Title:
Filtermodul
Kind Code:
B4
Abstract:

Filtermodul (1), umfassend:
eine Montageplatte (2), die Folgendes enthält: eine Montageelektrodenschicht (21), eine innere Elektrodenschicht (22, 23), eine Anschlusselektrodenschicht (24) und mindestens eine Dielektrikumschicht (25, 26, 27), und die gebildet wird, indem die Montageelektrodenschicht (21), die innere Elektrodenschicht (22, 23), die Anschlusselektrodenschicht (24) und die Dielektrikumschicht (25, 26, 27) so übereinandergelegt werden, dass sich die Montageelektrodenschicht (21) auf der obersten Seite befindet und die Anschlusselektrodenschicht (24) sich auf der untersten Seite befindet, und
mindestens eine Filterkomponente (3, 4, 5, 6), die auf einer Vorderseite der Montageplatte (2) montiert ist und die einen ersten und einen zweiten symmetrischen Anschluss (3c1, 3c2) enthält, wobei
die Montageelektrodenschicht (21) eine erste symmetrische Montageelektrode (21-3c1) enthält, die mit dem ersten symmetrischen Anschluss (3c1) verbunden ist, und eine zweite symmetrische Montageelektrode (21-3c2) enthält, die mit dem zweiten symmetrischen Anschluss (3c2) verbunden ist,
die innere Elektrodenschicht (22, 23) eine erste innere Erdungselektrode (23-d) enthält,
die Anschlusselektrodenschicht (24) eine erste symmetrische Anschlusselektrode (24-3c1) enthält, die mit der ersten symmetrischen Montageelektrode (21-3c1) verbunden ist, und eine zweite symmetrische Anschlusselektrode (24-3c2) enthält, die mit der zweiten symmetrischen Montageelektrode (21-3c2) verbunden ist,
eine Länge eines Signalpfades zwischen der ersten symmetrischen Montageelektrode (21-3c1) und der ersten symmetrischen Anschlusselektrode (24-3c1) sich von einer Länge eines Signalpfades zwischen der zweiten symmetrischen Montageelektrode (21-3c2) und der zweiten symmetrischen Anschlusselektrode (24-3c2) unterscheidet, und
dadurch gekennzeichnet, dass
beim Betrachten der Montageplatte (2) von einer Seite, auf der die Filterkomponente (3, 4, 5, 6) montiert ist, eine Fläche, mit der die erste symmetrische Montageelektrode (21-3c1) und die erste innere Erdungselektrode (23-d) einander gegenüberliegen, sich von einer Fläche unterscheidet, mit der die zweite symmetrische Montageelektrode (21-3c2) und die erste innere Erdungselektrode (23-d) einander gegenüberliegen.



Inventors:
Kato, Masanori (Kyoto-fu, Nagaokakyo-shi, JP)
Application Number:
DE112012000675T
Publication Date:
09/21/2017
Filing Date:
01/24/2012
Assignee:
MURATA MANUFACTURING CO., LTD. (Kyoto-fu, Nagaokakyo-shi, JP)
Foreign References:
200400327062004-02-19
200400803852004-04-29
WO2010140445A12010-12-09
JP2010045563A2010-02-25
Attorney, Agent or Firm:
CBDL Patentanwälte, 47051, Duisburg, DE
Claims:
1. Filtermodul (1), umfassend:
eine Montageplatte (2), die Folgendes enthält: eine Montageelektrodenschicht (21), eine innere Elektrodenschicht (22, 23), eine Anschlusselektrodenschicht (24) und mindestens eine Dielektrikumschicht (25, 26, 27), und die gebildet wird, indem die Montageelektrodenschicht (21), die innere Elektrodenschicht (22, 23), die Anschlusselektrodenschicht (24) und die Dielektrikumschicht (25, 26, 27) so übereinandergelegt werden, dass sich die Montageelektrodenschicht (21) auf der obersten Seite befindet und die Anschlusselektrodenschicht (24) sich auf der untersten Seite befindet, und
mindestens eine Filterkomponente (3, 4, 5, 6), die auf einer Vorderseite der Montageplatte (2) montiert ist und die einen ersten und einen zweiten symmetrischen Anschluss (3c1, 3c2) enthält, wobei
die Montageelektrodenschicht (21) eine erste symmetrische Montageelektrode (21-3c1) enthält, die mit dem ersten symmetrischen Anschluss (3c1) verbunden ist, und eine zweite symmetrische Montageelektrode (21-3c2) enthält, die mit dem zweiten symmetrischen Anschluss (3c2) verbunden ist,
die innere Elektrodenschicht (22, 23) eine erste innere Erdungselektrode (23-d) enthält,
die Anschlusselektrodenschicht (24) eine erste symmetrische Anschlusselektrode (24-3c1) enthält, die mit der ersten symmetrischen Montageelektrode (21-3c1) verbunden ist, und eine zweite symmetrische Anschlusselektrode (24-3c2) enthält, die mit der zweiten symmetrischen Montageelektrode (21-3c2) verbunden ist,
eine Länge eines Signalpfades zwischen der ersten symmetrischen Montageelektrode (21-3c1) und der ersten symmetrischen Anschlusselektrode (24-3c1) sich von einer Länge eines Signalpfades zwischen der zweiten symmetrischen Montageelektrode (21-3c2) und der zweiten symmetrischen Anschlusselektrode (24-3c2) unterscheidet, und
dadurch gekennzeichnet, dass
beim Betrachten der Montageplatte (2) von einer Seite, auf der die Filterkomponente (3, 4, 5, 6) montiert ist, eine Fläche, mit der die erste symmetrische Montageelektrode (21-3c1) und die erste innere Erdungselektrode (23-d) einander gegenüberliegen, sich von einer Fläche unterscheidet, mit der die zweite symmetrische Montageelektrode (21-3c2) und die erste innere Erdungselektrode (23-d) einander gegenüberliegen.

2. Filtermodul (1) nach Anspruch 1, wobei die Filterkomponente (3, 4, 5, 6) durch ein Oberflächenschallwellenfilter, ein Grenzschallwellenfilter oder ein Volumenschallwellenfilter gebildet wird.

3. Filtermodul (1) nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Filterkomponente (3, 4, 5, 6) einen Filterabschnitt mit einer Symmetrie-Asymmetrie-Umwandlungsfunktion enthält.

Description:
TECHNISCHES GEBIET

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Filtermodul.

HINTERGRUND DER ERFINDUNG

In der heutigen Zeit werden innerhalb von Kommunikationsdiensten, die beispielsweise mittels Mobiltelefonen erbracht werden, bestimmte Maßnahmen für eine erhöhte Anzahl von Teilnehmer ergriffen; globales Roaming, das die weltweite Verwendung von Kommunikationsdiensten ermöglicht, wird entwickelt; die Kommunikationsqualität wird verbessert, und verschiedene Inhalte werden größer. Um solche Kommunikationsdienste handhaben zu können, ist es erforderlich, dass Kommunikationsgeräte, wie zum Beispiel Mobiltelefone, mehrere Bänder und mehrere Systeme unterstützen. Dementsprechend sind in einem Kommunikationsgerät, das mehrere Bänder oder mehrere Systeme unterstützt, mehrere Zwischenstufenfilter oder Wellenteiler in einem HF(Hochfrequenz)-Schaltkreis montiert. Das heißt, Zwischenstufenfilter oder Wellenteiler, die einzelnen Bändern oder einzelnen Kommunikationensystemen entsprechen, sind in einem Kommunikationsgerät montiert.

Obgleich die Anzahl von in einem HF-Schaltkreis montierten Zwischenstufenfiltern oder Wellenteilern zunimmt, ist es trotzdem wünschenswert, die Größe eines Kommunikationsgerätes zu reduzieren. Dementsprechend wird, um die Größe eines HF-Schaltkreises zu reduzieren, versucht, in einem HF-Schaltkreis ein Filtermodul zu montieren, das durch Zwischenstufenfilter, Wellenteiler und mehrere Abgleichsbauelemente gebildet wird, die einzelnen Bändern oder einzelnen Kommunikationensystemen entsprechen. In Patentdokument 1 wird ein Duplexermodul offenbart, das eine Art von Filtermodul ist.

17 ist eine schematische Grundrissansicht eines Duplexermoduls 100, wie es in der JP 2010-045563 A offenbart ist. Das Duplexermodul 100 enthält eine Montageplatte 101 und einen ersten und einen zweiten Duplexer 102 und 103. Der erste und der zweite Duplexer 102 und 103 sind auf der Vorderseite der Montageplatte 101 montiert. Der erste und der zweite Duplexer 102 und 103 enthalten jeweils einen Antennenanschluss, einen Sendeanschluss und Empfangsanschlüsse. Die Montageplatte 101 enthält eine erste und eine zweite Antennenanschlusselektrode, eine erste und eine zweite Sendeanschlusselektrode und eine erste und eine zweite Empfangsanschlusselektrode. Die erste und die zweite Antennenanschlusselektrode, die erste und die zweite Sendeanschlusselektrode und die erste und die zweite Empfangsanschlusselektrode sind auf der Rückseite der Montageplatte 101 ausgebildet.

