht, die eine höhere Flexibilität aufweist als das Trägerteil und das Licht emittierende Feld überlappt. In diesem Fall kann bei der Licht emittierenden Vorrichtung der Bereich E1 mit hoher Flexibilität eine hohe mechanische Festigkeit sowie eine Flexibilität aufweisen, und es wird weniger wahrscheinlich, dass die Licht emittierende Vorrichtung beschädigt wird. Diese Struktur macht es weniger wahrscheinlich, dass die Licht emittierende Vorrichtung durch eine äußere Kraft oder dergleichen in dem Bereich mit hoher Flexibilität sowie in dem Bereich mit geringer Flexibilität verformt wird und beschädigt wird.

Zum Beispiel ist unter dem Licht emittierenden Feld, dem Trägerteil und der Schutzschicht vorzugsweise das Trägerteil am dicksten und das Licht emittierende Feld ist am dünnsten. Alternativ weist zum Beispiel unter dem Licht emittierenden Feld, dem Trägerteil und der Schutzschicht vorzugsweise das Trägerteil die geringste Flexibilität auf und das Licht emittierende Feld weist die höchste Flexibilität auf. Eine derartige Struktur erhöht die Differenz zwischen der Flexibilität des Bereichs mit hoher Flexibilität und derjenigen des Bereichs mit geringer Flexibilität. Dementsprechend kann die Licht emittierende Vorrichtung sicher an dem Bereich mit hoher Flexibilität gefaltet werden, so dass verhindert wird, dass der Bereich mit geringer Flexibilität gebogen wird. Folglich kann die Zuverlässigkeit der Licht emittierenden Vorrichtung verbessert werden. Eine derartige Struktur verhindert auch, dass die Licht emittierende Vorrichtung an einem unerwünschten Teil gebogen wird.

Das Licht emittierende Feld weist vorzugsweise Schutzschichten sowohl auf der Licht emittierenden Oberflächenseite als auch auf der der Licht emittierenden Oberflächenseite entgegengesetzten Seite auf, in welchem Falle das Licht emittierende Feld zwischen einem Paar von Schutzschichten liegen kann; dementsprechend weist die Licht emittierende Vorrichtung eine erhöhte mechanische Festigkeit auf, und es wird weniger wahrscheinlich, dass sie beschädigt wird.

Zum Beispiel sind, wie in 3C oder 16C gezeigt, in dem Bereich E2 mit geringer Flexibilität vorzugsweise ein Paar von Schutzschichten 13a und 13b zwischen dem Paar von Trägerteilen 15a und 15b und das Licht emittierende Feld (nicht gezeigt) zwischen dem Paar von Schutzschichten 13a und 13b platziert.

Alternativ ist vorzuziehen, dass, wie in 3D oder 16D gezeigt, in dem Bereich E2 mit geringer Flexibilität das Paar von Schutzschichten 13a und 13b von dem Trägerteil 15 gehalten wird und das Licht emittierende Feld (nicht gezeigt) zwischen dem Paar von Schutzschichten 13a und 13b platziert ist.

Das Licht emittierende Feld weist vorzugsweise die Schutzschicht entweder auf der Licht emittierenden Oberflächenseite oder auf der der Licht emittierenden Oberflächenseite entgegengesetzten Seite auf, da die Licht emittierende Vorrichtung dünner oder leichter sein kann. Beispielsweise kann eine Licht emittierende Vorrichtung eingesetzt werden, die die Schutzschicht 13b beinhaltet und nicht die Schutzschicht 13a beinhaltet.

Wenn es sich bei der Schutzschicht 13a auf der Licht emittierenden Oberflächenseite des Licht emittierenden Feldes um einen lichtundurchlässigen Film handelt, kann verhindert werden, dass ein kein Licht emittierender Bereich des Licht emittierenden Feldes mit Außenlicht bestrahlt wird. Diese Struktur wird bevorzugt, weil sie eine Photodegradation eines Transistors und dergleichen einer Treiberschaltung verhindert, die in dem kein Licht emittierenden Bereich enthalten ist.

Wie in 2, 3E, 15 oder 16E gezeigt, überlappt eine Öffnung in der Schutzschicht 13a, die auf der Licht emittierenden Oberflächenseite des Licht emittierenden Feldes 11 angeordnet ist, einen Licht emittierenden Bereich 11a des Licht emittierenden Feldes. Die Schutzschicht 13a überlappt einen kein Licht emittierenden Bereich 11b, der den Licht emittierenden Bereich 11a wie ein Rahmen umgibt. Die Schutzschicht 13b, die auf der der Licht emittierenden Oberflächenseite entgegengesetzten Seite des Licht emittierenden Feldes 11 angeordnet ist, überlappt den Licht emittierenden Bereich 11a und den kein Licht emittierenden Bereich 11b. Die Schutzschicht 13b ist in einem großen Bereich, bevorzugt an der gesamten Oberfläche auf der der Licht emittierenden Oberflächenseite entgegengesetzten Seite bereitgestellt, um das Licht emittierende Feld mit Sicherheit zu schützen; daher kann die Zuverlässigkeit der Licht emittierenden Vorrichtung verbessert werden.

Bei der Licht emittierenden Vorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist das Folgende vorzuziehen: Wenn eine Vielzahl von Bereichen mit hoher Flexibilität abwechselnd nach innen und nach außen gebogen wird, erfüllt der kürzeste Abstand L zwischen einer Oberfläche des Licht emittierenden Feldes, die am nächsten an einer Trägerfläche der Licht emittierenden Vorrichtung ist, und einer Oberfläche des Licht emittierenden Feldes, die am weitesten entfernt von der Trägerfläche ist, L < 2(D + T). Dabei repräsentiert D die Summe der Krümmungsradien des Licht emittierenden Feldes in der Vielzahl von Bereichen mit hoher Flexibilität, und T repräsentiert die Dicke des Licht emittierenden Feldes. In diesem Fall kann die Licht emittierende Vorrichtung dünner gemacht werden.

Die Licht emittierende Vorrichtung in 4A befindet sich in einem Zustand, in dem ein Bereich mit hoher Flexibilität nach innen und ein Bereich mit hoher Flexibilität nach außen gebogen sind. In 4A ist das Licht emittierende Feld an der Grenzfläche zwischen der Schutzschicht 13a und der Schutzschicht 13b platziert. Ein Durchmesser D1 und ein Durchmesser D2 in 4A werden ausführlich anhand von 4B beschrieben. D1 repräsentiert den Durchmesser eines Kreises, dessen Radius dem Krümmungsradius des Licht emittierenden Feldes in dem nach innen gebogenen Bereich mit hoher Flexibilität entspricht. D2 repräsentiert den Durchmesser eines Kreises, dessen Radius dem Krümmungsradius des Licht emittierenden Feldes in dem nach außen gebogenen Bereich mit hoher Flexibilität entspricht. T repräsentiert die Dicke des Licht emittierenden Feldes 11. Da die Summe des Durchmessers D1 und des Durchmessers D2 dem Doppelten der Summe D der Krümmungsradien des Licht emittierenden Feldes in der Vielzahl von Bereichen mit hoher Flexibilität entspricht, korrespondiert L < 2(D + T) mit L < D1 + D2 + 2T. Dabei wird der kürzeste Abstand L1 zwischen einer Oberfläche, die am nächsten an einer Trägerfläche der Licht emittierenden Vorrichtung ist, und einer Oberfläche des Licht emittierenden Feldes in 4A, die am weitesten entfernt von der Trägerfläche ist, durch D1 + D2 + 3T repräsentiert.

Indem beispielsweise die Dicken der Trägerteile 15a und 15b oder die Dicken der Schutzschichten 13a und 13b verringert werden oder die Breite des Bereichs mit geringer Flexibilität zwischen dem nach innen gebogenen Bereich mit hoher Flexibilität und dem nach außen gebogenen Bereich mit hoher Flexibilität verschmälert wird, kann der kürzeste Abstand L2 zwischen einer Oberfläche, die am nächsten an einer Trägerfläche der Licht emittierenden Vorrichtung ist, und einer Oberfläche des Licht emittierenden Feldes in 4C, die am weitesten entfernt von der Trägerfläche ist, L2 < D1 + D2 + 3T oder sogar L2 < D1 + D2 + 2T, d. h. L2 < 2(D + T), erfüllen.

Dabei ist bei der Licht emittierenden Vorrichtung das Folgende vorzuziehen: Unter den Bereichen mit geringer Flexibilität, die beim Falten der Licht emittierenden Vorrichtung einander überlappen, ist ein Paar von Bereichen mit geringer Flexibilität, die auf der Außenseite positioniert sind, parallel zur Trägerfläche der Licht emittierenden Vorrichtung, und ein Bereich mit geringer Flexibilität, der auf der Innenseite positioniert ist, ist nicht parallel zur Trägerfläche.

Bei der Licht emittierenden Vorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist das Folgende vorzuziehen: Wenn einer von zwei benachbarten Bereichen mit hoher Flexibilität nach innen und der andere nach außen gebogen werden, überlappen ein Kreis, dessen Radius dem Krümmungsradius des Licht emittierenden Feldes in dem einen Bereich mit hoher Flexibilität entspricht, und ein Kreis, dessen Radius dem Krümmungsradius des Licht emittierenden Feldes in dem anderen Bereich mit hoher Flexibilität entspricht, einander, indem sie in einer Richtung parallel zu einer Trägerfläche der Licht emittierenden Vorrichtung bewegt werden. In diesem Fall kann die Licht emittierende Vorrichtung dünner gemacht werden.

Wie in 4D gezeigt, überlappen ein Kreis mit dem Durchmesser D1 und ein Kreis mit dem Durchmesser D2 einander, indem sie in einer Richtung parallel zur Trägerfläche der Licht emittierenden Vorrichtung (hier in horizontaler Richtung der Zeichnung) bewegt werden. Der Krümmungsradius des Licht emittierenden Feldes in dem nach innen gebogenen Bereich mit hoher Flexibilität und der Krümmungsradius des Licht emittierenden Feldes in dem nach außen gebogenen Bereich mit hoher Flexibilität entsprechen den Radien der zwei Kreise; daher kann man sagen, dass die Licht emittierende Vorrichtung in 4D dünn ist.

Der kürzeste Abstand L3 zwischen einer Oberfläche, die am nächsten an einer Trägerfläche der Licht emittierenden Vorrichtung ist, und einer Oberfläche des Licht emittierenden Feldes in 4D, die am weitesten entfernt von der Trägerfläche ist, kann L3 < D1 + D2 + 3T oder sogar L3 < D1 + D2 + 2T, d. h. L3 < 2(D + T), erfüllen. Es 1 sei angemerkt, dass in 4D die Schutzschicht 13a und die Schutzschicht 13b insgesamt als Schutzschicht 13 gezeigt sind.

Die Schutzschicht und das Trägerteil können unter Verwendung von Kunststoff, Gummi, eines Metalls, einer Legierung oder dergleichen ausgebildet werden. Kunststoff, Gummi oder dergleichen wird vorzugsweise verwendet, da er/es eine Schutzschicht oder ein Trägerteil bilden kann, die/das leicht ist und mit geringerer Wahrscheinlichkeit beschädigt wird. Beispielsweise kann man Silikongummi für die Schutzschicht und Edelstahl oder Aluminium für das Trägerteil verwenden.

Die Schutzschicht und das Trägerteil werden vorzugsweise unter Verwendung eines Materials mit hoher Festigkeit ausgebildet. In diesem Fall kann eine Licht emittierende Vorrichtung, die eine hohe Stoßbeständigkeit aufweist und mit geringerer Wahrscheinlichkeit beschädigt wird, bereitgestellt werden. Wenn beispielsweise ein organisches Harz, ein dünnes Metallmaterial oder ein dünnes Legierungsmaterial für die Schutzschicht und das Trägerteil verwendet wird, kann die Licht emittierende Vorrichtung leicht sein, und es kann weniger wahrscheinlich sein, dass sie beschädigt wird. Aus einem ähnlichen Grund wird auch ein Substrat des Licht emittierenden Feldes vorzugsweise unter Verwendung eines Materials mit hoher Festigkeit ausgebildet.

Die Schutzschicht und das Trägerteil auf der Licht emittierenden Oberflächenseite weisen nicht notwendigerweise eine Lichtdurchlässigkeit auf, falls sie nicht den Licht emittierenden Bereich des Licht emittierenden Feldes überlappen. Wenn die Schutzschicht und das Trägerteil auf der Licht emittierenden Oberflächenseite mindestens einen Teil des Licht emittierenden Bereichs überlappen, werden sie vorzugsweise unter Verwendung eines Materials ausgebildet, das Licht durchlässt, das von dem Licht emittierenden Feld emittiert wird. Es gibt keine Beschränkung hinsichtlich der Lichtdurchlässigkeit der Schutzschicht und des Trägerteils auf der der Licht emittierenden Oberflächenseite entgegengesetzten Seite.

