Title:
Induktorkomponente
Kind Code:
A1


Abstract:

Eine Induktorkomponente umfasst einen Trommelkern, der einen Wickelkernabschnitt, der sich entlang einer Längsrichtung erstreckt, und ein Paar von Flanschabschnitten, die an Endabschnitten des Wickelkernabschnitts angeordnet sind, umfasst, einen mit dem Paar von Flanschabschnitten gebondeten Plattenkern, und einen um den Wickelkernabschnitt herum gewickelten Draht. Der Trommelkern und der Plattenkern sind aus einem magnetischen Material hergestellt. Eine durchschnittliche Entfernung zwischen dem Plattenkern und dem Paar von Flanschabschnitten beträgt nicht weniger als etwa 20 µm und nicht mehr als etwa 50 µm. Der Draht umfasst Abschnitte ausgerichteter verschachtelter Wicklungen, die entlang der Längsrichtung angeordnet sind, und mehr als die Hälfte einer Gesamtanzahl von Windungen des Drahtes gehören zu den Abschnitten ausgerichteter verschachtelter Wicklungen. embedded image




Inventors:
Miyamoto, Masashi (Kyoto, Nagakakyo-shi, JP)
Application Number:
DE102017218966A
Publication Date:
06/28/2018
Filing Date:
10/24/2017
Assignee:
Murata Manufacturing Co., Ltd. (Kyoto, Nagaokakyo-shi, JP)
International Classes:



Attorney, Agent or Firm:
Schoppe, Zimmermann, Stöckeler, Zinkler, Schenk & Partner mbB Patentanwälte, 81373, München, DE
Claims:
Induktorkomponente (31; 51; 52; 53; 54), die folgende Merkmale aufweist:
einen Trommelkern (33), der einen Wickelkernabschnitt (32), der sich entlang einer Längsrichtung erstreckt, und ein Paar von Flanschabschnitten (34, 35), die an Endabschnitten des Wickelkernabschnitts (32) angeordnet sind, umfasst;
einen mit dem Paar von Flanschabschnitten (34, 35) gebondeten Plattenkern (37); und
einen um den Wickelkernabschnitt (32) herum gewickelten Draht (38),
wobei der Trommelkern (33) und der Plattenkern (37) aus einem magnetischen Material hergestellt sind,
wobei eine durchschnittliche Entfernung zwischen dem Plattenkern (37) und dem Paar von Flanschabschnitten (34, 35) nicht weniger als etwa 20 µm und nicht mehr als etwa 50 µm beträgt,
der Draht (38) Abschnitte (B1-B6) ausgerichteter verschachtelter Wicklungen umfasst, die entlang der Längsrichtung des Wickelkernabschnitts (32) angeordnet sind, und
mehr als die Hälfte einer Gesamtanzahl von Windungen (1-10) des Drahtes (38) zu den Abschnitten (B1-B6) ausgerichteter verschachtelter Wicklungen gehören.

Induktorkomponente (31; 51; 52; 53; 54) gemäß Anspruch 1, bei der die Anzahl von Windungen (1-10) des Drahtes (38) in einer untersten Schicht, die in Kontakt mit dem Wickelkernabschnitt (32) gewickelt ist, bei jedem der Abschnitte (B1-B6) ausgerichteter verschachtelter Wicklungen vier oder weniger beträgt.

Induktorkomponente (31; 51; 52; 53; 54) gemäß Anspruch 1 oder 2, bei der der Draht (38) eine Mehrzahl von Arten der Abschnitte (B1-B6) ausgerichteter verschachtelter Wicklungen umfasst.

Induktorkomponente (31; 51; 52; 53; 54) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei der ein Intervall zwischen den benachbarten Abschnitten (B1-B6) ausgerichteter verschachtelter Wicklungen entlang der Längsrichtung des Wickelkernabschnitts (32) nicht mehr als etwa 30 µm beträgt.

Induktorkomponente (31; 51; 52; 53; 54) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, bei der der Draht (38) einen Abschnitt umfasst, der in einer Einzelschicht zwischen den Abschnitten (B1-B6) ausgerichteter verschachtelter Wicklungen gewickelt ist.

Induktorkomponente (31; 51; 52; 53; 54) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, die ferner ein Paar von Anschlusselektroden (39, 40) aufweist, die mit den Endabschnitten (38a, 38b) des Drahtes (38) elektrisch verbunden sind und auf Anbringoberflächen des Paares von Flanschabschnitten (34, 35) angeordnet sind, wobei die Anbringoberflächen einer Seite der Anbringplatine zugewandt sind, wobei verbundene Abschnitte, an denen die Endabschnitte (38a, 38b) des Drahtes (38) mit den Anschlusselektroden (39, 40) verbunden sind, in einer Richtung, die im Wesentlichen orthogonal zu der Längsrichtung des Wickelkernabschnitts (32) auf den Anbringoberflächen ist, auf gegenüberliegenden Seiten positioniert sind.