Der Antennenanschluss des ersten Duplexers 102 ist mit der ersten Antennenanschlusselektrode der Montageplatte 101 verbunden. Der Sendeanschluss des ersten Duplexers 102 ist mit der ersten Sendeanschlusselektrode der Montageplatte 101 verbunden. Die Empfangsanschlüsse des ersten Duplexers 102 sind mit den ersten Empfangsanschlusselektroden der Montageplatte 101 verbunden. Der Antennenanschluss des zweiten Duplexers 103 ist mit der zweiten Antennenanschlusselektrode der Montageplatte 101 verbunden. Der Sendeanschluss des zweiten Duplexers 103 ist mit der zweiten Sendeanschlusselektrode der Montageplatte 101 verbunden. Die Empfangsanschlüsse des zweiten Duplexers 103 sind mit den zweiten Empfangsanschlusselektroden der Montageplatte 101 verbunden.

Um einen Fall zu unterstützen, in dem ein RFIC eines HF-Schaltkreises vom symmetrischen Eingabetyp ist, wird ein Empfangsfilter des ersten Duplexers 102 durch ein längsgekoppeltes Oberflächenschallwellenfilter vom Resonator-Typ mit einer Symmetrie-Asymmetrie-Umwandlungsfunktion gebildet. Das heißt, das Duplexermodul 100 ist ein symmetrisches Filtermodul. Dementsprechend werden die Empfangsanschlüsse des ersten Duplexers 102 durch ein Paar Anschlüsse gebildet, die ein erster und ein zweiter symmetrischer Anschluss sind. Die ersten Empfangsanschlusselektroden der Montageplatte 101 werden ebenfalls durch ein Paar Anschlusselektroden gebildet, die eine erste und eine zweite symmetrische Anschlusselektrode sind. Dementsprechend wird ein symmetrisches Signal von den ersten Empfangsanschlusselektroden der Montageplatte 101 ausgegeben.

In dem ersten Duplexer 102 werden Phasensymmetrieeigenschaften von Empfangssignalen, die von den Empfangsanschlüssen ausgegeben werden, in einem Durchlassband des Empfangsfilters und einem Durchlassband eines Übertragungsfilters auf ungefähr 0° eingestellt.

Die WO 2010/140445 A1 zeigt ein Filtermodul gemäß dem Oberbegriff von Anspruch 1.

Die US 2004/0080385 A1 lehrt, ein längsgekoppeltes Resonator-Typ-Oberflächenwellenfilter mit drei Interdigitalwandlern auf einem piezoelektrischen Substrat in der Richtung vorzusehen, in der sich akustische Oberflächenwellen ausbreiten, wobei ein Interdigitalwandler in der ungefähren Mitte der drei Interdigitalwandler des längsgekoppelten Resonator-Typ-Oberflächenwellenfilters angeordnet ist und in zwei Teile im Wesentlichen symmetrisch in der Ausbreitungsrichtung der akustischen Oberflächenwellen geteilt ist, welche verbunden sind, um jeweils symmetrische Signalanschlüsse zu bilden, wobei linke und rechte Interdigitalwandler, deren Polaritäten zueinander invertiert sind und mit einem unsymmetrischen Signalanschluss verbunden sind, um eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion bereitzustellen, und eine Reaktanzkomponente auf dem piezoelektrischen Substrat vorgesehen sind.

Die US 2004/0032706 A1 lehrt, ein Hochfrequenzschaltermodul, das einen Hochfrequenzschaltkreis umfasst, der zwischen einer Antenne, einer Sendeschaltung und einer Empfangsschaltung verbunden ist und der ein Schaltelement und einen Oberflächenwellenfilter zwischen der Hochfrequenzschalterschaltung der Empfangsschaltung umfasst, wobei ein Laminat, das aus dielektrischen Schichten mit Elektrodenmustern als Mehrschichtplatte ausgebildet ist, und eine Phasenkorrekturschaltung zwischen dem Schaltkreis und dem akustischen Oberflächenwellenfilter vorgesehen ist, wobei die Hochfrequenzschaltschaltung ein Schaltelement, eine Übertragungsleitung und einen Kondensator als Hauptelemente umfasst, mit wenigstens einem Teil der Übertragungsleitung und des Kondensators als Elektrodenmuster in dem Laminat und mit dem akustischen Oberflächenwellenfilter auf dem Laminat.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNGTechnisches Problem

In dem wie oben beschrieben konfigurierten Duplexermodul 100 können die Phasensymmetrieeigenschaften von Empfangssignalen, die von den ersten Empfangsanschlusselektroden der Montageplatte 101 ausgegeben werden, an Qualität verlieren.

Die vorliegende Erfindung basiert auf dem oben genannten Punkt, und es ist eine Aufgabe der Erfindung, ein Filtermodul bereitzustellen, das ausgezeichnete Phasensymmetrieeigenschaften aufweist.

Lösung des Problems

Ein Filtermodul gemäß der vorliegenden Erfindung enthält eine Montageplatte und mindestens eine Filterkomponente. Die Montageplatte enthält eine Montageelektrodenschicht, eine innere Elektrodenschicht, eine Anschlusselektrodenschicht und mindestens eine Dielektrikumschicht. Die Montageplatte wird gebildet, indem man die Montageelektrodenschicht, die inneren Elektrodenschicht, die Anschlusselektrodenschicht und die Dielektrikumschicht so übereinander legt, dass sich die Montageelektrodenschicht auf der obersten Seite befindet und die Anschlusselektrodenschicht sich auf der untersten Seite befindet. Mindestens eine Filterkomponente ist auf einer Vorderseite der Montageplatte montiert. Mindestens eine Filterkomponente enthält einen ersten und einen zweiten symmetrischen Anschluss. Die Montageelektrodenschicht enthält eine erste symmetrische Montageelektrode, die mit dem ersten symmetrischen Anschluss verbunden ist, und eine zweite symmetrische Montageelektrode, die mit dem zweiten symmetrischen Anschluss verbunden ist. Die innere Elektrodenschicht enthält eine erste innere Erdungselektrode. Die Anschlusselektrodenschicht enthält eine erste symmetrische Anschlusselektrode, die mit der ersten symmetrischen Montageelektrode verbunden ist, und eine zweite symmetrische Anschlusselektrode, die mit der zweiten symmetrischen Montageelektrode verbunden ist. Die Länge eines Signalpfades zwischen der ersten symmetrischen Montageelektrode und der ersten symmetrischen Anschlusselektrode unterscheidet sich von der Länge eines Signalpfades zwischen der zweiten symmetrischen Montageelektrode und der zweiten symmetrischen Anschlusselektrode. Beim Betrachten der Montageplatte von einer Seite, auf der die Filterkomponente montiert ist, unterscheidet sich eine Fläche, mit der die erste symmetrische Montageelektrode und die erste innere Erdungselektrode einander gegenüberliegen, von einer Fläche, mit der die zweite symmetrische Montageelektrode und die erste innere Erdungselektrode einander gegenüberliegen.

In einem konkreten Aspekt des Filtermoduls gemäß der vorliegenden Erfindung kann die Filterkomponente durch ein Oberflächenschallwellenfilter, ein Grenzschallwellenfilter oder ein Volumenschallwellenfilter gebildet werden.

In einem weiteren konkreten Aspekt des Filtermoduls gemäß der vorliegenden Erfindung kann die Filterkomponente einen Filterabschnitt mit einer Symmetrie-Asymmetrie-Umwandlungsfunktion enthalten.

Vorteilhafte Effekte der Erfindung

Gemäß der vorliegenden Erfindung ist es möglich, ein Filtermodul bereitzustellen, das ausgezeichnete Phasensymmetrieeigenschaften aufweist.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

1 ist ein Schaltbild eines Duplexermoduls einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

2 ist eine schematische Grundrissansicht eines Duplexermoduls einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

3 ist ein Schaltbild eines Duplexers in einem Duplexermodul einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

4 ist eine schematische Schnittansicht eines Duplexers in einem Duplexermodul einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

5 ist eine perspektivische Grundrissansicht von rückseitigen Anschlüssen eines Duplexers in einem Duplexermodul einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

6 ist eine vereinfachte Schnittansicht, die einen Teil einer Montageplatte in einem Duplexermodul einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.

7 ist eine perspektivische Grundrissansicht, die schematisch eine Montageplatte in einem Duplexermodul einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.