Wenn zwei von der Schutzschicht, dem Trägerteil und dem Licht emittierenden Feld miteinander verbunden werden, können verschiedene Klebstoffe verwendet werden, wobei beispielsweise ein aushärtendes Harz, das bei Raumtemperatur aushärtend ist (z. B. ein zwei Komponenten enthaltendes Harz), ein lichthärtendes Harz, ein wärmehärtendes Harz oder dergleichen verwendet werden kann. Als Alternative kann auch eine Klebefolie verwendet werden. Alternativ können Bestandteile der Licht emittierenden Vorrichtung beispielsweise mit einer Schraube, die zwei oder mehr von der Schutzschicht, dem Trägerteil und dem Licht emittierenden Feld durchdringt, oder mit einem Stift oder einer Klammer, welcher/welche diese hält, fixiert werden.

Die Licht emittierende Vorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann verwendet werden, wobei ein Licht emittierendes Feld (ein Licht emittierender Bereich) in zwei oder mehr Bereiche an einem/mehreren gefalteten Abschnitt/en geteilt ist. Zum Beispiel ist es möglich, den Bereich, der beim Falten der Licht emittierenden Vorrichtung verborgen wird, in einen kein Licht emittierenden Zustand und nur den freiliegenden Bereich in einen Licht emittierenden Zustand zu versetzen. Demzufolge kann der Strom verringert werden, der von einem Bereich verbraucht wird, den ein Benutzer nicht verwendet.

Die Licht emittierende Vorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann einen Sensor beinhalten, um zu bestimmen, ob der Bereich mit hoher Flexibilität jeweils gebogen ist oder nicht. Der Sensor kann beispielsweise aus einem Schalter, einem MEMS-Drucksensor, einem Drucksensor oder dergleichen bestehen.

Bei den oben beschriebenen Beispielen beinhaltet die Licht emittierende Vorrichtung zwei Bereiche mit hoher Flexibilität; jedoch ist eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung nicht darauf beschränkt. Zum Beispiel beinhaltet, wie in 5A gezeigt, die Licht emittierende Vorrichtung mindestens einen Bereich E1 mit hoher Flexibilität. Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung umfassen auch eine Licht emittierende Vorrichtung, die, wie in 5B oder 17A gezeigt, drei Bereiche E1 mit hoher Flexibilität beinhaltet und in vier Teile gefaltet werden kann, und eine Licht emittierende Vorrichtung, die, wie in 5C oder 17B gezeigt, vier Bereiche E1 mit hoher Flexibilität beinhaltet und in fünf Teile gefaltet werden kann.

Beispielsweise ist bei der Licht emittierenden Vorrichtung in 17A unter den Längen W1 bis W4 W1 am längsten, W2 ist am zweitlängsten, und W3 und W4 sind am kürzesten. Die Längen W3 und W4 können unterschiedliche Längen sein.

Außerdem ist bei der Licht emittierenden Vorrichtung in 17B unter den Längen W1 bis W5 W1 am längsten, W2 ist am zweitlängsten, und W3, W4 und W5 sind am kürzesten. Die Längen W3, W4 und W5 können unterschiedliche Längen sein.

6A und 6B stellen jeweils ein Beispiel dar, bei dem die Licht emittierende Vorrichtung in 5C in fünf Teile gefaltet ist.

In 6A wird der kürzeste Abstand L4 zwischen einer Oberfläche des Licht emittierenden Feldes, die am nächsten an einer Trägerfläche der Licht emittierenden Vorrichtung ist, und einer Oberfläche des Licht emittierenden Feldes, die am weitesten entfernt von der Trägerfläche ist, durch 2D + 5T repräsentiert. Dabei repräsentiert D die Summe der Krümmungsradien des Licht emittierenden Feldes in der Vielzahl von Bereichen mit hoher Flexibilität, und T repräsentiert die Dicke des Licht emittierenden Feldes. Es sei angemerkt, dass 2D = D1 + D2 + D3 + D4 gilt.

Indem beispielsweise die Dicken der Trägerteile 15a und 15b oder die Dicken der Schutzschichten 13a und 13b verringert werden oder die Breite des Bereichs mit geringer Flexibilität zwischen dem nach innen gebogenen Bereich mit hoher Flexibilität und dem nach außen gebogenen Bereich mit hoher Flexibilität verschmälert wird, kann der kürzeste Abstand L5 zwischen einer Oberfläche des Licht emittierenden Feldes in 6B, die am nächsten an einer Trägerfläche der Licht emittierenden Vorrichtung ist, und einer Oberfläche des Licht emittierenden Feldes, die am weitesten entfernt von der Trägerfläche ist, L5 < D1 + D2 + D3 + D4 + 5T oder sogar L5 < D1 + D2 + D3 + D4 + 2T, d. h. L5 < 2D + 2T, erfüllen. Dabei repräsentiert D die Summe der Krümmungsradien des Licht emittierenden Feldes in der Vielzahl von Bereichen mit hoher Flexibilität, und T repräsentiert die Dicke des Licht emittierenden Feldes.

In 6B überlappen ein Kreis mit dem Durchmesser D1 und ein Kreis mit dem Durchmesser D2 einander, indem sie in einer Richtung parallel zur Trägerfläche der Licht emittierenden Vorrichtung (hier in horizontaler Richtung der Zeichnung) bewegt werden. Außerdem überlappen ein Kreis mit dem Durchmesser D3 und ein Kreis mit dem Durchmesser D4 einander, indem sie in einer Richtung parallel zur Trägerfläche der Licht emittierenden Vorrichtung bewegt werden. Wenn einer der zwei benachbarten Bereiche mit hoher Flexibilität nach innen und der andere nach außen gebogen werden, entsprechen der Radius des Kreises mit dem Durchmesser D1 und der Radius des Kreises mit dem Durchmesser D2 dem Krümmungsradius des Licht emittierenden Feldes in dem nach innen gebogenen Bereich mit hoher Flexibilität und dem Krümmungsradius des Licht emittierenden Feldes in dem nach außen gebogenen Bereich mit hoher Flexibilität; daher kann man sagen, dass die Licht emittierende Vorrichtung in 6B dünn ist. Das kann man auch aus dem Radius des Kreises mit dem Durchmesser D3 und dem Radius des Kreises mit dem Durchmesser D4 feststellen.

Darüber hinaus kann die Licht emittierende Vorrichtung noch dünner gemacht werden, indem, wie in 6B gezeigt, im Vergleich zu einem Paar von Bereichen mit geringer Flexibilität auf der äußersten Seite der Licht emittierenden Vorrichtung die Breiten der sonstigen Bereiche mit geringer Flexibilität verringert werden.

Beim Falten der Licht emittierenden Vorrichtung müssen ferner die Bereiche mit hoher Flexibilität nicht unbedingt abwechselnd nach innen und nach außen gebogen werden; beispielsweise kann, wie in 5D gezeigt, jeder Bereich mit hoher Flexibilität nach innen gebogen werden. Wenn beispielsweise die Licht emittierende Vorrichtung in einem derartigen Zustand transportiert wird, kann verhindert werden, dass die Licht emittierende Oberfläche der Licht emittierenden Vorrichtung beschädigt oder verschmutzt wird.

Bei der Licht emittierenden Vorrichtung dieser Ausführungsform kann ein Licht emittierendes Feld einmal oder mehrmals gefaltet werden. Der Krümmungsradius in diesem Fall kann beispielsweise größer als oder gleich 1 mm und kleiner als oder gleich 150 mm sein.

Diese Ausführungsform kann gegebenenfalls mit jeder anderen Ausführungsform kombiniert werden.

(Ausführungsform 2)

Bei dieser Ausführungsform werden Licht emittierende Felder anhand von 7A und 7B, 8A und 8B, 9A und 9B, 10A und 10B, 11A bis 11C sowie 12A bis 12C beschrieben. Wenn das bei dieser Ausführungsform beschriebene Licht emittierende Feld gebogen wird, kann der minimale Krümmungsradius eines gebogenen Abschnitts des Licht emittierenden Feldes größer als oder gleich 1 mm und kleiner als oder gleich 150 mm, größer als oder gleich 1 mm und kleiner als oder gleich 100 mm, größer als oder gleich 1 mm und kleiner als oder gleich 50 mm, größer als oder gleich 1 mm und kleiner als oder gleich 10 mm oder größer als oder gleich 2 mm und kleiner als oder gleich 5 mm sein. Das Licht emittierende Feld dieser Ausführungsform ist frei von Bruch eines Elementes, auch wenn es mit einem kleinen Krümmungsradius (z. B. größer als oder gleich 2 mm und kleiner als oder gleich 5 mm) gebogen wird, und weist hohe Zuverlässigkeit auf. Das Biegen des Licht emittierenden Feldes mit einem kleinen Krümmungsradius kann die Licht emittierende Vorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dünn machen. Es gibt keine Beschränkung hinsichtlich der Richtung, in der das Licht emittierende Feld dieser Ausführungsform gebogen wird. Des Weiteren kann die Anzahl von gebogenen Abschnitten eins oder größer als eins sein.

<Konkretes Beispiel 1>

7A ist eine Draufsicht auf das Licht emittierende Feld 11, das beispielhaft bei der Ausführungsform 1 beschrieben worden ist, und 7B ist ein Beispiel für eine Querschnittsansicht entlang der Strichpunktlinie A1–A2 in 7A.

Das Licht emittierende Feld in 7B beinhaltet eine Elementschicht 101, eine Klebeschicht 105 und ein Substrat 103. Die Elementschicht 101 beinhaltet ein Substrat 201, eine Klebeschicht 203, eine isolierende Schicht 205, eine Vielzahl von Transistoren, die leitende Schicht 157, eine isolierende Schicht 207, eine isolierende Schicht 209, eine Vielzahl von Licht emittierenden Elementen, eine isolierende Schicht 211, eine Dichtungsschicht 213, eine isolierende Schicht 261, eine Farbschicht 259, eine lichtundurchlässige Schicht 257 und eine isolierende Schicht 255.

Die leitende Schicht 157 ist über einen Verbinder 215 elektrisch mit einer FPC 108 verbunden.

Ein Licht emittierendes Element 230 beinhaltet eine untere Elektrode 231, eine EL-Schicht 233 und eine obere Elektrode 235. Die untere Elektrode 231 ist elektrisch mit einer Source-Elektrode oder einer Drain-Elektrode eines Transistors 240 verbunden. Ein Endabschnitt der unteren Elektrode 231 ist mit der isolierenden Schicht 211 bedeckt. Das Licht emittierende Element 230 hat eine Top-Emission-Struktur. Die obere Elektrode 235 weist eine Lichtdurchlässigkeit auf und lässt Licht durch, das von der EL-Schicht 233 emittiert wird.

Die Farbschicht 259 ist derart angeordnet, dass sie das Licht emittierende Element 230 überlappt, und die lichtundurchlässige Schicht 257 ist derart angeordnet, dass sie die isolierende Schicht 211 überlappt. Die Farbschicht 259 und die lichtundurchlässige Schicht 257 sind mit der isolierenden Schicht 261 bedeckt. Der Raum zwischen dem Licht emittierenden Element 230 und der isolierenden Schicht 261 ist mit der Dichtungsschicht 213 gefüllt.

Das Licht emittierende Feld beinhaltet eine Vielzahl von Transistoren einschließlich des Transistors 240 in einem Lichtextraktionsabschnitt 104 und einem Treiberschaltungsabschnitt 106. Der Transistor 240 ist über der isolierenden Schicht 205 angeordnet. Die isolierende Schicht 205 und das Substrat 201 sind mit der Klebeschicht 203 aneinander angebracht. Die isolierende Schicht 255 und das Substrat 103 sind mit der Klebeschicht 105 aneinander angebracht. Vorzugsweise werden Filme mit geringer Wasserdurchlässigkeit für die isolierende Schicht 205 und die isolierende Schicht 255 verwendet, in welchem Falle verhindert werden kann, dass eine Verunreinigung, wie z. B. Wasser, in das Licht emittierende Element 230 oder den Transistor 240 eindringt; daher wird die Zuverlässigkeit des Licht emittierenden Feldes verbessert. Die Klebeschicht 203 kann unter Verwendung eines Materials, das demjenigen der Klebeschicht 105 ähnlich ist, ausgebildet werden.

Das Licht emittierende Feld des konkreten Beispiels 1 kann auf die folgende Weise hergestellt werden: Die isolierende Schicht 205, der Transistor 240 und das Licht emittierende Element 230 werden über einem Bildungssubstrat mit hoher Wärmebeständigkeit ausgebildet; das Bildungssubstrat wird abgetrennt; und die isolierende Schicht 205, der Transistor 240 und das Licht emittierende Element 230 werden auf das Substrat 201 übertragen und mit der Klebeschicht 203 daran angebracht. Das Licht emittierende Feld des konkreten Beispiels 1 kann auf die folgende Weise hergestellt werden: Die isolierende Schicht 255, die Farbschicht 259 und die lichtundurchlässige Schicht 257 werden über einem Bildungssubstrat mit hoher Wärmebeständigkeit ausgebildet; das Bildungssubstrat wird abgetrennt; und die isolierende Schicht 255, die Farbschicht 259 und die lichtundurchlässige Schicht 257 werden auf das Substrat 103 übertragen und mit der Klebeschicht 105 daran angebracht.