Induktorkomponente (31; 51; 52; 53; 54) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, bei der zumindest eine von Endwindungen des Drahtes (38) in einer Einzelschicht gewickelt ist.

Induktorkomponente (31; 51; 52; 53; 54) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, bei der ein Element aus der Reihe des Plattenkerns (37) und des Paares von Flanschabschnitten (34, 35) einen Vorsprung (44) aufweist, der mit dem anderen Element aus der Reihe des Plattenkerns (37) und des Paares von Flanschabschnitten (34, 35) in Kontakt steht.

Description:

Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine Induktorkomponente, und insbesondere auf eine drahtumwickelte Induktorkomponente, die eine Struktur aufweist, bei der ein Plattenkern an ein Paar von Flanschabschnitten eines Trommelkerns gebondet ist und ein Draht um einen Wickelkernabschnitt des Trommelkerns gewickelt ist.

Eine Induktorkomponente, die einen aus einem magnetischen Material hergestellten Trommelkern umfasst, kann eine hohe Induktivität erzielen, indem ein aus einem magnetischen Material hergestellter Plattenkern derart an den Trommelkern gebondet wird, dass der Plattenkern einen Abstand zwischen einem Paar von Flanschabschnitten in dem Trommelkern überspannt und somit eine geschlossene Magnetschaltung bildet.

Jedoch ist diese Konfiguration in gewöhnlichen Fällen lediglich für eine Verwendung bei niedrigen Frequenzen effektiv, da sie die Charakteristik nutzt, bei der die relative Permeabilität von Ferrit hoch ist.

Es ist bekannt, dass eine Induktorkomponente, die einen aus einem magnetischen Material hergestellten Plattenkern umfasst, allgemein schlechtere Gleichstromüberlagerungscharakteristika besitzt. Somit kann die Induktorkomponente einen Zwischenraum zwischen dem Trommelkern und dem Plattenkern aufweisen, mit dem Ziel, die Gleichstromüberlagerungscharakteristika zu verbessern, wie beispielsweise in der japanischen ungeprüften Patentanmeldung Veröffentlichtungsnr. 2004-363178 und dergleichen beschrieben ist. Diese Struktur einer geschlossenen Magnetschaltung, die den Zwischenraum aufweist, kann die magnetische Sättigung unterbinden und die Gleichstromüberlagerungscharakteristika verbessern.

Jedoch kann die oben beschriebene Geschlossene-Magnetschaltung-Struktur mit dem Zwischenraum die Gleichstromüberlagerungscharakteristika verbessern, ist jedoch einer Verringerung des Induktivitätswerts (L-Werts) unterworfen. Um die Reduktion des L-Werts zu kompensieren, ist es notwendig, die Anzahl von Drahtwindungen zu erhöhen. Ungünstigerweise ist der Raum zum Ermöglichen, dass der Draht gewickelt wird, begrenzt, und dies begrenzt die Anzahl von Windungen des Drahtes.

Es gibt eine Art von Mehrschichtwicklungen, die als verschachtelte Wicklungen bezeichnet wird. Die verschachtelte Wicklung ist ein Wicklungsverfahren, anhand dessen eine Mehrzahl von Mehrschichtwicklungsabschnitten, bei denen Draht in zwei oder mehr Schichten um einen Wickelkernabschnitt gewickelt wird, entlang der Längsrichtung des Wickelkernabschnitts angeordnet sind. Bei dieser verschachtelten Wicklung kann in einem begrenzten Raum der Draht mit einer großen Anzahl von Windungen gewickelt werden. Jedoch ist bei diesem Wickelverfahren die Eigenresonanzfrequenz der Induktorkomponente niedriger, und aufgrund der hohen Kapazität nimmt die Impedanz bei Frequenzen, die höher sind als die Eigenresonanzfrequenz, stark ab. Somit kann die verschachtelte Wicklung als Wicklungsverfahren betrachtet werden, das in gewöhnlichen Fällen für den Gebrauch bei niedrigen Frequenzen geeignet ist.

Eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung besteht folglich darin, eine Induktorkomponente bereitzustellen, die in der Lage ist, bei Frequenzen, die höher sind als ihre Eigenresonanzfrequenz, eine hohe Induktivität, zufriedenstellende Gleichstromüberlagerungscharakteristika und eine hohe Impedanz bereitzustellen.

Diese Aufgabe wird durch eine Induktorkomponente gemäß Anspruch 1 gelöst.

Gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung umfasst eine Induktorkomponente einen Trommelkern, der einen Wickelkernabschnitt, der sich entlang einer Längsrichtung erstreckt, und ein Paar von Flanschabschnitten, die an Endabschnitten des Wickelkernabschnitts angeordnet sind, umfasst, einen mit dem Paar von Flanschabschnitten gebondeten Plattenkern, und einen um den Wickelkernabschnitt herum gewickelten Draht. Der Trommelkern und der Plattenkern sind aus einem magnetischen Material hergestellt.