8 ist eine perspektivische Grundrissansicht, die schematisch eine erste Elektrodenschicht und eine erste Dielektrikumschicht einer Montageplatte in einem Duplexermodul einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.

9 ist eine perspektivische Grundrissansicht, die schematisch eine zweite Elektrodenschicht und eine zweite Dielektrikumschicht einer Montageplatte in einem Duplexermodul einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.

10 ist eine perspektivische Grundrissansicht, die schematisch eine dritte Elektrodenschicht und eine dritte Dielektrikumschicht einer Montageplatte in einem Duplexermodul einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.

11 ist eine perspektivische Grundrissansicht, die schematisch eine vierte Elektrodenschicht einer Montageplatte in einem Duplexermodul einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.

12 ist ein Diagramm, das Übertragungseigenschaften bezüglich eines Signals, das zwischen einer ersten Empfangsanschlusselektrode und einer zweiten Empfangsanschlusselektrode eines Duplexermoduls einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung fließt, und jene eines Duplexermoduls eines Vergleichsbeispiels veranschaulicht.

13 ist ein Diagramm, das Phaseneigenschaften bezüglich eines Signals, das zwischen einer Sendeanschlusselektrode und einer ersten Empfangsanschlusselektrode eines Duplexermoduls einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung fließt, und jene eines Duplexermoduls eines Vergleichsbeispiels veranschaulicht.

14 ist ein Diagramm, das Phaseneigenschaften bezüglich eines Signals, das zwischen einer Sendeanschlusselektrode und einer zweiten Empfangsanschlusselektrode eines Duplexermoduls einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung fließt, und jene eines Duplexermoduls eines Vergleichsbeispiels veranschaulicht.

15 ist ein Diagramm, das Phasensymmetrieeigenschaften, die die Differenz zwischen Phaseneigenschaften bezüglich eines Signals, das zwischen der Sendeanschlusselektrode und der ersten Empfangsanschlusselektrode, wie in 13 gezeigt, fließt, anzeigt und Phaseneigenschaften bezüglich eines Signals, das zwischen der Sendeanschlusselektrode und der zweiten Empfangsanschlusselektrode, wie in 14 gezeigt, fließt, veranschaulicht.

16 veranschaulicht differenzielle Isoliereigenschaften bezüglich einer differenziellen Isolierung zwischen einer Sendeanschlusselektrode und einer ersten Empfangsanschlusselektrode und einer zweiten Empfangsanschlusselektrode eines Duplexermoduls einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und jene eines Duplexermoduls eines Vergleichsbeispiels.

17 ist eine schematische Grundrissansicht eines in JP 2010-045563 A offenbarten Duplexermoduls.

BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSFORMEN

Eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird unten durch Veranschaulichung eines Duplexermoduls 1, das ein Filtermodul ist, beschrieben. Jedoch ist das Duplexermodul 1 nur als ein Beispiel veranschaulicht. Ein Filtermodul gemäß der vorliegenden Erfindung ist in keiner Weise auf das Duplexermodul 1 beschränkt. Ein Filtermodul gemäß der vorliegenden Erfindung kann jede Art von Modul sein, solange ein Modul eine Filterkomponente mit einem ersten und einem zweiten symmetrischen Anschluss enthält, zum Beispiel ein Filtermodul, das mehrere Zwischenstufenfilter enthält, oder ein Filtermodul, das einen Triplexer enthält.

Das Duplexermodul 1 dieser Ausführungsform ist in einem HF-Schaltkreis eines Kommunikationsgerätes, wie zum Beispiel eines Mobiltelefons, montiert. 1 ist ein Schaltbild des Duplexermoduls 1 dieser Ausführungsform. 2 ist eine schematische Grundrissansicht des Duplexermoduls 1 dieser Ausführungsform.

Wie in den 1 und 2 gezeigt, enthält das Duplexermodul 1 eine Montageplatte 2, Duplexer 3, 4, 5 und 6, ein Empfangsfilter 7 und mehrere Chip-Komponenten 8. Die Duplexer 3, 4, 5 und 6 und das Empfangsfilter 7 sind Filterkomponenten. Die Chip-Komponenten 8 sind Abgleichsbauelemente, wie zum Beispiel Induktionsspulen und Kondensatoren. Wie in 2 gezeigt, sind die Duplexer 3, 4, 5 und 6, das Empfangsfilter 7 und die Chip-Komponenten 8 auf der Vorderseite der Montageplatte 2 zum Beispiel mittels Löten montiert.

Der Duplexer 3 ist ein Duplexer, der UMTS-BAND1 entspricht. Das Sendefrequenzband von UMTS-BAND1 beträgt 1920 MHz bis 1980 MHz, und sein Empfangsfrequenzband beträgt 2110 MHz bis 2170 MHz.

3 ist ein Schaltbild des Duplexers 3 in dem Duplexermodul 1 dieser Ausführungsform. 4 ist eine schematische Schnittansicht des Duplexers 3 in dem Duplexermodul 1 dieser Ausführungsform.

Wie in 3 gezeigt, enthält der Duplexer 3 ein Empfangsfilter 31 und ein Übertragungsfilter 32. Das Empfangsfilter 31 wird durch ein längsgekoppeltes Oberflächenschallwellenfilter vom Resonator-Typ mit einer Symmetrie-Asymmetrie-Umwandlungsfunktion gebildet. Das heißt, der Duplexer 3 enthält einen Filterabschnitt mit einer Symmetrie-Asymmetrie-Umwandlungsfunktion.

Das Übertragungsfilter 32 wird durch ein Abzweig-Oberflächenschallwellenfilter gebildet. Der Duplexer 3 enthält einen Antennenanschluss 3a, einen Sendeanschluss 3b und Empfangsanschlüsse 3c1 und 3c2. Ein Eingangsanschluss des Empfangsfilters 31 und ein Ausgangsanschluss des Übertragungsfilters 32 sind mit dem Antennenanschluss 3a verbunden. Ein Eingangsanschluss des Übertragungsfilters 32 ist mit dem Sendeanschluss 3b verbunden. Ausgangsanschlüsse des Empfangsfilters 31 sind mit den Empfangsanschlüssen 3c1 und 3c2 verbunden. Der Empfangsanschluss 3c1 ist ein erster symmetrischer Anschluss, und der Empfangsanschluss 3c2 ist ein zweiter symmetrischer Anschluss.

Wie in 4 gezeigt, enthält der Duplexer 3 eine Verdrahtungsplatte 33, einen empfangsseitigen Oberflächenschallwellenfilter-Chip 31A und einen sendeseitigen Oberflächenschallwellenfilter-Chip 32A. Der empfangsseitige Oberflächenschallwellenfilter-Chip 31A und der sendeseitige Oberflächenschallwellenfilter-Chip 32A sind auf einer Chipbefestigungsfläche 33a der Verdrahtungsplatte 33 mittels Bondhügeln 34 Flipchip-montiert. Ein Versiegelungsharz 35 ist auf der Verdrahtungsplatte 33 so ausgebildet, dass es den empfangsseitigen Oberflächenschallwellenfilter-Chip 31A und den sendeseitigen Oberflächenschallwellenfilter-Chip 32A bedeckt. Das heißt, der Duplexer 3 ist ein CSP-(Chip Size Package)-Oberflächenschallwellenbauelement. Die Verdrahtungsplatte 33 ist eine aus Harz hergestellte gedruckte mehrschichtige Verdrahtungsplatte oder eine mehrschichtige Keramikplatte. In dem Duplexer 3 ist das Empfangsfilter 31 in dem empfangsseitigen Oberflächenschallwellenfilter-Chip 31A ausgebildet, und das Übertragungsfilter 32 ist in dem sendeseitigen Oberflächenschallwellenfilter-Chip 32A ausgebildet. In dem Duplexer 3 sind rückseitige Anschlüsse 36 auf einer Rückseite 33b der Verdrahtungsplatte 33 ausgebildet.

5 ist eine perspektivische Grundrissansicht der rückseitigen Anschlüsse 36 des Duplexers 3 in dem Duplexermodul 1 dieser Ausführungsform. 5 zeigt einen Zustand, in dem die Verdrahtungsplatte 33 von der Seite her transparent dargestellt ist, auf der der empfangsseitige Oberflächenschallwellenfilter-Chip 31A und der sendeseitige Oberflächenschallwellenfilter-Chip 32A montiert sind. Beispiele der rückseitigen Anschlüsse 36 sind der Antennenanschluss 3a, der Sendeanschluss 3b, die Empfangsanschlüsse 3c1 und 3c2 und die Erdungsanschlüsse 3d. Die Erdungsanschlüsse 3d werden zum Verbinden des Empfangsfilters 31 und des Übertragungsfilters 32 mit Masse verwendet.