In dem Fall, in dem ein Material mit geringer Wärmebeständigkeit (z. B. Harz) für ein Substrat verwendet wird, ist es schwierig, das Substrat einer hohen Temperatur im Herstellungsprozess auszusetzen. Deswegen gibt es eine Beschränkung hinsichtlich der Bedingungen, unter denen ein Transistor und ein isolierender Film über dem Substrat ausgebildet werden. Ferner wird in dem Fall, in dem ein Material mit hoher Wasserdurchlässigkeit (z. B. Harz) für ein Substrat einer Licht emittierenden Vorrichtung verwendet wird, vorzugsweise ein Film mit geringer Wasserdurchlässigkeit bei einer hohen Temperatur zwischen dem Substrat und einem Licht emittierenden Element ausgebildet. Beim Herstellungsverfahren dieser Ausführungsform können ein Transistor und dergleichen über einem Bildungssubstrat, das eine hohe Wärmebeständigkeit aufweist, ausgebildet werden; demzufolge können ein hochzuverlässiger Transistor und ein isolierender Film mit ausreichend geringer Wasserdurchlässigkeit bei einer hohen Temperatur ausgebildet werden. Danach werden der Transistor und der isolierende Film auf ein Substrat mit geringer Wärmebeständigkeit übertragen, wodurch ein hochzuverlässiges, Licht emittierendes Feld hergestellt werden kann. Auf diese Weise kann einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung entsprechend eine dünne oder/und leichte Licht emittierende Vorrichtung mit hoher Zuverlässigkeit bereitgestellt werden. Die Einzelheiten des Herstellungsverfahrens werden später beschrieben.

Das Substrat 103 und das Substrat 201 werden jeweils vorzugsweise unter Verwendung eines Materials mit hoher Festigkeit ausgebildet. In diesem Fall kann ein Licht emittierendes Feld, das eine hohe Stoßbeständigkeit aufweist und mit geringerer Wahrscheinlichkeit beschädigt wird, bereitgestellt werden. Wenn es sich beispielsweise bei dem Substrat 103 um ein organisches Harzsubstrat und bei dem Substrat 201 um ein Substrat handelt, das unter Verwendung eines dünnen Metallmaterials oder eines dünnen Legierungsmaterials ausgebildet wird, kann das Licht emittierende Feld leicht sein, und es kann im Vergleich zu dem Fall, in dem ein Glassubstrat verwendet wird, weniger wahrscheinlich sein, dass das Licht emittierende Feld beschädigt wird.

Ein Metallmaterial und ein Legierungsmaterial, welche eine hohe Wärmeleitfähigkeit aufweisen, werden bevorzugt, da sie Wärme leicht in das ganze Substrat leiten und somit einen lokalen Temperaturanstieg in dem Licht emittierenden Feld verhindern können. Die Dicke eines Substrats, für das ein Metallmaterial oder ein Legierungsmaterial verwendet wird, ist bevorzugt größer als oder gleich 10 μm und kleiner als oder gleich 200 μm, stärker bevorzugt größer als oder gleich 20 μm und kleiner als oder gleich 50 μm.

Des Weiteren kann dann, wenn ein Material mit hohem Wärmeemissionsgrad für das Substrat 201 verwendet wird, verhindert werden, dass die Oberflächentemperatur des Licht emittierenden Feldes ansteigt; dementsprechend wird ein Bruch oder eine Abnahme der Zuverlässigkeit des Licht emittierenden Feldes verhindert. Das Substrat 201 kann beispielsweise eine mehrschichtige Struktur aus einem Metallsubstrat und einer Schicht mit hohem Wärmeemissionsgrad haben (die Schicht kann beispielsweise unter Verwendung eines Metalloxids oder eines Keramikmaterials ausgebildet werden).

<Konkretes Beispiel 2>

8A zeigt ein weiteres Beispiel für den Lichtextraktionsabschnitt 104 in dem Licht emittierenden Feld. Das Licht emittierende Feld in 8A ist zur Touch-Bedienung geeignet. Bei den folgenden konkreten Beispielen wird die Beschreibung der Bestandteile, die denjenigen des konkreten Beispiels 1 ähnlich sind, weggelassen.

Das Licht emittierende Feld in 8A beinhaltet die Elementschicht 101, die Klebeschicht 105 und das Substrat 103. Die Elementschicht 101 beinhaltet das Substrat 201, die Klebeschicht 203, die isolierende Schicht 205, eine Vielzahl von Transistoren, die isolierende Schicht 207, die isolierende Schicht 209, eine Vielzahl von Licht emittierenden Elementen, die isolierende Schicht 211, eine isolierende Schicht 217, die Dichtungsschicht 213, die isolierende Schicht 261, die Farbschicht 259, die lichtundurchlässige Schicht 257, eine Vielzahl von Licht empfangenden Elementen, eine leitende Schicht 281, eine leitende Schicht 283, eine isolierende Schicht 291, eine isolierende Schicht 293, eine isolierende Schicht 295 und die isolierende Schicht 255.

Das konkrete Beispiel 2 beinhaltet die isolierende Schicht 217 über der isolierenden Schicht 211. Der Zwischenraum zwischen dem Substrat 103 und dem Substrat 201 kann mit der isolierenden Schicht 217 reguliert werden.

8A zeigt ein Beispiel, bei dem ein Licht empfangendes Element zwischen der isolierenden Schicht 255 und der Dichtungsschicht 213 angeordnet ist. Da das Licht empfangende Element derart platziert werden kann, dass es einen kein Licht emittierenden Bereich (z. B. einen Bereich, in dem das Licht emittierende Element nicht angeordnet ist, wie z. B. einen Bereich, in dem ein Transistor oder eine Leitung angeordnet ist) des Licht emittierenden Feldes überlappt, kann das Licht emittierende Feld mit einem Berührungssensor versehen werden, ohne dass das Öffnungsverhältnis eines Pixels (des Licht emittierenden Elementes) reduziert wird.

Als Licht empfangendes Element, das in dem Licht emittierenden Feld enthalten ist, kann beispielsweise eine PN-Photodiode oder eine PIN-Photodiode verwendet werden. Bei dieser Ausführungsform wird als Licht empfangendes Element eine PIN-Photodiode verwendet, die eine p-Typ-Halbleiterschicht 271, eine i-Typ-Halbleiterschicht 273 und eine n-Typ-Halbleiterschicht 275 beinhaltet.

Es sei angemerkt, dass es sich bei der i-Typ-Halbleiterschicht 273 um einen Halbleiter handelt, bei dem die Konzentration einer Verunreinigung, die p-Typ-Leitfähigkeit verleiht, und diejenige einer Verunreinigung, die n-Typ-Leitfähigkeit verleiht, jeweils 1 × 1020 cm–3 oder weniger betragen und dessen Photoleitfähigkeit das Hundertfache oder mehr der Dunkelleitfähigkeit ist. Die i-Typ-Halbleiterschicht 273 umfasst in ihrer Kategorie auch einen Halbleiter, der ein Verunreinigungselement enthält, das zur Gruppe 13 oder Gruppe 15 des Periodensystems gehört. Mit anderen Worten: Da ein i-Typ-Halbleiter geringe elektrische Leitfähigkeit vom n-Typ aufweist, wenn kein Verunreinigungselement zum Steuern von Valenzelektronen bewusst zugesetzt wird, umfasst die i-Typ-Halbleiterschicht 273 in ihrer Kategorie einen Halbleiter, dem bei der Abscheidung oder nach der Abscheidung ein p-Typ-Leitfähigkeit verleihendes Verunreinigungselement bewusst oder unbewusst zugesetzt wird.

Die lichtundurchlässige Schicht 257 ist näher an dem Substrat 201 als das Licht empfangende Element und überlappt das Licht empfangende Element. Die lichtundurchlässige Schicht 257 zwischen dem Licht empfangenden Element und der Dichtungsschicht 213 kann verhindern, dass das Licht empfangende Element mit Licht, das von dem Licht emittierenden Element 230 emittiert wird, bestrahlt wird.

Die leitende Schicht 281 und die leitende Schicht 283 sind elektrisch mit dem Licht empfangenden Element verbunden. Die leitende Schicht 281 lässt vorzugsweise Licht durch, das auf das Licht empfangende Element einfällt. Die leitende Schicht 283 blockiert vorzugsweise das auf das Licht empfangende Element einfallende Licht.

Vorzugsweise wird ein optischer Berührungssensor zwischen dem Substrat 103 und der Dichtungsschicht 213 angeordnet, da der optische Berührungssensor mit geringerer Wahrscheinlichkeit von dem Licht, das von dem Licht emittierenden Element 230 emittiert wird, beeinflusst wird und ein verbessertes S/N-Verhältnis aufweisen kann.

<Konkretes Beispiel 3>

8B zeigt ein weiteres Beispiel für den Lichtextraktionsabschnitt 104 in dem Licht emittierenden Feld. Das Licht emittierende Feld in 8B ist zur Touch-Bedienung geeignet.

Das Licht emittierende Feld in 8B beinhaltet die Elementschicht 101, die Klebeschicht 105 und das Substrat 103. Die Elementschicht 101 beinhaltet das Substrat 201, die Klebeschicht 203, die isolierende Schicht 205, eine Vielzahl von Transistoren, die isolierende Schicht 207, eine isolierende Schicht 209a, eine isolierende Schicht 209b, eine Vielzahl von Licht emittierenden Elementen, die isolierende Schicht 211, die isolierende Schicht 217, die Dichtungsschicht 213, die Farbschicht 259, die lichtundurchlässige Schicht 257, eine Vielzahl von Licht empfangenden Elementen, eine leitende Schicht 280, die leitende Schicht 281 und die isolierende Schicht 255.

8B zeigt ein Beispiel, bei dem ein Licht empfangendes Element zwischen der isolierenden Schicht 205 und der Dichtungsschicht 213 angeordnet ist. Da das Licht empfangende Element zwischen der isolierenden Schicht 205 und der Dichtungsschicht 213 angeordnet ist, können eine leitende Schicht, mit der das Licht empfangende Element elektrisch verbunden ist, und eine photoelektrische Umwandlungsschicht, die in dem Licht empfangenden Element enthalten ist, unter Verwendung der gleichen Materialien und derselben Schritte wie eine leitende Schicht und eine Halbleiterschicht ausgebildet werden, welche in dem Transistor 240 enthalten sind. Daher kann das Licht emittierende Feld, das zur Touch-Bedienung geeignet ist, ohne wesentliche Erhöhung der Anzahl von Herstellungsschritten hergestellt werden.

<Konkretes Beispiel 4>

9A zeigt ein weiteres Beispiel für ein Licht emittierendes Feld. Das Licht emittierende Feld in 9A ist zur Touch-Bedienung geeignet.

Das Licht emittierende Feld in 9A beinhaltet die Elementschicht 101, die Klebeschicht 105 und das Substrat 103. Die Elementschicht 101 beinhaltet das Substrat 201, die Klebeschicht 203, die isolierende Schicht 205, eine Vielzahl von Transistoren, eine leitende Schicht 156, die leitende Schicht 157, die isolierende Schicht 207, die isolierende Schicht 209, eine Vielzahl von Licht emittierenden Elementen, die isolierende Schicht 211, die isolierende Schicht 217, die Dichtungsschicht 213, die Farbschicht 259, die lichtundurchlässige Schicht 257, die isolierende Schicht 255, eine leitende Schicht 272, eine leitende Schicht 274, eine isolierende Schicht 276, eine isolierende Schicht 278, eine leitende Schicht 294 und eine leitende Schicht 296.

9A zeigt ein Beispiel, bei dem ein kapazitiver Berührungssensor zwischen der isolierenden Schicht 255 und der Dichtungsschicht 213 angeordnet ist. Der kapazitive Berührungssensor beinhaltet die leitende Schicht 272 und die leitende Schicht 274.

Die leitende Schicht 156 und die leitende Schicht 157 sind über den Verbinder 215 elektrisch mit der FPC 108 verbunden. Die leitende Schicht 294 und die leitende Schicht 296 sind über leitfähige Partikel 292 elektrisch mit der leitenden Schicht 274 verbunden. Daher kann der kapazitive Berührungssensor über die FPC 108 betrieben werden.

<Konkretes Beispiel 5>

9B zeigt ein weiteres Beispiel für ein Licht emittierendes Feld. Das Licht emittierende Feld in 9B ist zur Touch-Bedienung geeignet.

Das Licht emittierende Feld in 9B beinhaltet die Elementschicht 101, die Klebeschicht 105 und das Substrat 103. Die Elementschicht 101 beinhaltet das Substrat 201, die Klebeschicht 203, die isolierende Schicht 205, eine Vielzahl von Transistoren, die leitende Schicht 156, die leitende Schicht 157, die isolierende Schicht 207, die isolierende Schicht 209, eine Vielzahl von Licht emittierenden Elementen, die isolierende Schicht 211, die isolierende Schicht 217, die Dichtungsschicht 213, die Farbschicht 259, die lichtundurchlässige Schicht 257, die isolierende Schicht 255, eine leitende Schicht 270, die leitende Schicht 272, die leitende Schicht 274, die isolierende Schicht 276 und die isolierende Schicht 278.

9B zeigt ein Beispiel, bei dem ein kapazitiver Berührungssensor zwischen der isolierenden Schicht 255 und der Dichtungsschicht 213 angeordnet ist. Der kapazitive Berührungssensor beinhaltet die leitende Schicht 272 und die leitende Schicht 274.