Eine durchschnittliche Entfernung zwischen dem Plattenkern und dem Paar von Flanschabschnitten beträgt nicht weniger als etwa 20 µm und nicht mehr als etwa 50 µm. Der Draht umfasst Abschnitte ausgerichteter verschachtelter Wicklungen, die entlang der Längsrichtung des Wickelkernabschnitts angeordnet sind. Mehr als die Hälfte einer Gesamtanzahl von Windungen des Drahtes gehören zu den Abschnitten ausgerichteter verschachtelter Wicklungen.

Die verschachtelte Wicklung muss ein Segment aufweisen, bei dem sich der Draht im Abstand von einigen Windungen von der Seite der unteren Schicht zu der Seite der oberen Schicht bewegt. In diesem Segment wird der Draht in eine Richtung zurückgeführt, die zu der Bewegungsrichtung des Drahtes, der spiralförmig auf den Wickelkernabschnitt gewickelt wird, entgegengesetzt ist. Dieses Segment wird hiernach als Rückführungssegment bezeichnet.

Die oben beschriebenen „Abschnitte ausgerichteter verschachtelter Wicklungen“ geben die Verschachtelte-Wicklung-Abschnitte an, bei denen das Rückführungssegment in einer spezifischen Position vorliegt, beispielsweise einer vorbestimmten Oberfläche der Peripherie des Wickelkernabschnitts.

Indem der Zwischenraum, mit anderen Worten der durchschnittliche Abstand, auf „nicht weniger als etwa 20 µm“ eingestellt wird, können die Gleichstromüberlagerungscharakteristika ausreichend verbessert werden. In gewöhnlichen Fällen ist der Abstand zwischen den Bondingoberflächen, wenn der Plattenkern an die Flanschabschnitte gebondet ist, kleiner als etwa 20 µm. Der Zwischenraum von nicht weniger als etwa 20 µm wird als beabsichtigter Zwischenraum betrachtet. Indem der Zwischenraum auf „nicht mehr als etwa 50 µm“ eingestellt wird, bleibt die Auswirkung des Verbesserns der durch den Plattenkern erzeugten Induktivität bestehen.

Gemäß dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung können die Gleichstromüberlagerungscharakteristika verbessert, die Charakteristika des L-Werts bezüglich höherer Frequenzen können verbessert, die Kapazität kann verringert und es können zufriedenstellende Hochfrequenzcharakteristika erzielt werden.

Gemäß dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung wird die Resonanzposition stabilisiert, da die Mehrzahl der Abschnitte ausgerichteter verschachtelter Wicklungen entlang der Längsrichtung des Wickelkernabschnitts angeordnet sind, und sogar in dem Fall, dass der Draht in einem der Verschachtelte-Wicklung-Abschnitte leicht verschoben wird, kann der Einfluss auf die gesamten Impedanzcharakteristika geringfügig sein.

Bei dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung ist die Anzahl von Windungen des Drahtes in einer untersten Schicht, die in Kontakt mit dem Wickelkernabschnitt gewickelt ist, vorzugsweise gering, und beträgt in jedem der Abschnitte ausgerichteter verschachtelter Wicklungen beispielsweise vier oder weniger. Bei dieser Konfiguration kann die kombinierte Kapazität von Streukapazitäten, die in der gesamten Induktorkomponente auftreten, verringert werden.

Bei dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung kann der Draht eine Mehrzahl von Arten der Abschnitte ausgerichteter verschachtelter Wicklungen umfassen. „Der Draht umfasst eine Mehrzahl von Arten der Abschnitte ausgerichteter verschachtelter Wicklungen“ gibt an, dass der Draht in den verschiedenen Arten der Abschnitte ausgerichteter verschachtelter Wicklungen eine unterschiedliche Anzahl von Windungen aufweist. Bei dieser Konfiguration unterscheiden sich die spezifischen Positionen, an denen bei den verschiedenen Arten der Abschnitte ausgerichteter verschachtelter Wicklungen das Rückführungssegment vorliegt, voneinander.

Bei dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung beträgt ein Intervall zwischen den benachbarten Abschnitten ausgerichteter verschachtelter Wicklungen entlang der Längsrichtung des Wickelkernabschnitts eventuell nicht mehr als 30 µm. Diese Konfiguration kann dazu beitragen, den Draht mit einer größeren Anzahl von Windungen um den Wickelkernabschnitt einer begrenzten Länge zu wickeln, kann die magnetische Kopplung zwischen den Abschnitten, die verschachtelte Wicklungen darstellen, stärken und kann zu einem Erzielen einer höheren Impedanz beitragen.