Der Duplexer 4 ist ein Duplexer, der UMTS-BAND2 entspricht. Das Sendefrequenzband von UMTS-BAND2 beträgt 1850 MHz bis 1910 MHz, und sein Empfangsfrequenzband beträgt 1930 MHz bis 1990 MHz. Der Duplexer 4 ist ähnlich konfiguriert wie der Duplexer 3. Das heißt, der Duplexer 4 enthält ein Empfangsfilter und ein Übertragungsfilter. Das Empfangsfilter wird durch ein längsgekoppeltes Oberflächenschallwellenfilter vom Resonator-Typ mit einer Symmetrie-Asymmetrie-Umwandlungsfunktion gebildet. Das heißt, der Duplexer 4 enthält einen Filterabschnitt mit einer Symmetrie-Asymmetrie-Umwandlungsfunktion. Der Duplexer 4 enthält einen Antennenanschluss 4a, einen Sendeanschluss 4b und Empfangsanschlüsse 4c1 und 4c2. Der Duplexer 4 enthält außerdem Erdungsanschlüsse zum Verbinden des Empfangsfilters und des Übertragungsfilters mit Masse, obgleich solche Erdungsanschlüsse nicht gezeigt sind.

Der Duplexer 5 ist ein Duplexer, der UMTS-BAND5 entspricht. Das Sendefrequenzband von UMTS-BAND5 beträgt 824 MHz bis 849 MHz, und sein Empfangsfrequenzband beträgt 869 MHz bis 894 MHz. Der Duplexer 5 ist ähnlich konfiguriert wie der Duplexer 3. Das heißt, der Duplexer 5 enthält ein Empfangsfilter und ein Übertragungsfilter. Das Empfangsfilter wird durch ein längsgekoppeltes Oberflächenschallwellenfilter vom Resonator-Typ mit einer Symmetrie-Asymmetrie-Umwandlungsfunktion gebildet. Das heißt, der Duplexer 5 enthält einen Filterabschnitt mit einer Symmetrie-Asymmetrie-Umwandlungsfunktion. Der Duplexer 5 enthält einen Antennenanschluss 5a, einen Sendeanschluss 5b und Empfangsanschlüsse 5c1 und 5c2. Der Duplexer 5 enthält außerdem Erdungsanschlüsse zum Verbinden des Empfangsfilters und des Übertragungsfilters mit Masse, obgleich solche Erdungsanschlüsse nicht gezeigt sind.

Der Duplexer 6 ist ein Duplexer, der UMTS-BAND8 entspricht. Das Sendefrequenzband von UMTS-BAND8 beträgt 880 MHz bis 915 MHz, und sein Empfangsfrequenzband beträgt 925 MHz bis 960 MHz. Der Duplexer 6 ist ähnlich konfiguriert wie der Duplexer 3. Das heißt, der Duplexer 6 enthält ein Empfangsfilter und ein Übertragungsfilter. Das Empfangsfilter wird durch ein längsgekoppeltes Oberflächenschallwellenfilter vom Resonator-Typ mit einer Symmetrie-Asymmetrie-Umwandlungsfunktion gebildet. Das heißt, der Duplexer 6 enthält einen Filterabschnitt mit einer Symmetrie-Asymmetrie-Umwandlungsfunktion. Der Duplexer 6 enthält einen Antennenanschluss 6a, einen Sendeanschluss 6b und Empfangsanschlüsse 6c1 und 6c2. Der Duplexer 6 enthält außerdem Erdungsanschlüsse zum Verbinden des Empfangsfilters und des Übertragungsfilters mit Masse, obgleich solche Erdungsanschlüsse nicht gezeigt sind.

Das Empfangsfilter 7 ist ein empfangsseitiges Zwischenstufenfilter, das DCS entspricht. Das Empfangsfrequenzband von DCS beträgt 1805 MHz bis 1880 MHz. Das Empfangsfilter 7 wird durch ein längsgekoppeltes Oberflächenschallwellenfilter vom Resonator-Typ mit einer Symmetrie-Asymmetrie-Umwandlungsfunktion gebildet. Das heißt, das Empfangsfilter 7 enthält einen Filterabschnitt mit einer Symmetrie-Asymmetrie-Umwandlungsfunktion. Das Empfangsfilter 7 enthält einen Eingangsanschluss 7a und Ausgangsanschlüsse 7b1 und 7b2. Das Empfangsfilter 7 enthält außerdem Erdungsanschlüsse, obgleich solche Erdungsanschlüsse nicht gezeigt sind. Wie der Duplexer 3, ist das Empfangsfilter 7 ein CSP-Oberflächenschallwellenbauelement.

6 ist eine vereinfachte Schnittansicht, die einen Teil der Montageplatte 2 in dem Duplexermodul 1 dieser Ausführungsform veranschaulicht. Wie in 6 gezeigt, enthält die Montageplatte 2 erste bis vierte Elektrodenschichten 21 bis 24 und erste bis dritte Dielektrikumschichten 25 bis 27. In der Montageplatte 2 sind diese Elektrodenschichten und Dielektrikumschichten im Wechsel übereinandergelegt. Genauer gesagt, sind – von oben – die erste Elektrodenschicht 21, die erste Dielektrikumschicht 25, die zweite Elektrodenschicht 22, die zweite Dielektrikumschicht 26, die dritte Elektrodenschicht 23, die dritte Dielektrikumschicht 27 und die vierte Elektrodenschicht 24 nacheinander übereinandergelegt. Das heißt, unter den ersten bis vierten Elektrodenschichten 21 bis 24 und den ersten bis dritten Dielektrikumschichten 25 bis 27 befindet sich die erste Elektrodenschicht 21 auf der obersten Seite, und die vierte Elektrodenschicht 24 befindet sich auf der untersten Seite.

Die Montageplatte 2 ist eine gedruckte mehrschichtige Verdrahtungsplatte. Die ersten bis vierten Elektrodenschichten 21 bis 24 bestehen aus einem Metall, wie zum Beispiel Cu. Die ersten bis dritten Dielektrikumschichten 25 bis 27 bestehen zum Beispiel aus einem Harz.

7 ist eine perspektivische Grundrissansicht, die schematisch die Montageplatte 2 in dem Duplexermodul 1 dieser Ausführungsform veranschaulicht. 8 ist eine perspektivische Grundrissansicht, die schematisch die erste Elektrodenschicht 21 und die erste Dielektrikumschicht 25 der Montageplatte 2 in dem Duplexermodul 1 dieser Ausführungsform veranschaulicht. 9 ist eine perspektivische Grundrissansicht, die schematisch die zweite Elektrodenschicht 22 und die zweite Dielektrikumschicht 26 der Montageplatte 2 in dem Duplexermodul 1 dieser Ausführungsform veranschaulicht. 10 ist eine perspektivische Grundrissansicht, die schematisch die dritte Elektrodenschicht 23 und die dritte Dielektrikumschicht 27 der Montageplatte 2 in dem Duplexermodul 1 dieser Ausführungsform veranschaulicht. 11 ist eine perspektivische Grundrissansicht, die schematisch die vierte Elektrodenschicht 24 der Montageplatte 2 in dem Duplexermodul 1 dieser Ausführungsform veranschaulicht. 7 bis 11 zeigen einen Zustand, in dem die Montageplatte 2 von der Seite her transparent dargestellt ist, auf der der Duplexer 3, 4, 5 und 6, das Empfangsfilter 7 und die Chip-Komponenten 8 montiert sind.

Wie in 7 gezeigt, ist auf der Montageplatte 2 eine Resist-Schicht 28 so ausgebildet, dass sie einen Teil der ersten Elektrodenschicht 21 bedeckt. In 7 sind Regionen, in denen sich die Duplexer 3, 4, 5 und 6, das Empfangsfilter 7 und die Chip-Komponenten 8 befinden, durch die Strich-Punkt-Strich-Linien angedeutet.

Wie in 8 gezeigt, ist die erste Elektrodenschicht 21 eine Montageelektrodenschicht, die mehrere Montageelektroden enthält. Wie in 9 gezeigt, ist die zweite Elektrodenschicht 22 eine innere Elektrodenschicht, die mehrere innere Elektroden enthält. Wie in 10 gezeigt, ist die dritte Elektrodenschicht 23 eine innere Elektrodenschicht, die mehrere innere Elektroden enthält. Die dritte Elektrodenschicht 23, die eine innere Elektrodenschicht ist, liegt der ersten Elektrodenschicht 21, die eine Montageelektrodenschicht ist, gegenüber, wobei die erste Dielektrikumschicht 25, die zweite Elektrodenschicht 22 und die zweite Dielektrikumschicht 26 dazwischen angeordnet sind. Wie in 11 gezeigt, ist die vierte Elektrodenschicht 24 eine Anschlusselektrodenschicht, die mehrere Anschlusselektroden enthält.