Die leitende Schicht 156 und die leitende Schicht 157 sind über einen Verbinder 215a elektrisch mit einer FPC 108a verbunden. Die leitende Schicht 270 ist über einen Verbinder 215b elektrisch mit einer FPC 108b verbunden. Daher können das Licht emittierende Element 230 und der Transistor 240 über die FPC 108a betrieben werden, und der kapazitive Berührungssensor kann über die FPC 108b betrieben werden.

<Konkretes Beispiel 6>

10A zeigt ein weiteres Beispiel für den Lichtextraktionsabschnitt 104 in dem Licht emittierenden Feld.

Das Licht emittierende Feld in 10A beinhaltet die Elementschicht 101, das Substrat 103 und die Klebeschicht 105. Die Elementschicht 101 beinhaltet ein Substrat 202, die isolierende Schicht 205, eine Vielzahl von Transistoren, die isolierende Schicht 207, eine leitende Schicht 208, die isolierende Schicht 209a, die isolierende Schicht 209b, eine Vielzahl von Licht emittierenden Elementen, die isolierende Schicht 211, die Dichtungsschicht 213 und die Farbschicht 259.

Das Licht emittierende Element 230 beinhaltet die untere Elektrode 231, die EL-Schicht 233 und die obere Elektrode 235. Die untere Elektrode 231 ist über die leitende Schicht 208 elektrisch mit der Source-Elektrode oder der Drain-Elektrode des Transistors 240 verbunden. Ein Endabschnitt der unteren Elektrode 231 ist mit der isolierenden Schicht 211 bedeckt. Das Licht emittierende Element 230 hat eine Bottom-Emission-Struktur. Die untere Elektrode 231 weist eine Lichtdurchlässigkeit auf und lässt Licht durch, das von der EL-Schicht 233 emittiert wird.

Die Farbschicht 259 ist derart angeordnet, dass sie das Licht emittierende Element 230 überlappt, und Licht, das von dem Licht emittierenden Element 230 emittiert wird, wird von der Seite des Substrats 103 aus durch die Farbschicht 259 extrahiert. Der Raum zwischen dem Licht emittierenden Element 230 und dem Substrat 202 ist mit der Dichtungsschicht 213 gefüllt. Das Substrat 202 kann unter Verwendung eines Materials, das demjenigen des Substrats 201 ähnlich ist, ausgebildet werden.

<Konkretes Beispiel 7>

10B zeigt ein weiteres Beispiel für ein Licht emittierendes Feld.

Das Licht emittierende Feld in 10B beinhaltet die Elementschicht 101, die Klebeschicht 105 und das Substrat 103. Die Elementschicht 101 beinhaltet das Substrat 202, die isolierende Schicht 205, eine leitende Schicht 310a, eine leitende Schicht 310b, eine Vielzahl von Licht emittierenden Elementen, die isolierende Schicht 211, eine leitende Schicht 212 und die Dichtungsschicht 213.

Die leitende Schicht 310a und die leitende Schicht 310b, welche externe Verbindungselektroden des Licht emittierenden Feldes sind, können jeweils elektrisch mit einer FPC oder dergleichen verbunden werden.

Das Licht emittierende Element 230 beinhaltet die untere Elektrode 231, die EL-Schicht 233 und die obere Elektrode 235. Ein Endabschnitt der unteren Elektrode 231 ist mit der isolierenden Schicht 211 bedeckt. Das Licht emittierende Element 230 hat eine Bottom-Emission-Struktur. Die untere Elektrode 231 weist eine Lichtdurchlässigkeit auf und lässt Licht durch, das von der EL-Schicht 233 emittiert wird. Die leitende Schicht 212 ist elektrisch mit der unteren Elektrode 231 verbunden.

Das Substrat 103 kann als Lichtextraktionsstruktur eine halbkugelförmige Linse, ein Mikrolinsenarray, einen Film mit einer unebenen Oberflächenstruktur, eine Diffusionsfolie oder dergleichen aufweisen. Zum Beispiel kann das Substrat 103 mit einer Lichtextraktionsstruktur ausgebildet werden, indem die vorstehende Linse oder der vorstehende Film mit einem Klebstoff oder dergleichen, der im Wesentlichen den gleichen Brechungsindex wie das Substrat oder die Linse bzw. der Film aufweist, an einem Harzsubstrat angebracht wird.

Die leitende Schicht 212 wird vorzugsweise, jedoch nicht notwendigerweise, bereitgestellt, weil ein Spannungsabfall aufgrund des Widerstandes der unteren Elektrode 231 verhindert werden kann. Für einen ähnlichen Zweck kann zusätzlich eine leitende Schicht, die elektrisch mit der oberen Elektrode 235 verbunden ist, über der isolierenden Schicht 211, der EL-Schicht 233, der oberen Elektrode 235 oder dergleichen bereitgestellt werden.

Die leitende Schicht 212 kann eine Einzelschicht oder eine Schichtanordnung sein, welche unter Verwendung eines Materials, das aus Kupfer, Titan, Tantal, Wolfram, Molybdän, Chrom, Neodym, Scandium, Nickel und Aluminium ausgewählt wird, eines Legierungsmaterials, das ein beliebiges dieser Materialien als seinen Hauptbestandteil enthält, oder dergleichen ausgebildet wird. Die Dicke der leitenden Schicht 212 kann beispielsweise größer als oder gleich 0,1 μm und kleiner als oder gleich 3 μm, bevorzugt größer als oder gleich 0,1 μm und kleiner als oder gleich 0,5 μm sein.

Wenn eine Paste (z. B. Silberpaste) als Material für die leitende Schicht, die elektrisch mit der oberen Elektrode 235 verbunden wird, verwendet wird, führen Metallpartikel, die die leitende Schicht bilden, zur Aggregation; die Oberfläche der leitenden Schicht ist demzufolge rau und weist viele Spalte auf. Deshalb ist es beispielsweise dann, auch wenn die leitende Schicht über der isolierenden Schicht 211 ausgebildet wird, für die EL-Schicht 233 schwierig, die leitende Schicht vollständig zu bedecken; daher werden die obere Elektrode und die leitende Schicht leicht elektrisch miteinander verbunden, was bevorzugt wird.

<Beispiele für Materialien>

Als Nächstes werden Materialien und dergleichen beschrieben, die für ein Licht emittierendes Feld verwendet werden können. Es sei angemerkt, dass die Beschreibung der Bestandteile, die bereits bei dieser Ausführungsform beschrieben worden sind, weggelassen wird.

Die Elementschicht 101 beinhaltet mindestens ein Licht emittierendes Element. Als Licht emittierendes Element kann ein selbstleuchtendes Element verwendet werden, und ein Element, dessen Leuchtdichte durch Strom oder Spannung gesteuert wird, ist in der Kategorie des Licht emittierenden Elementes enthalten. Beispielsweise kann eine Leuchtdiode (LED), ein organisches EL-Element, ein anorganisches EL-Element oder dergleichen verwendet werden.

Die Elementschicht 101 kann ferner einen Transistor zum Betreiben des Licht emittierenden Elementes, einen Berührungssensor oder dergleichen beinhalten.

Die Struktur der Transistoren in dem Licht emittierenden Feld ist nicht besonders beschränkt. Beispielsweise kann ein Forward-Staggered-Transistor oder ein Inverted-Staggered-Transistor verwendet werden. Es kann ein Transistor mit oberem Gate oder ein Transistor mit unterem Gate verwendet werden. Ein Halbleitermaterial, das für die Transistoren verwendet wird, ist nicht besonders beschränkt, und beispielsweise kann Silizium oder Germanium verwendet werden. Alternativ kann auch ein Oxidhalbleiter, der mindestens eines von Indium, Gallium und Zink enthält, wie z. B. ein Metalloxid auf In-Ga-Zn-Basis, verwendet werden.

Es gibt keine besondere Beschränkung hinsichtlich der Kristallinität eines Halbleitermaterials, das für die Transistoren verwendet wird, und man kann einen amorphen Halbleiter oder einen Halbleiter mit Kristallinität (einen mikrokristallinen Halbleiter, einen polykristallinen Halbleiter, einen einkristallinen Halbleiter oder einen Halbleiter, der teilweise Kristallbereiche enthält) verwenden. Vorzugsweise wird ein Halbleiter mit Kristallinität verwendet, in welchem Falle eine Verschlechterung der Transistoreigenschaften unterdrückt werden kann.

Das Licht emittierende Element, das in dem Licht emittierenden Feld enthalten ist, beinhaltet ein Paar von Elektroden (die untere Elektrode 231 und die obere Elektrode 235) und die EL-Schicht 233 zwischen dem Paar von Elektroden. Eine des Paars von Elektroden dient als Anode, und die andere dient als Kathode.

Das Licht emittierende Element kann eine Top-Emission-Struktur, eine Bottom-Emission-Struktur oder eine Dual-Emission-Struktur haben. Ein leitender Film, der sichtbares Licht durchlässt, wird als Elektrode verwendet, durch die Licht extrahiert wird. Ein leitender Film, der sichtbares Licht reflektiert, wird vorzugsweise als Elektrode verwendet, durch die kein Licht extrahiert wird.

Der leitende Film, der sichtbares Licht durchlässt, kann beispielsweise unter Verwendung von Indiumoxid, Indiumzinnoxid (indium tin oxide, ITO), Indiumzinkoxid, Zinkoxid oder Zinkoxid, dem Gallium zugesetzt ist, ausgebildet werden. Alternativ kann auch ein Film aus einem Metallmaterial, wie z. B. Gold, Silber, Platin, Magnesium, Nickel, Wolfram, Chrom, Molybdän, Eisen, Kobalt, Kupfer, Palladium oder Titan, einer Legierung, die ein beliebiges dieser Metallmaterialien enthält, oder einem Nitrid eines beliebigen dieser Metallmaterialien (z. B. Titannitrid) dünn ausgebildet werden, um eine Lichtdurchlässigkeit aufzuweisen. Alternativ kann auch ein mehrschichtiger Film aus beliebigen der vorstehenden Materialien als leitender Film verwendet werden. Zum Beispiel wird vorzugsweise ein mehrschichtiger Film, der ITO und eine Legierung aus Silber und Magnesium enthält, verwendet, in welchem Falle die Leitfähigkeit erhöht werden kann. Als weitere Alternative kann Graphen oder dergleichen verwendet werden.

Für den leitenden Film, der sichtbares Licht reflektiert, kann beispielsweise ein Metallmaterial, wie z. B. Aluminium, Gold, Platin, Silber, Nickel, Wolfram, Chrom, Molybdän, Eisen, Kobalt, Kupfer oder Palladium, oder eine Legierung, die ein beliebiges dieser Metallmaterialien enthält, verwendet werden. Ferner kann Lanthan, Neodym, Germanium oder dergleichen dem Metallmaterial oder der Legierung zugesetzt werden. Zudem kann eine Aluminium enthaltende Legierung (eine Aluminiumlegierung), wie z. B. eine Legierung aus Aluminium und Titan, eine Legierung aus Aluminium und Nickel oder eine Legierung aus Aluminium und Neodym, oder eine Silber enthaltende Legierung, wie z. B. eine Legierung aus Silber und Kupfer, eine Legierung aus Silber, Kupfer und Palladium oder eine Legierung aus Silber und Magnesium, für den leitenden Film verwendet werden. Eine Legierung aus Silber und Kupfer wird aufgrund ihrer hohen Wärmebeständigkeit bevorzugt. Des Weiteren kann dann, wenn ein Metallfilm oder ein Metalloxidfilm auf und in Kontakt mit einem Aluminiumlegierungsfilm angeordnet ist, eine Oxidation des Aluminiumlegierungsfilms verhindert werden. Beispiele für ein Material für den Metallfilm oder den Metalloxidfilm sind Titan und Titanoxid. Alternativ können der vorstehende leitende Film, der sichtbares Licht durchlässt, und ein Film, der ein Metallmaterial enthält, übereinander geschichtet werden. Zum Beispiel kann ein mehrschichtiger Film aus Silber und ITO oder ein mehrschichtiger Film, der eine Legierung aus Silber und Magnesium und ITO enthält, verwendet werden.

Jede der Elektroden kann durch ein Verdampfungsverfahren oder ein Sputterverfahren ausgebildet werden. Alternativ kann auch ein Ausstoßverfahren, wie z. B. ein Tintenstrahlverfahren, ein Druckverfahren, wie z. B. ein Siebdruckverfahren, oder ein Plattierungsverfahren verwendet werden.

Wenn eine Spannung, die höher ist als die Schwellenspannung des Licht emittierenden Elementes, zwischen der unteren Elektrode 231 und der oberen Elektrode 235 angelegt wird, werden Löcher von der Anodenseite und Elektronen von der Kathodenseite in die EL-Schicht 233 injiziert. Die injizierten Elektronen und Löcher rekombinieren in der EL-Schicht 233, und eine Licht emittierende Substanz, die in der EL-Schicht 233 enthalten ist, emittiert Licht.

Die EL-Schicht 233 umfasst mindestens eine Licht emittierende Schicht. Zusätzlich zu der Licht emittierenden Schicht kann die EL-Schicht 233 ferner eine oder mehrere Schicht/en umfassen, die eine beliebige der folgenden Substanzen enthält/enthalten: eine Substanz mit einer hohen Lochinjektionseigenschaft, eine Substanz mit einer hohen Lochtransporteigenschaft, ein lochblockierendes Material, eine Substanz mit einer hohen Elektronentransporteigenschaft, eine Substanz mit einer hohen Elektroneninjektionseigenschaft, eine Substanz mit einer bipolaren Eigenschaft (eine Substanz mit einer hohen Elektronen- und Lochtransporteigenschaft) und dergleichen.

