Title:
Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Fertigung einer Halbleitervorrichtung
Kind Code:
A1


Abstract:
Eine Halbleitervorrichtung weist ein Halbleitersubstrat auf, in welchem ein erster Bereich, der eine Freilaufdiode darin angeordnet aufweist, zweite Bereiche, die einen IGBT darin angeordnet aufweisen, und einen Durchbruchspannungshaltebereich, der den ersten Bereich und die zweiten Bereiche in eine Draufsicht umgibt, definiert sind. Das Halbleitersubstrat weist eine erste Hauptoberfläche und eine zweite Hauptoberfläche auf. Das Halbleitersubstrat weist eine Anodenschicht, die eine erste Leitfähigkeitsart aufweist, welche in der ersten Hauptoberfläche des ersten Bereichs angeordnet ist, und eine Diffusionsschicht, die die erste Leitfähigkeitsart aufweist, welche in der ersten Hauptoberfläche des Durchbruchspannungshaltebereichs angrenzend an die Anodenschicht angeordnet ist, auf. Ein erster Graben ist in der ersten Hauptoberfläche mit Bezug auf eine Grenze zwischen der Anodenschicht und der Diffusionsschicht auf einer Seite der Anodenschicht angeordnet.



Inventors:
NAKAMURA HIROYUKI (JP)
SONEDA SHINYA (JP)
Application Number:
DE102018200136A
Publication Date:
10/25/2018
Filing Date:
01/08/2018
Assignee:
Mitsubishi Electric Corporation
International Classes:
Foreign References:
JP2008053648A2008-03-06
JP2008103590A2008-05-01
JP2008109028A2008-05-08