In den 9 bis 11 sind Durchkontaktlochelektroden durch Kreise angedeutet. Die Durchkontaktlochelektroden stellen eine Verbindung zwischen den Montageelektroden der ersten Elektrodenschicht 21 und den inneren Elektroden der zweiten Elektrodenschicht 22, zwischen den inneren Elektroden der zweiten Elektrodenschicht 22 und den inneren Elektroden der dritten Elektrodenschicht 23 und zwischen den inneren Elektroden der dritten Elektrodenschicht 23 und den Anschlusselektroden der vierten Elektrodenschicht 24 her.

Wie in den 7 und 8 gezeigt, enthält die erste Elektrodenschicht 21 Montageelektroden 21-3a, 21-3b, 21-3c1, 21-3c2, 21-3d, 21-4a, 21-4b, 21-4c1, 21-4c2, 21-4d, 21-5a, 21-5b, 21-5c1, 21-5c2, 21-5d, 21-6a, 21-6b, 21-6c1, 21-6c2, 21-6d, 21-7a, 21-7b1, 21-7b2 und 21-7c.

Die Montageelektrode 21-3a ist mit dem Antennenanschluss 3a des Duplexers 3 verbunden. Die Montageelektrode 21-3b ist mit dem Sendeanschluss 3b des Duplexers 3 verbunden. Die Montageelektrode 21-3c1 ist mit dem Empfangsanschluss 3c1 des Duplexers 3 verbunden. Die Montageelektrode 21-3c2 ist mit dem Empfangsanschluss 3c2 des Duplexers 3 verbunden. Die Montageelektrode 21-3d ist mit den Erdungsanschlüssen 3d des Duplexers 3 verbunden. Die Montageelektrode 21-3c1 ist eine erste symmetrische Montageelektrode, die mit dem Empfangsanschluss 3c1 des Duplexers 3 verbunden ist, der der erste symmetrische Anschluss ist. Die Montageelektrode 21-3c2 ist eine zweite symmetrische Montageelektrode, die mit dem Empfangsanschluss 3c2 des Duplexers 3 verbunden ist, der der zweite symmetrische Anschluss ist.

Die Montageelektrode 21-4a ist mit dem Antennenanschluss 4a des Duplexers 4 verbunden. Die Montageelektrode 21-4b ist mit dem Sendeanschluss 4b des Duplexers 4 verbunden. Die Montageelektrode 21-4c1 ist mit dem Empfangsanschluss 4c1 des Duplexers 4 verbunden. Die Montageelektrode 21-4c2 ist mit dem Empfangsanschluss 4c2 des Duplexers 4 verbunden. Die Montageelektrode 21-4d ist mit Erdungsanschlüssen des Duplexers 4 verbunden, die nicht gezeigt sind.

Die Montageelektrode 21-5a ist mit dem Antennenanschluss 5a des Duplexers 5 verbunden. Die Montageelektrode 21-5b ist mit dem Sendeanschluss 5b des Duplexers 5 verbunden. Die Montageelektrode 21-5c1 ist mit dem Empfangsanschluss 5c1 des Duplexers 5 verbunden. Die Montageelektrode 21-5c2 ist mit dem Empfangsanschluss 5c2 des Duplexers 5 verbunden. Die Montageelektrode 21-5d ist mit Erdungsanschlüssen des Duplexers 5 verbunden, die nicht gezeigt sind.

Die Montageelektrode 21-6a verbunden ist mit dem Antennenanschluss 6a des Duplexers 6. Die Montageelektrode 21-6b ist mit dem Sendeanschluss 6b des Duplexers 6 verbunden. Die Montageelektrode 21-6c1 ist mit dem Empfangsanschluss 6c1 des Duplexers 6 verbunden. Die Montageelektrode 21-6c2 ist mit dem Empfangsanschluss 6c2 des Duplexers 6 verbunden. Die Montageelektrode 21-6d ist mit Erdungsanschlüssen des Duplexers 6 verbunden, die nicht gezeigt sind.

Die Montageelektrode 21-7a ist mit dem Eingangsanschluss 7a des Empfangsfilters 7 verbunden. Die Montageelektrode 21-7b1 ist mit dem Ausgangsanschluss 7b1 des Empfangsfilters 7 verbunden. Die Montageelektrode 21-7b2 ist mit dem Ausgangsanschluss 7b2 des Empfangsfilters 7 verbunden. Die Montageelektrode 21-7c ist mit Erdungsanschlüssen des Empfangsfilters 7 verbunden, die nicht gezeigt sind.

Die anderen Montageelektroden der ersten Elektrodenschicht 21 sind mit der Anschlusselektrode der Chip-Komponenten 8 verbunden.

Wie in 9 gezeigt, enthält die zweite Elektrodenschicht 22 eine innere Elektrode 22-d. Die innere Elektrode 22-d ist mit den Montageelektroden 21-3d, 21-4d, 21-5d, 21-6d und 21-7c der ersten Elektrodenschicht 21 mittels Durchkontaktlochelektroden verbunden. Die innere Elektrode 22-d ist eine Erdungselektrode, die mit Masse verbunden ist.

Wie in 10 gezeigt, enthält die dritte Elektrodenschicht 23 eine innere Elektrode 23-d. Die innere Elektrode 23-d ist mit der inneren Elektrode 22-d der zweiten Elektrodenschicht 22 mittels Durchkontaktlochelektroden verbunden. Die innere Elektrode 23-d ist eine Erdungselektrode, die mit Masse verbunden ist, und ist eine erste innere Erdungselektrode.

Wie in 11 gezeigt, enthält die vierte Elektrodenschicht 24 Anschlusselektroden 24-3a, 24-3b, 24-3c1, 24-3c2, 24-4a, 24-4b, 24-4c1, 24-4c2, 24-5a, 24-5b, 24-5c1, 24-5c2, 24-6a, 24-6b, 24-6c1, 24-6c2, 24-7a, 24-7b1 und 24-7b2.

Die Anschlusselektrode 24-3a ist mit der Montageelektrode 21-3a der ersten Elektrodenschicht 21 – mit den inneren Elektroden der zweiten Elektrodenschicht 22 und den inneren Elektroden der dritten Elektrodenschicht 23 dazwischen – verbunden. Das heißt, die Anschlusselektrode 24-3a ist mit dem Antennenanschluss 3a des Duplexers 3 verbunden. Die Anschlusselektrode 24-3a ist ebenfalls eine Antennenanschlusselektrode, die mit einer Antenne eines Kommunikationsgerätes verbunden ist.

Die Anschlusselektrode 24-3b ist mit der Montageelektrode 21-3b der ersten Elektrodenschicht 21 – mit den inneren Elektroden der zweiten Elektrodenschicht 22 und den inneren Elektroden der dritten Elektrodenschicht 23 dazwischen – verbunden. Das heißt, die Anschlusselektrode 24-3b ist mit dem Sendeanschluss 3b des Duplexers 3 verbunden. Die Anschlusselektrode 24-3b ist ebenfalls eine Sendeanschlusselektrode, die mit einem RFIC eines Kommunikationsgerätes verbunden ist.

Die Anschlusselektrode 24-3c1 ist mit der Montageelektrode 21-3c1 der ersten Elektrodenschicht 21 – mit den inneren Elektroden der zweiten Elektrodenschicht 22 und den inneren Elektroden der dritten Elektrodenschicht 23 dazwischen – verbunden. Das heißt, die Anschlusselektrode 24-3c1 ist mit dem Empfangsanschluss 3c1 des Duplexers 3 verbunden. Die Anschlusselektrode 24-3c1 ist eine erste symmetrische Anschlusselektrode, die mit der Montageelektrode 21-3c1 verbunden ist, die die erste symmetrische Montageelektrode ist. Die Anschlusselektrode 24-3c1 ist ebenfalls eine erste Empfangsanschlusselektrode, die mit einem RFIC eines Kommunikationsgerätes verbunden ist.

Die Anschlusselektrode 24-3c2 ist mit der Montageelektrode 21-3c2 der ersten Elektrodenschicht 21 – mit den inneren Elektroden der zweiten Elektrodenschicht 22 und den inneren Elektroden der dritten Elektrodenschicht 23 dazwischen – verbunden. Das heißt, die Anschlusselektrode 24-3c2 ist mit dem Empfangsanschluss 3c2 des Duplexers 3 verbunden. Die Anschlusselektrode 24-3c2 ist eine zweite symmetrische Anschlusselektrode, die mit der Montageelektrode 21-3c2 verbunden ist, die die zweite symmetrische Montageelektrode ist. Die Anschlusselektrode 24-3c2 ist ebenfalls eine zweite Empfangsanschlusselektrode, die mit einem RFIC eines Kommunikationsgerätes verbunden ist.