Für die EL-Schicht 233 kann entweder eine niedermolekulare Verbindung oder eine hochmolekulare Verbindung verwendet werden, und eine anorganische Verbindung kann auch verwendet werden. Jede der Schichten, die in der EL-Schicht 233 enthalten sind, kann durch ein beliebiges der folgenden Verfahren ausgebildet werden: ein Verdampfungsverfahren (darunter auch ein Vakuumverdampfungsverfahren), ein Transferverfahren, ein Druckverfahren, ein Tintenstrahlverfahren, ein Beschichtungsverfahren und dergleichen.

Bei der Elementschicht 101 ist das Licht emittierende Element vorzugsweise zwischen einem Paar von isolierenden Filmen mit geringer Wasserdurchlässigkeit angeordnet. In diesem Fall kann verhindert werden, dass eine Verunreinigung, wie z. B. Wasser, in das Licht emittierende Element eindringt; dementsprechend wird eine Abnahme der Zuverlässigkeit der Licht emittierenden Vorrichtung verhindert.

Als isolierender Film mit geringer Wasserdurchlässigkeit kann ein Film, der Stickstoff und Silizium enthält (z. B. ein Siliziumnitridfilm oder ein Siliziumnitridoxidfilm), ein Film, der Stickstoff und Aluminium enthält (z. B. ein Aluminiumnitridfilm), oder dergleichen verwendet werden. Als Alternative kann auch ein Siliziumoxidfilm, ein Siliziumoxynitridfilm, ein Aluminiumoxidfilm oder dergleichen verwendet werden.

Der Wasserdampfdurchlässigkeitsgrad des isolierenden Films mit geringer Wasserdurchlässigkeit ist beispielsweise niedriger als oder gleich 1 × 10–5 [g/m2·Tag], bevorzugt niedriger als oder gleich 1 × 10–6 [g/m2·Tag], stärker bevorzugt niedriger als oder gleich 1 × 10–7 [g/m2·Tag], noch stärker bevorzugt niedriger als oder gleich 1 × 10–8 [g/m2·Tag].

Das Substrat 103 weist eine Lichtdurchlässigkeit auf und lässt mindestens Licht durch, das von dem in der Elementschicht 101 enthaltenen Licht emittierenden Element emittiert wird. Das Substrat 103 kann ein flexibles Substrat sein. Der Brechungsindex des Substrats 103 ist höher als derjenige der Luft.

Ein organisches Harz, das leichter ist als Glas, wird vorzugsweise für das Substrat 103 verwendet, in welchem Falle die Licht emittierende Vorrichtung leicht sein kann, im Vergleich zu dem Fall, in dem Glas verwendet wird.

Beispiele für ein Material, das Flexibilität und eine Lichtdurchlässigkeit für sichtbares Licht aufweist, umfassen Glas, das dünn genug ist, um Flexibilität aufzuweisen, Polyesterharze, wie z. B. Polyethylenterephthalat (PET) und Polyethylennaphthalat (PEN), ein Polyacrylnitrilharz, ein Polyimidharz, ein Polymethylmethacrylatharz, ein Polycarbonat-(PC-)Harz, ein Polyethersulfon-(PES-)Harz, ein Polyamidharz, ein Cycloolefinharz, ein Polystyrolharz, ein Polyamidimidharz und ein Polyvinylchloridharz. Im Besonderen wird ein Material bevorzugt, dessen Wärmeausdehnungskoeffizient gering ist, und beispielsweise kann ein Polyamidimidharz, ein Polyimidharz oder PET vorteilhaft verwendet werden. Man kann auch ein Substrat, bei dem eine Glasfaser mit einem organischen Harz imprägniert ist, oder ein Substrat verwenden, dessen Wärmeausdehnungskoeffizient durch Mischen eines organischen Harzes mit einem anorganischen Füllmaterial verringert ist.

Das Substrat 103 kann eine mehrschichtige Struktur haben, die eine Schicht aus einem beliebigen der oben genannten Materialien sowie eine Hartschicht (z. B. eine Siliziumnitridschicht), die eine Oberfläche der Licht emittierenden Vorrichtung vor Schäden oder dergleichen schützt, eine Schicht (z. B. eine Aramidharzschicht), die den Druck verteilen kann, oder dergleichen umfasst. Um eine Verkürzung der Lebensdauer des Licht emittierenden Elementes aufgrund von Feuchtigkeit und dergleichen zu unterdrücken, kann ferner der isolierende Film mit geringer Wasserdurchlässigkeit in der mehrschichtigen Struktur enthalten sein.

Die Klebeschicht 105 weist eine Lichtdurchlässigkeit auf und lässt mindestens Licht durch, das von dem in der Elementschicht 101 enthaltenen Licht emittierenden Element emittiert wird. Der Brechungsindex der Klebeschicht 105 ist höher als derjenige der Luft.

Für die Klebeschicht 105 kann ein aushärtendes Harz, das bei Raumtemperatur aushärtend ist (z. B. ein zwei Komponenten enthaltendes Harz), ein lichthärtendes Harz, ein wärmehärtendes Harz oder dergleichen verwendet werden. Beispiele für derartige Harze umfassen ein Epoxidharz, ein Acrylharz, ein Silikonharz und ein Phenolharz. Im Besonderen wird ein Material mit geringer Feuchtigkeitsdurchlässigkeit, wie z. B. ein Epoxidharz, bevorzugt.

Außerdem kann das Harz ein Trocknungsmittel enthalten. Beispielsweise kann eine Substanz, die durch eine chemische Adsorption Feuchtigkeit adsorbiert, wie z. B. ein Oxid eines Erdalkalimetalls (z. B. Calciumoxid oder Bariumoxid), verwendet werden. Alternativ kann auch eine Substanz, die durch eine physikalische Adsorption Feuchtigkeit adsorbiert, wie z. B. Zeolith oder Kieselgel, verwendet werden. Das Trocknungsmittel ist vorzugsweise enthalten, da es verhindern kann, dass eine Verunreinigung, wie z. B. Feuchtigkeit, in das Licht emittierende Element eindringt; somit kann die Zuverlässigkeit der Licht emittierenden Vorrichtung verbessert werden.

Zusätzlich wird vorzugsweise ein Füllmaterial mit einem hohen Brechungsindex (z. B. Titanoxid) in das Harz gemischt, in welchem Falle die Effizienz der Lichtextraktion von dem Licht emittierenden Element verbessert werden kann.

Die Klebeschicht 105 kann auch einen streuenden Teil zur Lichtstreuung enthalten. Es kann sich bei der Klebeschicht 105 beispielsweise um eine Mischung aus dem vorstehenden Harz und Partikeln mit einem Brechungsindex handeln, der sich von demjenigen des Harzes unterscheidet. Die Partikel dienen als streuender Teil zur Lichtstreuung.

Die Differenz zwischen dem Brechungsindex des Harzes und demjenigen der Partikel mit einem Brechungsindex, der sich von demjenigen des Harzes unterscheidet, ist bevorzugt 0,1 oder mehr, stärker bevorzugt 0,3 oder mehr. Insbesondere kann ein Epoxidharz, ein Acrylharz, ein Imidharz, Silikon oder dergleichen als Harz verwendet werden, und als Partikel kann Titanoxid, Bariumoxid, Zeolith oder dergleichen verwendet werden.

Titanoxid- oder Bariumoxidpartikel werden bevorzugt, weil sie Licht sehr gut streuen. Wenn Zeolith verwendet wird, kann er Wasser, das in dem Harz und dergleichen enthalten ist, adsorbieren, wodurch die Zuverlässigkeit des Licht emittierenden Elementes verbessert wird.

Die isolierende Schicht 205 und die isolierende Schicht 255 können jeweils unter Verwendung eines anorganischen Isoliermaterials ausgebildet werden. Besonders bevorzugt wird der isolierende Film mit geringer Wasserdurchlässigkeit verwendet, in welchem Falle ein hochzuverlässiges, Licht emittierendes Feld bereitgestellt werden kann.

Die isolierende Schicht 207 hat eine Wirkung zum Verhindern einer Diffusion von Verunreinigungen in einen Halbleiter, der in dem Transistor enthalten ist. Als die isolierende Schicht 207 kann ein anorganischer isolierender Film, wie z. B. ein Siliziumoxidfilm, ein Siliziumoxynitridfilm, ein Siliziumnitridfilm, ein Siliziumnitridoxidfilm oder ein Aluminiumoxidfilm, verwendet werden.

Als jede der isolierenden Schichten 209, 209a und 209b wird vorzugsweise ein isolierender Film mit einer Planarisierungsfunktion gewählt, um eine Oberflächenunebenheit aufgrund des Transistors oder dergleichen zu verringern. Beispielsweise kann ein organisches Material, wie z. B. ein Polyimidharz, ein Acrylharz oder ein Harz auf Benzocyclobuten-Basis, verwendet werden. Abgesehen von derartigen organischen Materialien kann auch ein Material mit niedriger Dielektrizitätskonstante (ein Material mit niedrigem k) oder dergleichen verwendet werden. Es sei angemerkt, dass der isolierende Planarisierungsfilm eine mehrschichtige Struktur haben kann, die isolierende Filme, die aus diesen Materialien ausgebildet sind, und anorganische isolierende Filme umfasst.

Die isolierende Schicht 211 ist derart angeordnet, dass sie einen Endabschnitt der unteren Elektrode 231 bedeckt. Damit die isolierende Schicht 211 vorteilhaft mit der EL-Schicht 233 und der darüber ausgebildeten oberen Elektrode 235 bedeckt werden kann, weist eine Seitenwand der isolierenden Schicht 211 vorzugsweise eine geneigte Oberfläche mit einer kontinuierlichen Krümmung auf.

Als Material für die isolierende Schicht 211 kann ein Harz oder ein anorganisches Isoliermaterial verwendet werden. Als Harz kann beispielsweise ein Polyimidharz, ein Polyamidharz, ein Acrylharz, ein Siloxanharz, ein Epoxidharz oder ein Phenolharz verwendet werden. Im Besonderen wird vorzugsweise entweder ein negatives lichtempfindliches Harz oder ein positives lichtempfindliches Harz verwendet, um die Ausbildung der isolierenden Schicht 211 zu vereinfachen.

Es gibt keine besondere Beschränkung hinsichtlich des Verfahrens zum Ausbilden der isolierenden Schicht 211; es kann ein Photolithographieverfahren, ein Sputterverfahren, ein Verdampfungsverfahren, ein Tröpfchenausstoßverfahren (z. B. ein Tintenstrahlverfahren), ein Druckverfahren (z. B. ein Siebdruckverfahren oder ein Offsetdruckverfahren) oder dergleichen verwendet werden.

Die isolierende Schicht 217 kann unter Verwendung eines anorganischen Isoliermaterials, eines organischen Isoliermaterials oder dergleichen ausgebildet werden. Als organisches Isoliermaterial kann beispielsweise ein negatives oder positives lichtempfindliches Harz, ein nicht-lichtempfindliches Harz oder dergleichen verwendet werden. Statt der isolierenden Schicht 217 kann auch eine leitende Schicht ausgebildet werden. Beispielsweise kann die leitende Schicht unter Verwendung eines Metallmaterials, wie z. B. Titan oder Aluminium, ausgebildet werden. Wenn eine leitende Schicht statt der isolierenden Schicht 217 verwendet und elektrisch mit der oberen Elektrode 235 verbunden wird, kann ein Spannungsabfall aufgrund des Widerstandes der oberen Elektrode 235 verhindert werden. Die isolierende Schicht 217 kann entweder eine sich verjüngende Form oder eine sich nach unten verjüngende Form haben.

Die isolierenden Schichten 276, 278, 291, 293 und 295 können jeweils unter Verwendung eines anorganischen Isoliermaterials oder eines organischen Isoliermaterials ausgebildet werden. Besonders bevorzugt wird ein isolierender Film mit einer Planarisierungsfunktion für jede der isolierenden Schichten 278 und 295 verwendet, um eine Oberflächenunebenheit aufgrund eines Sensorelementes zu verringern.

Für die Dichtungsschicht 213 kann ein Harz, das bei Raumtemperatur aushärtend ist (z. B. ein zwei Komponenten enthaltendes Harz), ein lichthärtendes Harz, ein wärmehärtendes Harz oder dergleichen verwendet werden. Beispielsweise kann ein Polyvinylchlorid-(PVC-)Harz, ein Acrylharz, ein Polyimidharz, ein Epoxidharz, ein Silikonharz, ein Polyvinylbutyral-(PVB-)Harz, ein Ethylenvinylacetat-(EVA-)Harz oder dergleichen verwendet werden. Ein Trocknungsmittel kann in der Dichtungsschicht 213 enthalten sein. In dem Fall, in dem Licht, das von dem Licht emittierenden Element 230 emittiert wird, durch die Dichtungsschicht 213 nach außen extrahiert wird, enthält die Dichtungsschicht 213 vorzugsweise ein Füllmaterial mit einem hohen Brechungsindex oder einen streuenden Teil. Materialien für das Trocknungsmittel, das Füllmaterial mit einem hohen Brechungsindex und der streuende Teil sind ähnlich den Materialien, die für die Klebeschicht 105 verwendet werden können.