Bei dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung kann der Draht einen Abschnitt umfassen, der zwischen den Abschnitten ausgerichteter verschachtelter Wicklungen in einer Einzelschicht gewickelt ist. Bei dieser Konfiguration kann eine Diskrepanz zwischen der Position des seitens einer Wickelmaschine erkannten Drahtes und einer tatsächlichen Position des Drahtes, die bei einem Prozess eines Wickelns des Drahtes auftreten kann, durch den in einer Einzelschicht gewickelten Abschnitt kompensiert werden, und die Wickelgenauigkeit des Drahtes kann verbessert werden.

Bei dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung kann die Induktorkomponente ferner ein Paar von Anschlusselektroden aufweisen, die mit den Endabschnitten des Drahtes elektrisch verbunden und auf Anbringoberflächen des Paares von Flanschabschnitten angeordnet sind, wobei die Anbringoberflächen einer Seite einer Anbringplatine zugewandt sind. Verbundene Abschnitte, an denen die Endabschnitte des Drahtes mit den Anschlusselektroden verbunden sind, können in einer Richtung, die im Wesentlichen orthogonal zu der Längsrichtung des Wickelkernabschnitts auf den Anbringoberflächen ist, vorzugsweise auf gegenüberliegenden Seiten positioniert sein. Bei dieser Konfiguration kann der um den Wickelkernabschnitt herum gewickelte Draht mit einem kürzeren Abstand zu den Anschlusselektroden geführt werden.

Bei dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung kann zumindest eine von Endwindungen des Drahtes in einer Einzelschicht gewickelt sein. Bei dieser Konfiguration kann nicht nur die Wickelgenauigkeit des Drahtes verbessert werden, sondern es kann auch das Auftreten eines unerwünschten Kontakts zwischen dem Draht und der Anschlusselektrode oder einem an der Anschlusselektrode anhaftenden Lötmetall verringert werden.

Bei dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung kann ein Element aus der Reihe des Plattenkerns und des Paares von Flanschabschnitten einen Vorsprung aufweisen, der mit dem anderen Element aus der Reihe des Plattenkerns und des Paares von Flanschabschnitten in Kontakt steht. Bei dieser Konfiguration kann der Zwischenraum durch die Vorsprünge mit Stabilität gebildet werden.

Das Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung kann eine Induktorkomponente bereitstellen, die in der Lage ist, zufriedenstellende Gleichstromüberlagerungscharakteristika zu erzielen und Hochfrequenzcharakteristika des Induktivitätswerts zu verbessern, und die in der Lage ist, bei Frequenzen, die höher sind als die Eigenresonanzfrequenz, eine geringe Kapazität zu erzielen, und die bei hohen Frequenzen, die über 1 GHz liegen, als Drosselspule (Signalblockinduktor) verwendet werden kann.

Bei dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung kann eine Resonanz, die bei höheren Frequenzen als der Eigenresonanzfrequenz auftritt, gesteuert werden, und es können Hochfrequenzcharakteristika mit beträchtlicher Stabilität gewährleistet werden.

Andere Merkmale, Elemente, Charakteristika und Vorteile der vorliegenden Offenbarung werden aus der folgenden ausführlichen Beschreibung mancher Ausführungsbeispiele der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die angehängten Zeichnungen deutlicher.

Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:

  • 1 eine Querschnittsansicht, die eine Induktorkomponente gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung von vorne schematisch veranschaulicht;
  • 2 eine linksseitige Ansicht der in 1 veranschaulichten Induktorkomponente;
  • 3 eine Unteransicht der Induktorkomponente, die einen Abschnitt veranschaulicht, bei dem Endabschnitte von Draht bei der in 1 veranschaulichten Induktorkomponente mit Anschlusselektroden verbunden sind;
  • 4 eine vergrößerte Querschnittsansicht des Drahtes in der in 1 veranschaulichten Induktorkomponente;
  • 5 die Impedanz/Frequenz-Charakteristika der in 1 veranschaulichten Induktorkomponente im Vergleich zu der der Vergleichsbeispiele 1 und 2;
  • 6 die Induktivität/Frequenz-Charakteristika der in 1 veranschaulichten Induktorkomponente im Vergleich zu der der Vergleichsbeispiele 1 und 2;
  • 7 ein Ersatzschaltungsdiagramm eines Abschnitts, der einen einzigen angeordneten Verschachtelte-Wicklung-Abschnitt bei der in 1 veranschaulichten Induktorkomponente darstellt;
  • 8 eine Querschnittsansicht, die eine Induktorkomponente gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung von vorne schematisch veranschaulicht;
  • 9 eine Querschnittsansicht, die eine Induktorkomponente gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung von vorne schematisch veranschaulicht;
  • 10 eine Querschnittsansicht, die eine Induktorkomponente gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung aus der frontalen Richtung schematisch veranschaulicht; und
  • 11 eine Querschnittsansicht, die eine Induktorkomponente gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung von vorne schematisch veranschaulicht;

Unter Bezugnahme auf 1 bis 7 wird eine Induktorkomponente 31 gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung beschrieben.