Die Anschlusselektrode 24-4a ist mit der Montageelektrode 21-4a der ersten Elektrodenschicht 21 – mit den inneren Elektroden der zweiten Elektrodenschicht 22 und den inneren Elektroden der dritten Elektrodenschicht 23 dazwischen – verbunden. Die Anschlusselektrode 24-4b ist mit der Montageelektrode 21-4b der ersten Elektrodenschicht 21 – mit den inneren Elektroden der zweiten Elektrodenschicht 22 und den inneren Elektroden der dritten Elektrodenschicht 23 dazwischen – verbunden. Die Anschlusselektrode 24-4c1 ist mit der Montageelektrode 21-4c1 der ersten Elektrodenschicht 21 – mit den inneren Elektroden der zweiten Elektrodenschicht 22 und den inneren Elektroden der dritten Elektrodenschicht 23 dazwischen – verbunden. Die Anschlusselektrode 24-4c2 ist mit der Montageelektrode 21-4c2 der ersten Elektrodenschicht 21 – mit den inneren Elektroden der zweiten Elektrodenschicht 22 und den inneren Elektroden der dritten Elektrodenschicht 23 dazwischen – verbunden.

Die Anschlusselektrode 24-5a ist mit der Montageelektrode 21-5a der ersten Elektrodenschicht 21 – mit den inneren Elektroden der zweiten Elektrodenschicht 22 und den inneren Elektroden der dritten Elektrodenschicht 23 dazwischen – verbunden. Die Anschlusselektrode 24-5b ist mit der Montageelektrode 21-5b der ersten Elektrodenschicht 21 – mit den inneren Elektroden der zweiten Elektrodenschicht 22 und den inneren Elektroden der dritten Elektrodenschicht 23 dazwischen – verbunden. Die Anschlusselektrode 24-5c1 ist mit der Montageelektrode 21-5c1 der ersten Elektrodenschicht 21 – mit den inneren Elektroden der zweiten Elektrodenschicht 22 und den inneren Elektroden der dritten Elektrodenschicht 23 dazwischen – verbunden. Die Anschlusselektrode 24-5c2 ist mit der Montageelektrode 21-5c2 der ersten Elektrodenschicht 21 – mit den inneren Elektroden der zweiten Elektrodenschicht 22 und den inneren Elektroden der dritten Elektrodenschicht 23 dazwischen – verbunden.

Die Anschlusselektrode 24-6a ist mit der Montageelektrode 21-6a der ersten Elektrodenschicht 21 – mit den inneren Elektroden der zweiten Elektrodenschicht 22 und den inneren Elektroden der dritten Elektrodenschicht 23 dazwischen – verbunden. Die Anschlusselektrode 24-6b ist mit der Montageelektrode 21-6b der ersten Elektrodenschicht 21 – mit den inneren Elektroden der zweiten Elektrodenschicht 22 und den inneren Elektroden der dritten Elektrodenschicht 23 dazwischen – verbunden. Die Anschlusselektrode 24-6c1 ist mit der Montageelektrode 21-6c1 der ersten Elektrodenschicht 21 – mit den inneren Elektroden der zweiten Elektrodenschicht 22 und den inneren Elektroden der dritten Elektrodenschicht 23 dazwischen – verbunden. Die Anschlusselektrode 24-6c2 ist mit der Montageelektrode 21-6c2 der ersten Elektrodenschicht 21 – mit den inneren Elektroden der zweiten Elektrodenschicht 22 und den inneren Elektroden der dritten Elektrodenschicht 23 dazwischen – verbunden.

Die Anschlusselektrode 24-7a ist mit der Montageelektrode 21-7a der ersten Elektrodenschicht 21 – mit den inneren Elektroden der zweiten Elektrodenschicht 22 und den inneren Elektroden der dritten Elektrodenschicht 23 dazwischen – verbunden. Die Anschlusselektrode 24-7b1 ist mit der Montageelektrode 21-7b1 der ersten Elektrodenschicht 21 – mit den inneren Elektroden der zweiten Elektrodenschicht 22 und den inneren Elektroden der dritten Elektrodenschicht 23 dazwischen – verbunden. Die Anschlusselektrode 24-7b2 ist mit der Montageelektrode 21-7b2 der ersten Elektrodenschicht 21 – mit den inneren Elektroden der zweiten Elektrodenschicht 22 und den inneren Elektroden der dritten Elektrodenschicht 23 dazwischen – verbunden.

Die anderen Anschlusselektroden der vierten Elektrodenschicht 24 sind mit der inneren Elektrode 23-d der dritten Elektrodenschicht 23 mittels Durchkontaktlochelektroden verbunden. Die anderen Anschlüsse der vierten Elektrodenschicht 24 sind Erdungsanschlusselektroden, die mit Masse verbunden sind.

In dem Duplexermodul 1 dieser Ausführungsform unterscheidet sich die Länge eines Signalspfades zwischen der ersten symmetrischen Montageelektrode und der ersten symmetrischen Anschlusselektrode von derjenigen zwischen der zweiten symmetrischen Montageelektrode und der zweiten symmetrischen Anschlusselektrode. Das heißt, in dem Duplexermodul 1 dieser Ausführungsform unterscheidet sich die Länge eines Signalspfades zwischen der Montageelektrode 21-3c1 der ersten Elektrodenschicht 21 und der Anschlusselektrode 24-3c1 der vierten Elektrodenschicht 24 von derjenigen zwischen der Montageelektrode 21-3c2 der ersten Elektrodenschicht 21 und der Anschlusselektrode 24-3c2 der vierten Elektrodenschicht 24. Der Signalpfad enthält die inneren Elektroden der zweiten Elektrodenschicht 22, die inneren Elektroden der dritten Elektrodenschicht 23 und die Durchkontaktlochelektroden.

In dem Duplexermodul 1 dieser Ausführungsform ist beim Betrachten der Montageplatte von der Seite, auf der die Filterkomponenten montiert sind, zu sehen, dass die Fläche, mit der die erste symmetrische Montageelektrode und die erste innere Erdungselektrode einander gegenüberliegen, eine andere ist als die Fläche, mit der die zweite symmetrische Montageelektrode und die erste innere Erdungselektrode einander gegenüberliegen. Das heißt, in dem Duplexermodul 1 dieser Ausführungsform ist beim Betrachten der Montageplatte 2 von der Seite, auf der der Duplexer 3 montiert ist, zu sehen, dass die Fläche, mit der die Montageelektrode 21-3c1 der ersten Elektrodenschicht 21 und die innere Elektrode 23-d der dritten Elektrodenschicht 23 einander gegenüberliegen, eine andere ist als die Fläche, mit der die Montageelektrode 21-3c2 der ersten Elektrodenschicht 21 und die innere Elektrode 23-d der dritten Elektrodenschicht 23 einander gegenüberliegen. Genauer gesagt, befindet sich beim Betrachten der Montageplatte 2 von der Seite, auf der der Duplexer 3 montiert ist, die innere Elektrode 23-d unter der Montageelektrode 21-3c1, und somit hat die Montageelektrode 21-3c1 einen Abschnitt, der der inneren Elektrode 23-d gegenüberliegt. Im Gegensatz dazu befindet sich beim Betrachten der Montageplatte 2 von der Seite, auf der der Duplexer 3 montiert ist, die innere Elektrode 23-d nicht unter der Montageelektrode 21-3c2, und somit hat die Montageelektrode 21-3c2 keinen Abschnitt, der der inneren Elektrode 23-d gegenüberliegt.

Anders ausgedrückt: In dem Duplexermodul 1 dieser Ausführungsform ist beim Betrachten der Montageplatte von der Seite, auf der die Filterkomponenten montiert sind, zu sehen, dass die Fläche, mit der die erste symmetrische Montageelektrode und die erste innere Erdungselektrode einander überlappen, eine andere ist als die Fläche, mit der die zweite symmetrische Montageelektrode und die erste innere Erdungselektrode einander überlappen. Das heißt, in dem Duplexermodul 1 dieser Ausführungsform ist beim Betrachten der Montageplatte 2 von der Seite, auf der der Duplexer 3 montiert ist, zu sehen, dass die Fläche, mit der die Montageelektrode 21-3c1 der ersten Elektrodenschicht 21 und die innere Elektrode 23-d der dritten Elektrodenschicht 23 einander überlappen, eine andere ist als die Fläche, mit der die Montageelektrode 21-3c2 der ersten Elektrodenschicht 21 und die innere Elektrode 23-d der dritten Elektrodenschicht 23 einander überlappen. Genauer gesagt, befindet sich beim Betrachten der Montageplatte 2 von der Seite, auf der der Duplexer 3 montiert ist, die innere Elektrode 23-d unter der Montageelektrode 21-3c1, und somit hat die Montageelektrode 21-3c1 einen Abschnitt, der die innere Elektrode 23-d überlappt. Im Gegensatz dazu befindet sich beim Betrachten der Montageplatte 2 von der Seite, auf der der Duplexer 3 montiert ist, die innere Elektrode 23-d nicht unter der Montageelektrode 21-3c2, und somit hat die Montageelektrode 21-3c2 keinen Abschnitt, der die innere Elektrode 23-d überlappt.