Die leitenden Schichten 156, 157, 294 und 296 können jeweils unter Verwendung des gleichen Materials und desselben Schritts wie eine leitende Schicht ausgebildet werden, die in dem Transistor oder dem Licht emittierenden Element enthalten ist. Die leitende Schicht 280 kann unter Verwendung des gleichen Materials und desselben Schritts wie eine leitende Schicht ausgebildet werden, die in dem Transistor enthalten ist.

Beispielsweise kann jede der leitenden Schichten in einer einschichtigen oder mehrschichtigen Struktur ausgebildet werden, bei der ein Metallmaterial, wie z. B. Molybdän, Titan, Chrom, Tantal, Wolfram, Aluminium, Kupfer, Neodym oder Scandium, oder ein Legierungsmaterial, das ein beliebiges dieser Elemente enthält, verwendet wird. Jede der leitenden Schichten kann unter Verwendung eines leitenden Metalloxids ausgebildet werden. Als leitendes Metalloxid kann Indiumoxid (z. B. In2O3), Zinnoxid (z. B. SnO2), Zinkoxid (z. B. ZnO), ITO, Indiumzinkoxid (z. B. In2O3-ZnO) oder ein beliebiges dieser Metalloxidmaterialien, das Siliziumoxid enthält, verwendet werden.

Die leitenden Schichten 208, 212, 310a und 310b können jeweils auch unter Verwendung eines beliebigen der vorstehenden Metallmaterialien, Legierungsmaterialien und leitenden Metalloxide ausgebildet werden.

Es handelt sich bei jeder der leitenden Schichten 272, 274, 281 und 283 um eine leitende Schicht mit einer Lichtdurchlässigkeit. Die leitende Schicht kann beispielsweise unter Verwendung von Indiumoxid, ITO, Indiumzinkoxid, Zinkoxid, Zinkoxid, dem Gallium zugesetzt ist, oder dergleichen ausgebildet werden. Die leitende Schicht 270 kann unter Verwendung des gleichen Materials und desselben Schritts wie die leitende Schicht 272 ausgebildet werden.

Als die leitfähigen Partikel 292 werden Partikel eines organischen Harzes, Silica-Partikel oder dergleichen verwendet, welche mit einem Metallmaterial beschichtet sind. Vorzugsweise wird Nickel oder Gold als Metallmaterial verwendet, da der Kontaktwiderstand verringert werden kann. Es wird auch bevorzugt, Partikel zu verwenden, die jeweils mit Schichten aus zwei oder mehr Arten von Metallmaterialien beschichtet sind, so beispielsweise Partikel, die mit Nickel und weiter mit Gold beschichtet sind.

Für den Verbinder 215 kann ein pastöses oder blatfförmiges Material verwendet werden, das durch Mischen von Metallpartikeln in ein wärmehärtendes Harz erhalten wird und dem durch Thermokompressionsbonden eine anisotrope elektrische Leitfähigkeit verliehen worden ist. Als Metallpartikel werden vorzugsweise Partikel verwendet, bei denen zwei oder mehr Arten von Metallen geschichtet sind, so beispielsweise Nickelpartikel, die mit Gold beschichtet sind.

Es handelt sich bei der Farbschicht 259 um eine gefärbte Schicht, die Licht in einem spezifischen Wellenlängenbereich durchlässt. Beispielsweise kann ein roter (R) Farbfilter zum Durchlassen von Licht in einem roten Wellenlängenbereich, ein grüner (G) Farbfilter zum Durchlassen von Licht in einem grünen Wellenlängenbereich, ein blauer (B) Farbfilter zum Durchlassen von Licht in einem blauen Wellenlängenbereich oder dergleichen verwendet werden. Jede Farbschicht wird mittels eines beliebigen verschiedener Materialien durch ein Druckverfahren, ein Tintenstrahlverfahren, ein Ätzverfahren unter Verwendung eines Photolithographieverfahrens oder dergleichen in einer gewünschten Position ausgebildet.

Die lichtundurchlässige Schicht 257 ist zwischen den benachbarten Farbschichten 259 angeordnet. Die lichtundurchlässige Schicht 257 blockiert Licht, das von dem benachbarten Licht emittierenden Element emittiert wird, und verhindert dadurch eine Mischung der Farben der benachbarten Pixel. Dabei ist die Farbschicht 259 derart angeordnet, dass ihr Endabschnitt die lichtundurchlässige Schicht 257 überlappt, wodurch eine Lichtleckage verringert werden kann. Die lichtundurchlässige Schicht 257 kann unter Verwendung eines Materials ausgebildet werden, das Licht blockiert, das von dem Licht emittierenden Element emittiert wird, so beispielsweise eines Metallmaterials, eines Harzmaterials, das ein Pigment oder einen Farbstoff enthält, oder dergleichen. Es sei angemerkt, dass, wie in 7B dargestellt, die lichtundurchlässige Schicht 257 vorzugsweise in einem anderem Bereich als dem Lichtextraktionsabschnitt 104, wie z. B. in dem Treiberschaltungsabschnitt 106, angeordnet ist, in welchem Falle eine unerwünschte Leckage von geleitetem Licht oder dergleichen verhindert werden kann.

Vorzugsweise ist die isolierende Schicht 261, die die Farbschicht 259 und die lichtundurchlässige Schicht 257 bedeckt, bereitgestellt, da sie verhindern kann, dass eine Verunreinigung, wie z. B. ein in der Farbschicht 259 oder der lichtundurchlässigen Schicht 257 enthaltenes Pigment, in das Licht emittierende Element oder dergleichen diffundiert. Für die isolierende Schicht 261 wird ein lichtdurchlässiges Material verwendet, wobei ein anorganisches Isoliermaterial oder ein organisches Isoliermaterial verwendet werden kann. Der isolierende Film mit geringer Wasserdurchlässigkeit kann auch für die isolierende Schicht 261 verwendet werden. Es sei angemerkt, dass die isolierende Schicht 261 nicht notwendigerweise bereitgestellt wird.

<Beispiel für ein Herstellungsverfahren>

Als Nächstes wird ein Beispiel für ein Verfahren zum Herstellen eines Licht emittierenden Feldes anhand von 11A bis 11C und 12A bis 12C beschrieben. Hier wird das Herstellungsverfahren unter Verwendung des Licht emittierenden Feldes des konkreten Beispiels 1 (7B) als Beispiel beschrieben.

Zunächst wird eine Trennschicht 303 über einem Bildungssubstrat 301 ausgebildet, und die isolierende Schicht 205 wird über der Trennschicht 303 ausgebildet. Anschließend werden die Vielzahl von Transistoren, die leitende Schicht 157, die isolierende Schicht 207, die isolierende Schicht 209, die Vielzahl von Licht emittierenden Elementen und die isolierende Schicht 211 über der isolierenden Schicht 205 ausgebildet. Eine Öffnung wird in den isolierenden Schichten 211, 209 und 207 ausgebildet, um die leitende Schicht 157 freizulegen (11A).

Außerdem wird eine Trennschicht 307 über einem Bildungssubstrat 305 ausgebildet, und die isolierende Schicht 255 wird über der Trennschicht 307 ausgebildet. Anschließend werden die lichtundurchlässige Schicht 257, die Farbschicht 259 und die isolierende Schicht 261 über der isolierenden Schicht 255 ausgebildet (11B).

Das Bildungssubstrat 301 und das Bildungssubstrat 305 können jeweils ein Glassubstrat, ein Quarzsubstrat, ein Saphirsubstrat, ein Keramiksubstrat, ein Metallsubstrat oder dergleichen sein.

Für das Glassubstrat kann beispielsweise ein Glasmaterial, wie z. B. Aluminosilikatglas, Aluminoborosilikatglas oder Bariumborosilikatglas, verwendet werden. Wenn die Temperatur einer später durchgeführten Wärmebehandlung hoch ist, wird vorzugsweise ein Substrat verwendet, das eine untere Entspannungsgrenze (strain point) von 730°C oder höher aufweist.

Es sei angemerkt, dass das Glassubstrat wärmebeständig und praktischer sein kann, wenn es eine große Menge an Bariumoxid (BaO) enthält. Alternativ kann auch kristallisiertes Glas oder dergleichen verwendet werden.

In dem Fall, in dem ein Glassubstrat als Bildungssubstrat verwendet wird, wird vorzugsweise ein isolierender Film, wie z. B. ein Siliziumoxidfilm, ein Siliziumoxynitridfilm, ein Siliziumnitridfilm oder ein Siliziumnitridoxidfilm, zwischen dem Bildungssubstrat und der Trennschicht ausgebildet, in welchem Falle eine Kontamination durch das Glassubstrat verhindert werden kann.

Die Trennschicht 303 und die Trennschicht 307 haben jeweils eine einschichtige oder mehrschichtige Struktur, enthaltend ein Element, das aus Wolfram, Molybdän, Titan, Tantal, Niob, Nickel, Kobalt, Zirconium, Zink, Ruthenium, Rhodium, Palladium, Osmium, Iridium und Silizium ausgewählt wird, ein Legierungsmaterial, das ein beliebiges der Elemente enthält, oder ein Verbindungsmaterial, das ein beliebiges der Elemente enthält. Eine Kristallstruktur einer Silizium enthaltenden Schicht kann amorph, mikrokristallin oder polykristallin sein.

Die Trennschicht kann durch ein Sputterverfahren, ein Plasma-CVD-Verfahren, ein Beschichtungsverfahren, ein Druckverfahren oder dergleichen ausgebildet werden. Es sei angemerkt, dass ein Rotationsbeschichtungsverfahren, ein Tröpfchenausstoßverfahren und ein Dispenserverfahren zum Beschichtungsverfahren gehören.

In dem Fall, in dem die Trennschicht eine einschichtige Struktur hat, wird vorzugsweise eine Wolframschicht, eine Molybdänschicht oder eine Schicht, die eine Mischung aus Wolfram und Molybdän enthält, ausgebildet. Alternativ kann auch eine Schicht, die ein Oxid oder ein Oxynitrid von Wolfram enthält, eine Schicht, die ein Oxid oder ein Oxynitrid von Molybdän enthält, oder eine Schicht, die ein Oxid oder ein Oxynitrid einer Mischung aus Wolfram und Molybdän enthält, ausgebildet werden. Es sei angemerkt, dass die Mischung aus Wolfram und Molybdän beispielsweise einer Legierung aus Wolfram und Molybdän entspricht.

In dem Fall, in dem die Trennschicht in einer mehrschichtigen Struktur ausgebildet wird, die eine Wolfram enthaltende Schicht und eine ein Oxid von Wolfram enthaltende Schicht umfasst, kann die ein Oxid von Wolfram enthaltende Schicht wie folgt ausgebildet werden: Zuerst wird die Wolfram enthaltende Schicht ausgebildet, und ein isolierender Film aus einem Oxid wird darüber ausgebildet, so dass die ein Oxid von Wolfram enthaltende Schicht an der Grenzfläche zwischen der Wolframschicht und dem isolierenden Film ausgebildet wird. Alternativ kann die ein Oxid von Wolfram enthaltende Schicht ausgebildet werden, indem eine thermische Oxidationsbehandlung, eine Sauerstoffplasmabehandlung, eine Distickstoffoxid-(N2O-)Plasmabehandlung, eine Behandlung mit einer stark oxidierenden Lösung, wie z. B. Ozonwasser, oder dergleichen, an der Oberfläche der Wolfram enthaltenden Schicht durchgeführt wird. Eine Plasmabehandlung oder eine Wärmebehandlung kann in einer Atmosphäre von Sauerstoff, Stickstoff oder Distickstoffoxid selbst oder in einem Gasgemisch aus einem beliebigen dieser Gase und einem weiteren Gas durchgeführt werden. Der Oberflächenzustand der Trennschicht wird durch die Plasmabehandlung oder die Wärmebehandlung verändert, wodurch die Adhäsion zwischen der Trennschicht und der später ausgebildeten isolierenden Schicht gesteuert werden kann.

Jede der isolierenden Schichten kann durch ein Sputterverfahren, ein Plasma-CVD-Verfahren, ein Beschichtungsverfahren, ein Druckverfahren oder dergleichen ausgebildet werden. Zum Beispiel wird die isolierende Schicht durch ein Plasma-CVD-Verfahren bei einer Temperatur von höher als oder gleich 250°C und niedriger als oder gleich 400°C ausgebildet, wodurch es sich bei der isolierenden Schicht um einen dichten Film mit sehr geringer Wasserdurchlässigkeit handeln kann.

Danach wird ein Material für die Dichtungsschicht 213 auf eine Oberfläche des Bildungssubstrats 305, über dem die Farbschicht 259 und dergleichen ausgebildet sind, oder eine Oberfläche des Bildungssubstrats 301 aufgebracht, über dem das Licht emittierende Element 230 und dergleichen ausgebildet sind; das Bildungssubstrat 301 und das Bildungssubstrat 305 werden derart aneinander angebracht, dass diese zwei Oberflächen einander zugewandt sind, wobei die Dichtungsschicht 213 dazwischen positioniert ist (11C).