Die Induktorkomponente 31 umfasst einen Trommelkern 33, der einen Wickelkernabschnitt 32 umfasst, der sich entlang der Längsrichtung erstreckt, wie in 1 deutlich veranschaulicht ist. Der Trommelkern 33 umfasst ein Paar Flanschabschnitte 34 und 35, die jeweils an einem Endabschnitt des Wickelkernabschnitts 32 angeordnet sind. Die Induktorkomponente 31 umfasst einen Plattenkern 37, der den Abstand zwischen dem Paar von Flanschabschnitten 34 und 35 überspannt und an den Trommelkern 33 gebondet ist, wobei ein Klebstoff 36 zwischen denselben angeordnet ist. Sowohl der Trommelkern 33 als auch der Plattenkern 37 sind aus einem magnetischen Material wie beispielsweise Ferrit hergestellt, und sie stellen eine geschlossene Magnetschaltung dar.

Der in dem Trommelkern 33 enthaltene Wickelkernabschnitt 32 weist eine im Wesentlichen hexagonale Querschnittsform auf, die ähnlich einer Rechteckform ist, wie durch eine gepunktete Linie in 2 angegeben ist, und befindet sich in einer Position, die von der Mitte der Flanschabschnitte 34 und 35 aus leicht nach oben verschoben ist. Die Querschnittsform des Wickelkernabschnitts 32 kann polygonal sein, beispielsweise rechteckig. Die Stegabschnitte, an denen sich flache Oberflächen der Peripherie des Wickelkernabschnitts 32 treffen, können vorzugsweise abgerundet sein. Der Trommelkern 33, der in der Veranschaulichung von der Mitte der Flanschabschnitte 34 und 35 aus nach oben verschoben ist, ist eventuell nicht verschoben oder ist eventuell nach unten verschoben.

Unter Bezugnahme auf 2 kann die Induktorkomponente 31 beispielsweise eine Höhenrichtungsabmessung H von nicht weniger als etwa 2,2 mm und nicht mehr als etwa 2,6 mm und eine Breitenrichtungsabmessung W von nicht weniger als etwa 2,2 mm und nicht mehr als etwa 2,8 mm aufweisen. Eine längere Abmessung D1 in einer Querschnittsform des Wickelkernabschnitts 32 beträgt eventuell nicht weniger als etwa 1,6 mm und nicht mehr als etwa 2,2 mm. Unter Bezugnahme auf 1 kann die Induktorkomponente 31 eine Längsrichtungsabmessung M von nicht weniger als etwa 2,9 mm und nicht mehr als etwa 3,5 mm aufweisen, der Plattenkern 37 kann eine Dickenrichtungsabmessung T1 von nicht weniger als etwa 0,5 mm und nicht mehr als etwa 0,8 mm aufweisen, jeder der Flanschabschnitte 34 und 35 kann eine Dickenrichtungsabmessung T2 von nicht weniger als etwa 0,4 mm und nicht mehr als etwa 0,7 mm aufweisen, und eine kürzere Abmessung D1 in einer Querschnittsform des Wickelkernabschnitts 32 beträgt eventuell nicht weniger als etwa 0,7 mm und nicht mehr als etwa 1,1 mm.

Ein Draht 38 ist um den Wickelkernabschnitt 32 gewickelt. Der Wickelmodus des Drahtes 38 wird nachstehend ausführlich beschrieben. Eine erste und eine zweite Anschlusselektrode 39 und 40 sind jeweils auf einer Anbringoberfläche des ersten und des zweiten Flanschabschnitts 34 bzw. 35 angeordnet, wobei die Anbringoberflächen einer Seite einer (nicht veranschaulichten) Anbringplatine zugewandt sind. Die Anschlusselektroden 39 und 40 können beispielsweise mittels Backens einer leitfähigen Paste, Aufbringens einer Plattierung eines leitfähigen Metalls oder Befestigens eines Stücks eines leitfähigen Metalls gebildet werden. Wie in 3 veranschaulicht ist, umfasst der Draht 38 einen ersten und einen zweiten Endabschnitt 38a und 38b, die jeweils mit einer der ersten und der zweiten Anschlusselektrode 39 und 40 elektrisch verbunden sind. Thermokompressionsbonden oder -schweißen kann beim Verbinden dieser Abschnitte verwendet werden.

Bei 3, die eine Unteransicht ist, die die Induktorkomponente 31 von der Seite der Anbringplatine aus veranschaulicht, ist der Draht 38 mit Ausnahme der oben beschriebenen Endabschnitte 38a und 38b weggelassen.