Mit dieser Konfiguration können in dem Duplexermodul 1 dieser Ausführungsform Phasensymmetrieeigenschaften von Empfangssignalen, die von den Anschlusselektroden 24-3c1 und 24-3c2 ausgegeben werden, verbessert werden. Des Weiteren können die differenziellen Isoliereigenschaften in einem Übertragungsband verbessert werden.

Es wurde ein Vergleichsbeispiel, das mit dem Duplexermodul 1 dieser Ausführungsform zu vergleichen ist, hergestellt. In einem Duplexermodul des Vergleichsbeispiels befindet sich beim Betrachten der Montageplatte 2 von der Seite, auf der der Duplexer 3 montiert ist, die innere Elektrode 23-d unter der Montageelektrode 21-3c1 und unter der Montageelektrode 21-3c2, und damit liegen sowohl die Montageelektrode 21-3c1 als auch die Montageelektrode 21-3c2 vollständig der inneren Elektrode 23-d gegenüber. Mit dieser Konfiguration ist beim Betrachten der Montageplatte 2 von der Seite, auf der der Duplexer 3 montiert ist, zu sehen, dass die Fläche, mit der die Montageelektrode 21-3c1 und die innere Elektrode 23-d einander gegenüberliegen, gleich der Fläche ist, mit der die Montageelektrode 21-3c2 und die innere Elektrode 23-d einander gegenüberliegen. Die Konfiguration des Duplexermoduls des Vergleichsbeispiels ist die gleich wie die des Duplexermoduls 1 dieser Ausführungsform, mit Ausnahme der Form der inneren Elektrode 23-d der dritten Elektrodenschicht 23.

Es wurden die elektrischen Eigenschaften des Duplexermoduls 1 dieser Ausführungsform und die des Duplexermoduls des Vergleichsbeispiels gemessen.

12 veranschaulicht Übertragungseigenschaften bezüglich eines Signalflusses zwischen der Anschlusselektrode 24-3c1, die die erste Empfangsanschlusselektrode ist, und der Anschlusselektrode 24-3c2, die die zweite Empfangsanschlusselektrode ist, des Duplexermoduls 1 dieser Ausführungsform sowie die des Duplexermoduls des Vergleichsbeispiels. Wie in 12 gezeigt, kommt es in dem Duplexermodul 1 dieser Ausführungsform zu einer großen Dämpfung in einem Sendefrequenzband (1920 MHz bis 1980 MHz) von UMTS-BAND1, das in dem Duplexer 3 verwendet wird.

13 veranschaulicht Phaseneigenschaften bezüglich eines Signalflusses zwischen der Anschlusselektrode 24-3b, die die Sendeanschlusselektrode ist, und der Anschlusselektrode 24-3c1, die die erste Empfangsanschlusselektrode ist, des Duplexermoduls 1 dieser Ausführungsform sowie die des Duplexermoduls des Vergleichsbeispiels. 14 veranschaulicht Phaseneigenschaften bezüglich eines Signalflusses zwischen der Anschlusselektrode 24-3b, die die Sendeanschlusselektrode ist, und der Anschlusselektrode 24-3c2, die die zweite Empfangsanschlusselektrode ist, des Duplexermoduls 1 dieser Ausführungsform sowie die des Duplexermoduls des Vergleichsbeispiels. 15 veranschaulicht Phasensymmetrieeigenschaften bezüglich der Differenz zwischen den Phaseneigenschaften bezüglich eines Signalflusses zwischen der Sendeanschlusselektrode und der ersten Empfangsanschlusselektrode, wie in 13 gezeigt, und den Phaseneigenschaften bezüglich eines Signalflusses zwischen der Sendeanschlusselektrode und der zweiten Empfangsanschlusselektrode, wie in 14 gezeigt.

13 und 14 zeigen, dass, in dem Duplexermodul des Vergleichsbeispiels, in dem Sendefrequenzband (1920 MHz bis 1980 MHz) von UMTS-BAND1, das in dem Duplexer 3 verwendet wird, die Phaseneigenschaften bezüglich eines Signalflusses zwischen der Sendeanschlusselektrode und der ersten Empfangsanschlusselektrode völlig verschieden sind von denen zwischen der Sendeanschlusselektrode und der zweiten Empfangsanschlusselektrode. Im Gegensatz dazu zeigen die 13 und 14, dass, in dem Duplexermodul 1 dieser Ausführungsform, die oben beschriebenen zwei Phaseneigenschaften sehr ähnlich sind. Infolge dessen sind, wie in 15 gezeigt, in dem Duplexermodul 1 dieser Ausführungsform, in dem Sendefrequenzband (1920 MHz bis 1980 MHz) von UMTS-BAND1, das in dem Duplexer 3 verwendet wird, die Phasensymmetrieeigenschaften um ungefähr 0° angedeutet, wodurch ausgezeichnete Phasensymmetrieeigenschaften erreicht werden.

16 veranschaulicht differenzielle Isoliereigenschaften bezüglich einer differenziellen Isolierung zwischen der Anschlusselektrode 24-3b, die die Sendeanschlusselektrode ist, und der Anschlusselektrode 24-3c1, die die erste Empfangsanschlusselektrode ist, und zwischen der Anschlusselektrode 24-3b und der Anschlusselektrode 24-3c2, die die zweite Empfangsanschlusselektrode ist, des Duplexermoduls 1 dieser Ausführungsform sowie die des Duplexermoduls des Vergleichsbeispiels. Wie in 16 gezeigt, kommt es in dem Duplexermodul 1 dieser Ausführungsform zu einer großen Dämpfung in einem Sendefrequenzband (1920 MHz bis 1980 MHz) von UMTS-BAND1, das in dem Duplexer 3 verwendet wird, wodurch ausgezeichnete differenzielle Isoliereigenschaften erreicht werden.

Das Prinzip, dass ausgezeichnete Phasensymmetrieeigenschaften in dem Duplexermodul 1 dieser Ausführungsform erhalten werden, wird im Folgenden besprochen.

In dem Duplexermodul 1 unterscheidet sich die Länge eines Signalspfades zwischen der Montageelektrode 21-3c1 (der ersten symmetrischen Montageelektrode) der ersten Elektrodenschicht 21 und der Anschlusselektrode 24-3c1 (der ersten symmetrischen Anschlusselektrode) der vierten Elektrodenschicht 24 von derjenigen zwischen der Montageelektrode 21-3c2 (der zweiten symmetrischen Montageelektrode) der ersten Elektrodenschicht 21 und der Anschlusselektrode 24-3c2 (der zweiten symmetrischen Anschlusselektrode) der vierten Elektrodenschicht 24.

Wegen dieser Differenz zwischen den Längen der Signalpfade weicht die Differenz zwischen Phaseneigenschaften eines Empfangssignals, das von dem Empfangsanschluss 3c1 (dem ersten symmetrischen Anschluss) des Duplexers 3 ausgegeben wird, und denen eines Empfangssignals, das von dem Empfangsanschluss 3c2 (dem zweiten symmetrischen Anschluss) des Duplexers 3 ausgegeben wird, erheblich von 0° ab.

In dem Duplexermodul 1 ist die Fläche, mit der die Montageelektrode 21-3c1 (die erste symmetrische Montageelektrode) der ersten Elektrodenschicht 21 und die innere Elektrode 23-d (die erste innere Erdungselektrode) der dritten Elektrodenschicht 23 einander gegenüberliegen, eine andere als die Fläche, mit der die Montageelektrode 21-3c2 (die zweite symmetrische Montageelektrode) der ersten Elektrodenschicht 21 und die innere Elektrode 23-d (die erste innere Erdungselektrode) der dritten Elektrodenschicht 23 einander gegenüberliegen. Dementsprechend unterscheidet sich die Kapazität, die zwischen der Montageelektrode 21-3c1 (der ersten symmetrischen Montageelektrode) der ersten Elektrodenschicht 21 und der inneren Elektrode 23-d (der ersten inneren Erdungselektrode) der dritten Elektrodenschicht 23 gebildet wird, von der Kapazität, die zwischen der Montageelektrode 21-3c2 (der zweiten symmetrischen Montageelektrode) der ersten Elektrodenschicht 21 und der inneren Elektrode 23-d (der ersten inneren Erdungselektrode) der dritten Elektrodenschicht 23 gebildet wird. Diese Differenz der Kapazität kompensiert die oben beschriebene Differenz der Phaseneigenschaften, wodurch ausgezeichnete Phasensymmetrieeigenschaften implementiert werden.