Anschließend wird das Bildungssubstrat 301 abgetrennt, und die freiliegende isolierende Schicht 205 und das Substrat 201 werden mit der Klebeschicht 203 aneinander angebracht. Des Weiteren wird das Bildungssubstrat 305 abgetrennt, und die freiliegende isolierende Schicht 255 und das Substrat 103 werden mit der Klebeschicht 105 aneinander angebracht. Obwohl in 12A das Substrat 103 die leitende Schicht 157 nicht überlappt, kann das Substrat 103 die leitende Schicht 157 überlappen.

Verschiedene Verfahren können gegebenenfalls für den Trennungsprozess verwendet werden. Wenn beispielsweise eine Schicht, die einen Metalloxidfilm umfasst, als Trennschicht auf der Seite in Kontakt mit der abzutrennenden Schicht ausgebildet wird, wird der Metalloxidfilm durch Kristallisation brüchig, wodurch die abzutrennende Schicht von dem Bildungssubstrat abgetrennt werden kann. Alternativ wird dann, wenn ein Wasserstoff enthaltender amorpher Siliziumfilm als Trennschicht zwischen dem Bildungssubstrat, das eine hohe Wärmebeständigkeit aufweist, und der abzutrennenden Schicht ausgebildet wird, der amorphe Siliziumfilm durch eine Bestrahlung mit Laserlicht oder ein Ätzen entfernt, wodurch die abzutrennende Schicht von dem Bildungssubstrat abgetrennt werden kann. Alternativ wird, nachdem eine Schicht, die einen Metalloxidfilm umfasst, als Trennschicht auf der Seite in Kontakt mit der abzutrennenden Schicht ausgebildet worden ist, der Metalloxidfilm durch Kristallisation brüchig, und ein Teil der Trennschicht wird durch ein Ätzen unter Verwendung einer Lösung oder eines Fluoridgases, wie z. B. NF3, BrF3 oder ClF3, entfernt, wodurch die Trennung an dem brüchigen Metalloxidfilm auftreten kann. Ferner kann ein Verfahren verwendet werden, bei dem ein Film, der Stickstoff, Sauerstoff, Wasserstoff oder dergleichen enthält (zum Beispiel ein Wasserstoff enthaltender amorpher Siliziumfilm, ein Wasserstoff enthaltender Legierungsfilm, ein Sauerstoff enthaltender Legierungsfilm oder dergleichen), als Trennschicht verwendet wird und bei dem die Trennschicht mit Laserlicht bestrahlt wird, um den in der Trennschicht enthaltenen Stickstoff, Sauerstoff oder Wasserstoff als Gas abzugeben, wodurch die Trennung zwischen der abzutrennenden Schicht und dem Bildungssubstrat gefördert wird. Alternativ ist es auch möglich, ein Verfahren, bei dem das Bildungssubstrat, das mit der abzutrennenden Schicht versehen ist, mechanisch oder durch ein Ätzen unter Verwendung einer Lösung oder eines Fluoridgases, wie z. B. NF3, BrF3 oder ClF3, entfernt wird, oder dergleichen zu verwenden. In diesem Fall wird die Trennschicht nicht notwendigerweise bereitgestellt.

Überdies kann der Trennungsprozess durch Kombination der oben beschriebenen Trennverfahren leicht ausgeführt werden. Mit anderen Worten: Die Trennung kann mit physikalischer Kraft (durch eine Maschine oder dergleichen) durchgeführt werden, nachdem die Trennschicht einer Bestrahlung mit Laserlicht, einem Ätzen mit einem Gas, einer Lösung oder dergleichen oder einer mechanischen Entfernung mit einem scharfen Messer, Skalpell oder dergleichen unterzogen worden ist, so dass die Trennschicht und die abzutrennende Schicht leicht voneinander abgetrennt werden können.

Die Trennung der abzutrennenden Schicht von dem Bildungssubstrat kann ausgeführt werden, indem die Grenzfläche zwischen der Trennschicht und der abzutrennenden Schicht mit einer Flüssigkeit gefüllt wird. Ferner kann die Trennung ausgeführt werden, während eine Flüssigkeit, wie z. B. Wasser, gegossen wird.

Als weiteres Trennverfahren wird vorzugsweise in dem Fall, in dem die Trennschicht unter Verwendung von Wolfram ausgebildet wird, die Trennung durchgeführt, während die Trennschicht unter Verwendung eines Lösungsgemisches aus Ammoniakwasser und einer Wasserstoffperoxidlösung geätzt wird.

Es sei angemerkt, dass die Trennschicht nicht notwendig ist, falls die Trennung an der Grenzfläche zwischen dem Bildungssubstrat und der abzutrennenden Schicht möglich ist. Zum Beispiel wird Glas als Bildungssubstrat verwendet, ein organisches Harz, wie z. B. Polyimid, Polyester, Polyolefin, Polyamid, Polycarbonat oder Acryl, wird in Kontakt mit dem Glas ausgebildet, und ein isolierender Film, ein Transistor und dergleichen werden über dem organischen Harz ausgebildet. In diesem Fall erfolgt durch eine Erwärmung des organischen Harzes die Trennung an der Grenzfläche zwischen dem Bildungssubstrat und dem organischen Harz. Alternativ kann auch eine Trennung an der Grenzfläche zwischen einer Metallschicht und dem organischen Harz auf die folgende Weise durchgeführt werden: Die Metallschicht wird zwischen dem Bildungssubstrat und dem organischen Harz angeordnet, und ein Strom wird zum Fließen in der Metallschicht gebracht, so dass die Metallschicht erwärmt wird. Das organische Harz, das von dem Bildungssubstrat abgetrennt worden ist, kann als Substrat des Licht emittierenden Feldes verwendet werden. Alternativ kann das organische Harz mit einem Klebstoff an einem Substrat angebracht werden.

Schließlich wird eine Öffnung in der isolierenden Schicht 255 und der Dichtungsschicht 213 ausgebildet, um die leitende Schicht 157 freizulegen (12B). In dem Fall, in dem das Substrat 103 die leitende Schicht 157 überlappt, wird die Öffnung auch in dem Substrat 103 und der Klebeschicht 105 ausgebildet, so dass die leitende Schicht 157 freigelegt wird (12C). Das Verfahren zum Ausbilden der Öffnung ist nicht besonders beschränkt und kann beispielsweise ein Laserabscheidungsverfahren, ein Ätzverfahren, ein Ionenstrahlsputterverfahren oder dergleichen sein. Bei einem weiteren Verfahren kann ein Schlitz mit einem scharfen Messer oder dergleichen in einem Film über der leitenden Schicht 157 geschnitten werden und kann ein Teil des Films durch eine physikalische Kraft abgetrennt werden.

Auf die oben beschriebene Weise kann das Licht emittierende Feld hergestellt werden.

Wie oben beschrieben, beinhaltet das Licht emittierende Feld dieser Ausführungsform zwei Substrate; eines ist das Substrat 103, und das andere ist das Substrat 201 oder das Substrat 202. Das Licht emittierende Feld kann mit zwei Substraten ausgebildet werden, auch wenn es einen Berührungssensor beinhaltet. Da eine minimale Anzahl von Substraten verwendet wird, können eine Verbesserung der Lichtextraktionseffizienz und eine Verbesserung der Bildschärfe leicht erzielt werden.

Diese Ausführungsform kann gegebenenfalls mit jeder anderen Ausführungsform kombiniert werden.

(Ausführungsform 3)

Bei dieser Ausführungsform wird ein Licht emittierendes Feld anhand von 13 beschrieben.

Das Licht emittierende Feld in 13 beinhaltet ein Substrat 401, den Transistor 240, das Licht emittierende Element 230, die isolierende Schicht 207, die isolierende Schicht 209, die isolierende Schicht 211, die isolierende Schicht 217, einen Raum 405, die isolierende Schicht 261, die lichtundurchlässige Schicht 257, die Farbschicht 259, ein Licht empfangendes Element (das die p-Typ-Halbleiterschicht 271, die i-Typ-Halbleiterschicht 273 und die n-Typ-Halbleiterschicht 275 beinhaltet), die leitende Schicht 281, die leitende Schicht 283, die isolierende Schicht 291, die isolierende Schicht 293, die isolierende Schicht 295 und ein Substrat 403.

Das Licht emittierende Feld beinhaltet eine Klebeschicht (nicht gezeigt), die in Rahmenform zwischen dem Substrat 401 und dem Substrat 403 derart ausgebildet ist, dass sie das Licht emittierende Element 230 und das Licht empfangende Element umgibt. Das Licht emittierende Element 230 ist von der Klebeschicht, dem Substrat 401 und dem Substrat 403 abgedichtet.

Bei dem Licht emittierenden Feld dieser Ausführungsform weist das Substrat 403 eine Lichtdurchlässigkeit auf. Licht, das von dem Licht emittierenden Element 230 emittiert wird, wird durch die Farbschicht 259, das Substrat 403 und dergleichen in die Luft extrahiert.

Das Licht emittierende Feld dieser Ausführungsform ist zur Touch-Bedienung geeignet. Mit dem Licht empfangenden Element kann insbesondere eine Nähe oder ein Kontakt eines Objekts an einer Oberfläche des Substrats 403 erkannt werden.

Ein optischer Berührungssensor ist sehr haltbar und wird bevorzugt, weil seine Erfassungsgenauigkeit nicht durch Schäden an einer Oberfläche, die von einem Objekt berührt wird, beeinflusst wird. Ein optischer Berührungssensor hat auch Vorteile, dass er zur kontaktlosen Erfassung geeignet ist, dass er die Bildschärfe nicht verschlechtert, wenn er bei einer Anzeigevorrichtung verwendet wird und dass er für große Licht emittierende Felder und Anzeigevorrichtungen eingesetzt werden kann.

Vorzugsweise wird ein optischer Berührungssensor zwischen dem Substrat 403 und dem Raum 405 angeordnet, da der optische Berührungssensor von Licht, das von dem Licht emittierenden Element 230 emittiert wird, mit geringerer Wahrscheinlichkeit beeinflusst wird und ein verbessertes S/N-Verhältnis aufweisen kann.

Die lichtundurchlässige Schicht 257 ist näher an dem Substrat 401 als das Licht empfangende Element und überlappt das Licht empfangende Element. Die lichtundurchlässige Schicht 257 kann verhindern, dass das Licht empfangende Element mit Licht, das von dem Licht emittierenden Element 230 emittiert wird, bestrahlt wird.

Es gibt keine besondere Beschränkung hinsichtlich der Materialien, die für die Substrate 401 und 403 verwendet werden. Das Substrat, durch das das von dem Licht emittierenden Element emittierte Licht extrahiert wird, wird unter Verwendung eines Materials ausgebildet, das das Licht durchlässt. Beispielsweise kann ein Material, wie z. B. Glas, Quarz, Keramik, Saphir oder ein organisches Harz, verwendet werden. Da das Substrat, durch das kein Licht extrahiert wird, keine Lichtdurchlässigkeit benötigt, kann neben den oben genannten Substraten auch ein Metallsubstrat oder dergleichen verwendet werden, für das ein Metallmaterial oder ein Legierungsmaterial verwendet wird. Außerdem kann auch ein beliebiges der Materialien für die Substrate, die bei den vorstehenden Ausführungsformen angegeben worden sind, für die Substrate 401 und 403 verwendet werden.

Es besteht keine Beschränkung hinsichtlich eines Verfahrens zum Abdichten des Licht emittierenden Feldes, und entweder Massivdichtung oder Hohldichtung kann zum Einsatz kommen. Beispielsweise kann als Dichtungsmaterial ein Glasmaterial, wie z. B. eine Glasfritte, oder ein Harzmaterial, wie z. B. ein Harz, das bei Raumtemperatur aushärtend ist (z. B. ein zwei Komponenten enthaltendes Harz), ein lichthärtendes Harz oder ein wärmehärtendes Harz, verwendet werden. Der Raum 405 kann mit einem Inertgas, wie z. B. Stickstoff oder Argon, oder mit einem Harz oder dergleichen gefüllt werden, das dem für die Dichtungsschicht 213 verwendeten Harz ähnlich ist. Das Harz kann ferner das Trocknungsmittel, das Füllmaterial mit einem hohen Brechungsindex oder den streuenden Teil enthalten.

Diese Ausführungsform kann gegebenenfalls mit jeder anderen Ausführungsform kombiniert werden.

[Beispiel]

Bei diesem Beispiel wurde eine Licht emittierende Vorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hergestellt. Die Licht emittierende Vorrichtung dieses Beispiels kann als eine Anzeige mit dreifach faltbarem Bildschirm (tri-fold folding screen type display) bezeichnet werden.

18A und 18B stellen ein Licht emittierendes Feld der bei diesem Beispiel hergestellten Licht emittierenden Vorrichtung dar. Die bei diesem Beispiel hergestellte Licht emittierende Vorrichtung unterscheidet sich von dem bei der Ausführungsform 2 beschriebenen konkreten Beispiel 1 (7B) darin, dass das Substrat 103 und das Substrat 201 unterschiedliche Größen aufweisen und dass die isolierende Schicht 217 zwischen Pixeln für unterschiedliche Farben angeordnet ist. Bezüglich der sonstigen Bestandteile kann man auf die Beschreibung des konkreten Beispiels 1 und dergleichen Bezug nehmen. Bezüglich der isolierenden Schicht 217 kann man auf die Beschreibung des konkreten Beispiels 2 und dergleichen Bezug nehmen.