Wie in 3 veranschaulicht ist, können die verbundenen Abschnitte, an denen die Endabschnitte 38a und 38b des Drahtes 38 mit den Anschlusselektroden 39 und 40 verbunden sind, in einer Richtung, die im Wesentlichen orthogonal zu der Längsrichtung des Wickelkernabschnitts 32 auf den Anbringoberflächen des Paares von Flanschabschnitten 34 und 35 ist, vorzugsweise auf gegenüberliegenden Seiten positioniert sein. Bei dieser Konfiguration kann der um den Wickelkernabschnitt 32 herum gewickelte Draht 38 mit einem kürzeren Abstand zu den Anschlusselektroden 39 und 40 geführt werden. Wie in 3 deutlich veranschaulicht ist, können insbesondere die mit den Anschlusselektroden 39 und 40 verbundenen Abschnitte vorzugsweise in der Nähe von Positionen vorliegen, die mit Seitenoberflächen des Wickelkernabschnitts 32 auf den Anbringoberflächen des Paares von Flanschabschnitten 34 und 35 in Kontakt stehen.

Die Anschlusselektroden 39 und 40, die über die gesamte Fläche der Anbringoberflächen der Flanschabschnitte 34 und 35 angeordnet sind, die bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel der Seite der Anbringplatine zugewandt sind, sind eventuell lediglich auf einem Abschnitt angeordnet, der zum Verbinden der Endabschnitte 38a und 38b des Drahtes 38 ausreichend ist. Blindanschlusselektroden, die nicht mit dem Endabschnitt 38a oder 38b des Drahtes 38 verbunden sind, können entlang der Anschlusselektroden angeordnet sein, die die Endabschnitte 38a und 38b des Drahtes 38 verbinden. Die Blindanschlusselektroden dienen dazu, eine mechanische Befestigung der Induktorkomponente zu stärken, indem sie beim Anbringen der Induktorkomponente auf der Anbringplatine an die Seite der Anbringplatine gelötet werden.

Ein vergrößerter Querschnitt des Drahtes 38 ist in 4 veranschaulicht. Der Draht 38 kann beispielsweise aus Kupfer hergestellt sein und einen Mittelleiter 41, der einen im Wesentlichen kreisförmigen Querschnitt mit einem Durchmesser von nicht weniger als etwa 0,06 mm und nicht mehr als etwa 0,09 mm aufweist, und eine isolierende Deckschicht 42, die die Umfangsoberfläche des Mittelleiters 41 bedeckt, umfassen.

Bei der Induktorkomponente 31 liegt zwischen dem Plattenkern 37 und den Flanschabschnitten 34 und 35 ein Zwischenraum G vor, und wie in 1 veranschaulicht ist, beträgt ein durchschnittlicher Abstand zwischen dem Plattenkern 37 und dem Paar von Flanschabschnitten 34 und 35 in dem Zwischenraum G nicht weniger als etwa 20 µm und nicht mehr als etwa 50 µm. Der „durchschnittliche Abstand“ gibt an, dass ein arithmetischer Mittelwert von Messwerten der Abmessung des Zwischenraums G, die an fünf Stellen gemessen wird, die beispielsweise in der Breitenrichtung (in der in 2 durch W angegebenen Richtung) im Wesentlichen gleichmäßig beabstandet sind, für ein Exemplar, bei dem die Induktorkomponente 31 poliert ist, um eine Fläche aufzuweisen, die im Wesentlichen parallel zu der Endfläche des Flanschabschnitts 34 oder 35 ist, auf einer Seite „nicht weniger als etwa 20 µm und nicht mehr als etwa 50 µm“ beträgt. Die fünf Stellen werden dahin gehend festgelegt, dass sie sich nicht in den runden Abschnitten der Flanschabschnitte 34 oder 35 oder der Vorsprünge 44 befinden, die für den Zweck des Bildens des Zwischenraums G erzeugt werden, um einen geeigneten durchschnittlichen Zwischenraum zu erhalten.

Der Zwischenraum G fungiert als Zwischenraum, der in einer geschlossenen Magnetschaltung dazwischen angeordnet ist. Somit verbessert der Zwischenraum G die Gleichstromüberlagerungscharakteristika der Induktorkomponente 31, wie in dem Fall der Technik, die in der japanischen ungeprüften Patentanmeldung Veröffentlichungsnr. 2004-363178 beschrieben ist. Indem der durchschnittliche Abstand in dem Zwischenraum auf „nicht weniger als etwa 20 µm“ eingestellt wird, können die Gleichstromüberlagerungscharakteristika ausreichend verbessert werden. In gewöhnlichen Fällen ist der Abstand zwischen den Bondingoberflächen, wenn der Plattenkern an die Flanschabschnitte gebondet ist, kleiner als etwa 20 µm. Der Zwischenraum von etwa 20 µm oder mehr kann als beabsichtigter Zwischenraum betrachtet werden. Indem der Zwischenraum G auf „nicht mehr als etwa 50 µm“ eingestellt wird, bleibt die Auswirkung des Verbesserns der Induktivität, die durch Aufnahme des Plattenkerns 37 bewirkt wird, bestehen.