Eine der Maßnahmen, mit denen man erreicht, dass die Fläche, mit der die erste symmetrische Montageelektrode und die erste innere Erdungselektrode einander gegenüberliegen, eine andere ist als die Fläche, mit der die zweite symmetrische Montageelektrode und die erste innere Erdungselektrode einander gegenüberliegen, kann sein, dass entweder die erste oder die zweite symmetrische Montageelektrode kleiner ausgebildet wird als die andere der zweiten bzw. ersten symmetrischen Montageelektrode. Um jedoch eine Filterkomponente in einer geeigneten Weise zu montieren, ist es nötig, dass die erste und die zweite symmetrische Montageelektroden zu einem gewissen Grad groß ausgebildet werden. Bei der oben genannten Maßnahme kann es darum schwierig sein, dass die Fläche, mit der die erste symmetrische Montageelektrode und die erste innere Erdungselektrode einander gegenüberliegen, hinreichend verschieden von der Fläche ausgebildet wird, mit der die zweite symmetrische Montageelektrode und die erste innere Erdungselektrode einander gegenüberliegen. Darum ist es bevorzugt, dass durch zweckmäßiges Justieren der Form und der Position der ersten inneren Erdungselektrode die Fläche, mit der die erste symmetrische Montageelektrode und die erste innere Erdungselektrode einander gegenüberliegen, hinreichend anders ausgebildet wird als die Fläche, mit der die zweite symmetrische Montageelektrode und die erste innere Erdungselektrode einander gegenüberliegen.

In dem Duplexermodul 1 dieser Ausführungsform befindet sich beim Betrachten der Montageplatte 2 von der Seite, auf der der Duplexer 3 montiert ist, die innere Elektrode 23-d unter der Montageelektrode 21-3c1, und somit hat die Montageelektrode 21-3c1 einen Abschnitt, der der inneren Elektrode 23-d gegenüberliegt. Im Gegensatz dazu befindet sich beim Betrachten der Montageplatte 2 von der Seite, auf der der Duplexer 3 montiert ist, die innere Elektrode 23-d nicht unter der Montageelektrode 21-3c2, und somit hat die Montageelektrode 21-3c2 keinen Abschnitt, der der inneren Elektrode 23-d gegenüberliegt. Jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf diese Konfiguration beschränkt.

Bei der vorliegenden Erfindung kann die Fläche, mit der die erste symmetrische Montageelektrode und die erste innere Erdungselektrode einander gegenüberliegen, durch die folgende Anordnung anders ausgebildet werden als die Fläche, mit der die zweite symmetrische Montageelektrode und die erste innere Erdungselektrode einander gegenüberliegen. Beim Betrachten der Montageplatte von der Seite, auf der die Filterkomponenten montiert sind, befindet sich die erste innere Erdungselektrode unter der ersten symmetrischen Montageelektrode und unter der zweiten symmetrischen Montageelektrode, und die erste symmetrische Montageelektrode und die zweite symmetrische Montageelektrode haben jeweils einen Abschnitt, der der ersten inneren Erdungselektrode gegenüberliegt.

Auch mit dieser Konfiguration unterscheidet sich die Kapazität, die zwischen der ersten symmetrischen Montageelektrode und der ersten inneren Erdungselektrode gebildet wird, von derjenigen zwischen der zweiten symmetrischen Montageelektrode und der ersten inneren Erdungselektrode, wodurch ausgezeichnete Phasensymmetrieeigenschaften implementiert werden.

Alternativ kann die Fläche, mit der die erste symmetrische Montageelektrode und die erste innere Erdungselektrode einander gegenüberliegen, durch die folgenden Anordnung anders ausgebildet werden als die Fläche, mit der die zweite symmetrische Montageelektrode und die erste innere Erdungselektrode einander gegenüberliegen. Beim Betrachten der Montageplatte von der Seite, auf der die Filterkomponenten montiert sind, befindet sich die erste innere Erdungselektrode unter der ersten symmetrischen Montageelektrode, und somit hat die erste symmetrische Montageelektrode einen Abschnitt, der der ersten inneren Erdungselektrode gegenüberliegt. Im Gegensatz dazu befindet sich beim Betrachten der Montageplatte von der Seite, auf der die Filterkomponenten montiert sind, eine zweite innere Erdungselektrode, die sich von der ersten inneren Erdungselektrode unterscheidet, unter der zweiten symmetrischen Montageelektrode, und die erste symmetrische Montageelektrode und die zweite symmetrische Montageelektrode haben jeweils einen Abschnitt, der der ersten inneren Erdungselektrode gegenüberliegt. Die zweite symmetrische Montageelektrode hat einen Abschnitt, der der zweiten inneren Erdungselektrode gegenüberliegt, aber keinen Abschnitt, der der ersten inneren Erdungselektrode gegenüberliegt. Die zweite innere Erdungselektrode kann auf der gleichen Elektrodenschicht ausgebildet werden, auf der die erste innere Erdungselektrode ausgebildet ist, oder kann auf einer anderen Elektrodenschicht ausgebildet werden als der, auf der die erste innere Erdungselektrode ausgebildet wird.

Auch mit dieser Konfiguration unterscheidet sich die Kapazität, die zwischen der ersten symmetrischen Montageelektrode und der ersten inneren Erdungselektrode gebildet wird, von derjenigen, die zwischen der zweiten symmetrischen Montageelektrode und der ersten inneren Erdungselektrode gebildet wird, wodurch ausgezeichnete Phasensymmetrieeigenschaften implementiert werden. Des Weiteren kann durch Verändern der Fläche, mit der die zweite symmetrische Montageelektrode und die zweite innere Erdungselektrode einander gegenüberliegen, die Kapazität, die zwischen der zweiten symmetrischen Montageelektrode und der zweiten innere Erdungselektrode gebildet wird, verändert werden, wodurch ausgezeichnete Phasensymmetrieeigenschaften einfacher implementiert werden.

(Modifizierte Beispiele)

In dem Duplexermodul 1 werden die Duplexer 3, 4, 5 und 6 und das Empfangsfilter 7 durch Oberflächenschallwellenfilter gebildet. Jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf diese Art von Filter beschränkt. Die Filterkomponenten können jeweils durch ein Oberflächenschallwellenfilter oder ein Grenzschallwellenfilter oder ein Volumenschallwellenfilter gebildet werden.

Des Weiteren enthält in dem Duplexermodul 1 das Empfangsfilter des Duplexers 3 einen Filterabschnitt mit einer Symmetrie-Asymmetrie-Umwandlungsfunktion. Jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf diese Funktion beschränkt. Es kann jede Art von Symmetrie-Asymmetrie-Funktion verwendet werden, solange eine Filterkomponente einen ersten und einen zweiten symmetrischen Anschluss hat; zum Beispiel kann die Filterkomponente ein Balun enthalten.

Bezugszeichenliste

1
Duplexermodul
2
Montageplatte
3, 4, 5, 6
Duplexer (Filterkomponente)
3a, 4a, 5a, 6a
Antennenanschluss
3b, 4b, 5b, 6b
Sendeanschluss
3c1
Empfangsanschluss (erster symmetrischer Anschluss)
3c2
Empfangsanschluss (zweiter symmetrischer Anschluss)
4c1, 4c2, 5c1, 5c2, 6c1, 6c2
Empfangsanschluss
3d
Erdungsanschluss
7
Empfangsfilter
7a
Eingangsanschluss
7b1, 7b2,
Ausgangsanschluss
8
Chip-Bauelement
21
erste Elektrodenschicht (Montageelektrodenschicht)
21-3c1
Montageelektrode (erste symmetrische Montageelektrode)
21-3c2
Montageelektrode (zweite symmetrische Montageelektrode)
22
zweite Elektrodenschicht (innere Elektrodenschicht)
23
dritte Elektrodenschicht (innere Elektrodenschicht)
23-d
innere Elektrode (erste innere Erdungselektrode)
24
vierte Elektrodenschicht (Anschlusselektrodenschicht)
24-3c1
Anschlusselektrode (erste symmetrische Anschlusselektrode)
24-3c2
Anschlusselektrode (zAweite symmetrische Anschlusselektrode)
25
erste Dielektrikumschicht
26
zweite Dielektrikumschicht
27
dritte Dielektrikumschicht
28
Resist-Schicht
31
Empfangsfilter
31A
empfangsseitiger Oberflächenschallwellenfilter-Chip
32
Übertragungsfilter
32A
sendeseitiger Oberflächenschallwellenfilter-Chip
33
Verdrahtungsplatte
33a
Chipbefestigungsfläche
33b
Rückseite
34
Bondhügel
35
Versiegelungsharz
36
rückseitiger Anschluss