Das Licht emittierende Feld wurde mittels des bei der Ausführungsform 2 beschriebenen Herstellungsverfahrens hergestellt.

Zunächst wurde die Trennschicht 303 über einem Glassubstrat ausgebildet, das als das Bildungssubstrat 301 diente, und eine abzutrennende Schicht wurde über der Trennschicht 303 ausgebildet. Außerdem wurde die Trennschicht 307 über einem Glassubstrat ausgebildet, das als das Bildungssubstrat 305 diente, und eine abzutrennende Schicht wurde über der Trennschicht 307 ausgebildet. Anschließend wurden das Bildungssubstrat 301 und das Bildungssubstrat 305 derart aneinander angebracht, dass die Oberflächen, auf denen die abzutrennenden Schichten ausgebildet waren, einander zugewandt waren. Die zwei Bildungssubstrate wurden dann von den abzutrennenden Schichten abgetrennt, und flexible Substrate wurden an den abzutrennenden Schichten angebracht. Im Folgenden werden Materialien für die einzelnen Schichten beschrieben.

Wie bei jeder der Trennschichten 303 und 307 wurde eine mehrschichtige Struktur aus einem Wolframfilm und einem Wolframoxidfilm über dem Wolframfilm ausgebildet.

Bei der mehrschichtigen Struktur der Trennschicht tritt die Trennung gleich nach der Abscheidung nicht leicht auf; jedoch verändert eine durch eine Wärmebehandlung hervorgerufene Reaktion mit einem anorganischen isolierenden Film den Zustand der Grenzfläche zwischen der Trennschicht und dem anorganischen isolierenden Film, so dass sie brüchig wird. Dann erfolgt eine physikalische Trennung, indem ein Anfangspunkt der Trennung ausgebildet wird.

Als abzutrennende Schicht über der Trennschicht 303 wurden die isolierende Schicht 205, ein Transistor und ein organisches EL-Element, das als das Licht emittierende Element 230 diente, ausgebildet. Als abzutrennende Schicht über der Trennschicht 307 wurden die isolierende Schicht 255, ein Farbfilter (der Farbschicht 259 entsprechend) und dergleichen ausgebildet.

Eine mehrschichtige Struktur, die einen Siliziumoxynitridfilm, einen Siliziumnitridfilm und dergleichen umfasste, wurde als jede der isolierenden Schichten 205 und 255 verwendet.

Als Transistor wurde ein Transistor verwendet, der einen kristallinen Oxidhalbleiter mit Ausrichtung bezüglich der c-Achse (c-axis aligned crystalline oxide semiconductor, CAAC-OS) enthielt. Da der CAAC-OS, der nicht amorph ist, wenige Defektzustände aufweist, kann die Verwendung des CAAC-OS die Zuverlässigkeit des Transistors verbessern. Da der CAAC-OS keine Korngrenze aufweist, erzeugt außerdem eine Beanspruchung, die durch Biegung einer flexiblen Vorrichtung verursacht wird, nicht leicht einen Riss in einem CAAC-OS-Film.

Es handelt sich bei einem CAAC-OS um einen Oxidhalbleiter, der eine Ausrichtung bezüglich der c-Achse in einer Richtung im Wesentlichen senkrecht zur Filmoberfläche aufweist. Es ist festgestellt worden, dass Oxidhalbleiter, neben einer amorphen Struktur und einer einkristallinen Struktur, verschiedene Kristallstrukturen haben. Ein Beispiel für derartige Strukturen ist eine nanokristalline(nano-crystal, nc-)Struktur, die ein Aggregat von Mikrokristallen im Nanobereich ist. Die Kristallinität einer CAAC-Struktur ist niedriger als diejenige einer einkristallinen Struktur, aber höher als diejenige einer amorphen Struktur und diejenige einer nc-Struktur.

Bei diesem Beispiel wurde ein kanalgeätzter Transistor (channel-etched transistor) verwendet, der ein Oxid auf In-Ga-Zn-Basis enthielt. Der Transistor kann bei einer Prozesstemperatur von niedriger als 500°C über einem Glassubstrat hergestellt werden.

Bei einem Verfahren zum Herstellen eines Elementes, wie z. B. eines Transistors, direkt über einem organischen Harz, wie z. B. einem Kunststoffsubstrat, muss die Temperatur im Prozess zum Herstellen des Elementes niedriger sein als die obere Temperaturgrenze des organischen Harzes. Bei dem Bildungssubstrat dieses Beispiels handelt es sich um ein Glassubstrat, und die Trennschicht, die ein anorganischer Film ist, weist eine hohe Wärmebeständigkeit auf; deshalb kann der Transistor bei einer Temperatur hergestellt werden, die gleich der Temperatur ist, bei der ein Transistor über einem Glassubstrat hergestellt wird. Daher können die Leistung und Zuverlässigkeit des Transistors leicht sichergestellt werden.

Als das Licht emittierende Element 230 wurde ein organisches Tandem-EL-Element verwendet, das eine Fluoreszenz emittierende Einheit, die eine blaues Licht emittierende Schicht umfasst, und eine Phosphoreszenz emittierende Einheit, die eine grünes Licht emittierende Schicht und eine rotes Licht emittierende Schicht umfasst, beinhaltet. Das Licht emittierende Element 230 hat eine Top-Emission-Struktur. Als die untere Elektrode 231 des Licht emittierenden Elementes 230 wurden ein Aluminiumfilm, ein Titanfilm über dem Aluminiumfilm und ein als optische Anpassungsschicht dienender ITO-Film über dem Titanfilm geschichtet. Die Dicke der optischen Anpassungsschicht variierte in Abhängigkeit von der Farbe des Pixels. Dank der Kombination eines Farbfilters und einer Mikrokavitätsstruktur (microcavity structure) kann Licht mit hoher Farbreinheit von dem bei diesem Beispiel hergestellten Licht emittierenden Feld extrahiert werden. Als jedes der Substrate 103 und 201 wurde ein 20 μm dicker flexibler organischer Harzfilm verwendet.

Bei dem hergestellten Licht emittierenden Feld hatte ein Licht emittierender Bereich (Pixelabschnitt) eine Größe von 5,9 Zoll in der Diagonale, und es betrugen die Anzahl von Pixeln 720×1280×3 (RGB), der Pixelabstand 0,102 mm×0,102 mm, die Auflösung 249 ppi und das Öffnungsverhältnis 45,2%. Verwendet wurden ein integrierter Abtasttreiber (built-in scan driver) und ein externer Source-Treiber, der durch Chip-on-Film (COF) angebracht wurde.

19A bis 19D sind Fotografien, die die Anzeige auf der bei diesem Beispiel hergestellten Licht emittierenden Vorrichtung zeigen. 19A zeigt die Licht emittierende Vorrichtung, die geöffnet ist, 19B und 19C zeigen jeweils die Licht emittierende Vorrichtung beim Falten, und 19D zeigt die Licht emittierende Vorrichtung, die gefaltet ist. Der Krümmungsradius eines gefalteten Abschnitts war 4 mm. Die Licht emittierende Vorrichtung dieses Beispiels hatte kein Problem beim Anzeigen und Betrieb, auch wenn sie während der Anzeige eines Bildes gefaltet wurde. Die Licht emittierende Vorrichtung dieses Beispiels weist Funktionen auf, um mit einem Sensor zu erfassen, ob sie sich im geöffneten Zustand oder im gefalteten Zustand befindet, und um dem Zustand entsprechend verschiedene Bilder anzuzeigen. Dank dieser Funktionen weist die Licht emittierende Vorrichtung auch eine Funktion auf, um Strom zu sparen, indem der Betrieb eines Bereichs des Licht emittierenden Feldes unterbrochen wird, der im gefalteten Zustand verborgen ist.

Wäre dabei das Licht emittierende Feld mit einem Paar von Schutzschichten und/oder einem Paar von Trägerteilen vollständig fixiert, so würde das Licht emittierende Feld in einigen Fällen beim Falten der Licht emittierenden Vorrichtung unter Spannung beschädigt werden. Beim Öffnen der Licht emittierenden Vorrichtung würde sich außerdem das Licht emittierende Feld in einigen Fällen durch eine Kraft in einer Richtung zusammenziehen, so dass es beschädigt werden würde. Das Licht emittierende Feld der bei diesem Beispiel hergestellten Licht emittierenden Vorrichtung ist mit einem Paar von Schutzschichten und/oder einem Paar von Trägerteilen nicht vollständig fixiert. Dementsprechend verschiebt sich das Licht emittierende Feld beim Falten oder Öffnen der Licht emittierenden Vorrichtung derart, dass sich die Position des Licht emittierenden Feldes in Bezug auf das Paar von Schutzschichten und/oder das Paar von Trägerteilen verändert. Folglich kann verhindert werden, dass das Licht emittierende Feld durch eine Kraft beschädigt wird.

20A bis 20C stellen eine Licht emittierende Vorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar. Dabei ist das Licht emittierende Feld 11 nicht mit einem Paar von Trägerteilen 15a(1) und 15b(1) fixiert. Das Licht emittierende Feld 11 ist von einem Paar von Trägerteilen 15a(2) und 15b(2), einem Paar von Trägerteilen 15a(3) und 15b(3) oder den beiden Paaren getragen. Obwohl die Licht emittierende Vorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mehrere Paare von Trägerteilen beinhaltet, ist es nur notwendig, dass das Licht emittierende Feld mit mindestens einem Paar von Trägerteilen fixiert ist.

Die Anzeige auf dem Licht emittierenden Feld 11, die sich bei der Licht emittierenden Vorrichtung im geöffneten Zustand in 20A entlang der Strichpunktlinie M1–N1 befindet, befindet sich beim Falten der Licht emittierenden Vorrichtung an einer Position entlang der Strichpunktlinie M2–N2, wie in 20B gezeigt. Bei der Licht emittierenden Vorrichtung im gefalteten Zustand in 20C befindet sich ferner die Anzeige entlang der Strichpunktlinie M3–N3. Auf diese Weise verschiebt sich beim Falten oder Öffnen der Licht emittierenden Vorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung das Licht emittierende Feld, da das Licht emittierende Feld mit einem Paar von Schutzschichten und/oder einem Paar von Trägerteilen nicht vollständig fixiert ist. Dementsprechend verändert sich die Position des Licht emittierenden Feldes in Bezug auf das Paar von Schutzschichten und/oder das Paar von Trägerteilen. Folglich kann verhindert werden, dass das Licht emittierende Feld durch eine Kraft beschädigt wird.

Erläuterung der Bezugszeichen

  • 11: Licht emittierendes Feld, 11a: Licht emittierender Bereich, 11b: kein Licht emittierender Bereich, 13: Schutzschicht, 13a: Schutzschicht, 13b: Schutzschicht, 15: Trägerteil, 15a: Trägerteil, 15b: Trägerteil, 101: Elementschicht, 103: Substrat, 104: Lichtextraktionsabschnitt, 105: Klebeschicht, 106: Treiberschaltungsabschnitt, 108: FPC, 108a: FPC, 108b: FPC, 156: leitende Schicht, 157: leitende Schicht, 201: Substrat, 202: Substrat, 203: Klebeschicht, 205: isolierende Schicht, 207: isolierende Schicht, 208: leitende Schicht, 209: isolierende Schicht, 209a: isolierende Schicht, 209b: isolierende Schicht, 211: isolierende Schicht, 212: leitende Schicht, 213: Dichtungsschicht, 215: Verbinder, 215a: Verbinder, 215b: Verbinder, 217: isolierende Schicht, 230: Licht emittierendes Element, 231: untere Elektrode, 233: EL-Schicht, 235: obere Elektrode, 240: Transistor, 255: isolierende Schicht, 257: lichtundurchlässige Schicht, 259: Farbschicht, 261: isolierende Schicht, 270: leitende Schicht, 271: p-Typ-Halbleiterschicht, 272: leitende Schicht, 273: i-Typ-Halbleiterschicht, 274: leitende Schicht, 275: n-Typ-Halbleiterschicht, 276: isolierende Schicht, 278: isolierende Schicht, 280: leitende Schicht, 281: leitende Schicht, 283: leitende Schicht, 291: isolierende Schicht, 292: leitfähige Partikel, 293: isolierende Schicht, 294: leitende Schicht, 295: isolierende Schicht, 296: leitende Schicht, 301: Bildungssubstrat, 303: Trennschicht, 305: Bildungssubstrat, 307: Trennschicht, 310a: leitende Schicht, 310b: leitende Schicht, 401: Substrat, 403: Substrat, 405: Raum.

Diese Anmeldung basiert auf der japanischen Patentanmeldung mit der Seriennr. 2013-146291, eingereicht beim japanischen Patentamt am 12. Juli 2013, der japanischen Patentanmeldung mit der Seriennr. 2013-146293, eingereicht beim japanischen Patentamt am 12. Juli 2013, und der japanischen Patentanmeldung mit der Seriennr. 2013-249155, eingereicht beim japanischen Patentamt am 2. Dezember 2013, deren gesamter Inhalt hiermit zum Gegenstand der vorliegenden Offenlegung gemacht ist.