Bei diesem Ausführungsbeispiel weist, um den Zwischenraum G stabiler zu bilden, in einem Abschnitt, in dem der Plattenkern 37 den Flanschabschnitten 34 und 35 zugewandt ist, der Plattenkern 37 die Vorsprünge 44 auf, die mit den Flanschabschnitten 34 und 35 in Kontakt stehen. Alternativ dazu können die Flanschabschnitte 34 und 35 die Vorsprünge 44 aufweisen, oder sowohl der Plattenkern 37 als auch die Flanschabschnitte 34 und 35 können die Vorsprünge 44 aufweisen.

In 1 sind „1“ bis „20“, die den Ordnungszahlen von Windungen, von der Seite des ersten Flanschabschnitts 34 aus gezählt, entsprechen, in den Querschnitten des Drahtes 38 angegeben. Eine derartige Angabe der Ordnungszahlen von Windungen in den Querschnitten des Drahtes 38 wird in den nachfolgend beschriebenen 8 bis 11 verwendet.

Der um den Wickelkernabschnitt 32 gewickelte Draht 38 umfasst vier Abschnitte B1, B2, B3 und B4 ausgerichteter verschachtelter Wicklungen.

Der erste Abschnitt B1 einer ausgerichteten verschachtelten Wicklung ist aus einer ersten Windung bis einer fünften Windung (hiernach als „Windungen 1 bis 5“ ausgedrückt) des Drahtes 38 gebildet. Das heißt, die Windungen 1 bis 3 des Drahtes 38 sind auf der untersten Schicht positioniert und spiralförmig auf den Wickelkernabschnitt 32 gewickelt. Dann wird der Draht 38 um etwa 1,5 Windungen zurückgeführt, und der Draht 38 wird derart gewickelt, dass die Windung 4 auf einer Seite der oberen Schicht in einen Aussparungsabschnitt eingepasst wird, der zwischen den Windungen 1 und 2 auf der Seite der unteren Schicht gebildet ist, mit Ausnahme eines nachstehend beschriebenen Rückführungssegments R, und anschließend wird die Windung 5 in einen Aussparungsabschnitt eingepasst, der an den Windungen 2 und 3 auf der Seite der unteren Schicht gebildet ist.

Bei diesem ersten Abschnitt B1 einer ausgerichteten verschachtelten Wicklung ist das Segment, in dem sich der Draht von der Windung 3 zu der Windung 4 bewegt, ein Segment, in dem sich der Draht von der Seite der unteren Schicht zu der Seite der oberen Schicht bewegt. In diesem Segment wird der Draht 38 in einer Richtung zurückgeführt, die zu der Bewegungsrichtung des Drahtes 38, der spiralförmig auf den Wickelkernabschnitt 32 gewickelt ist, entgegengesetzt ist. Demgemäß ist dieses Segment das Rückführungssegment R. In dem Rückführungssegment R ist der Zustand der spiralförmigen Wicklung des Drahtes 38 tendenziell unregelmäßig. Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel liegt das Rückführungssegment R jedoch in einer spezifischen Position der Peripherie des Wickelkernabschnitts 32, kann beispielsweise in einer Position entlang einer seitwärts gerichteten Seitenoberfläche 43 des in 2 veranschaulichten Wickelkernabschnitts 32 liegen.

Der zweite Abschnitt B2 einer ausgerichteten verschachtelten Wicklung ist aus den Windungen 6 bis 10 des Drahtes 38 gebildet. Nach der Windung 5, die die letzte Windung in dem ersten Abschnitt B1 einer ausgerichteten verschachtelten Wicklung auf der Seite der oberen Schicht ist, wird der Draht 38 zu der untersten Schicht bewegt, und die Windungen 6 bis 8 werden dort spiralförmig auf den Wickelkernabschnitt 32 gewickelt. Dann wird der Draht 38 um etwa 1,5 Windungen zurückgeführt, und der Draht 38 wird derart gewickelt, dass die Windungen 9 und 10 auf der Seite der oberen Schicht in Aussparungsabschnitte eingepasst werden, die zwischen den Windungen 6 bis 8 auf der Seite der unteren Schicht gebildet sind, mit Ausnahme des Rückführungssegments. Hier liegt das Rückführungssegment ebenfalls in einer Position entlang der Seitenoberfläche 43 des Wickelkernabschnitts 32.

Obwohl dies hier nicht beschrieben ist, wird bei dem dritten und dem vierten Abschnitt B3 und B4 ausgerichteter verschachtelter Wicklungen im Wesentlichen derselbe Wickelmodus verwendet wie in dem oben beschriebenen Fall des ersten und des zweiten Abschnitts B1 und B2 ausgerichteter verschachtelter Wicklungen, die oben beschrieben sind.

Auf diese Weise sind bei der Induktorkomponente 31 die vier Abschnitte B1 bis B4 ausgerichteter verschachtelter Wicklungen entlang der Längsrichtung des Wickelkernabschnitts 32 angeordnet. Mehr als die Hälfte der Gesamtanzahl von Windungen des Drahtes 38 gehören zu den Abschnitten B1 bis B4 ausgerichteter verschachtelter Wicklungen. Bei diesem Ausführungsbeispiel gehören fast alle der Anzahl von Windungen des Drahtes 38 zu den Abschnitten B1 bis B4 ausgerichteter verschachtelter Wicklungen.

Das Intervall zwischen den benachbarten Abschnitten B1 bis B4 ausgerichteter verschachtelter Wicklungen entlang der Längsrichtung des Wickelkernabschnitts 32 beträgt nicht mehr als etwa 30 µm. Diese Konfiguration kann ermöglichen, dass der Draht 38 mit einer größeren Anzahl von Windungen um den Wickelkernabschnitt 32 einer begrenzten Länge gewickelt wird, kann die magnetische Kopplung zwischen den Abschnitten B1 bis B4 ausgerichteter verschachtelter Wicklungen stärken und zum Erzielen einer höheren Impedanz beitragen.

Bei diesem Ausführungsbeispiel liegt das Rückführungssegment bei dem in 2 veranschaulichten Wickelkernabschnitt 32 in einer Position entlang der seitwärts gerichteten Seitenoberfläche 43. Das Rückführungssegment kann auch in einer anderen Position liegen. Das Rückführungssegment ist eventuell nicht nur auf einer Seitenoberfläche der Peripherie des Wickelkernabschnitts 32 positioniert und kann beispielsweise auf zwei Seitenoberflächen positioniert sein.

Ein Beispiel der Induktorkomponente 31 kann elektrische Charakteristika mit einem Induktivitätswert von nicht weniger als 22 µH und nicht mehr als 56 µH, einem Gleichstromwiderstandswert von nicht weniger als 0,07 Ω und nicht mehr als 1,2 Ω und einer Eigenresonanzfrequenz von nicht weniger als 25 MHz aufweisen.

5 veranschaulicht die Impedanz/Frequenz-Charakteristika der Induktorkomponente 31 bei dem Ausführungsbeispiel im Vergleich zu denen der Vergleichsbeispiele 1 und 2. 6 veranschaulicht die Induktivität/Frequenz-Charakteristika der Induktorkomponente 31 bei dem Ausführungsbeispiel im Vergleich zu denen der Vergleichsbeispiele 1 und 2. Bei dem Vergleichsbeispiel 1 wird als Muster eine Induktorkomponente mit einem Einzelschichtwicklungsdraht verwendet. Bei dem Vergleichsbeispiel 2 wird als Muster eine Induktorkomponente mit einem Verschachtelte-Wicklung-Draht verwendet, der unorganisiert (nicht ausgerichtet) ist. Wenn eine Messung bei 1 MHz durchgeführt wird, wird aus den Induktorkomponenten bei dem Ausführungsbeispiel und den Vergleichsbeispielen 1 und 2 im Wesentlichen derselbe Induktivitätswert erhalten.

Unter Bezugnahme auf 5 kann gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel für die Impedanzcharakteristika bis hin zu nahe bei 1 GHz liegenden hohen Frequenzen ein hoher Induktivitätswert aufrechterhalten werden. Insbesondere erscheint eine weitere Resonanz bei hohen Frequenzen, die über eine Eigenresonanzfrequenz hinaus gehen, im Vergleich zu dem Vergleichsbeispiel 2, das unorganisierte verschachtelte Wicklungen verwendet, bei einer niedrigeren Frequenz. Bei dem Ausführungsbeispiel wird bei höheren Frequenzen, die über eine Eigenresonanzfrequenz hinaus gehen, im Vergleich zu dem Vergleichsbeispiel 2 eine höhere Impedanz erhalten. Das Ausführungsbeispiel, das verschachtelte Wicklungen verwendet, weist die Impedanzcharakteristika auf, die denen des Vergleichsbeispiels 1, das eine Einzelschichtwicklung verwendet, bedeutend nahe liegen.

Dies zeigt, dass das Ausführungsbeispiel im Wesentlichen dieselben Charakteristika erzielen kann wie das Vergleichsbeispiel 1 (Einzelschichtwicklung), indem es einen kürzeren Wickelkernabschnitt verwendet, und eine Miniaturisierung ermöglichen kann.

Unter Bezugnahme auf 6 werden im Vergleich zu den Vergleichsbeispielen 1 und 2 bezüglich der Induktivitätscharakteristika gemäß dem Ausführungsbeispiel die Induktivitätscharakteristika erhalten, die bis zu über etwa 10 MHz hinaus gehenden hohen Frequenzen flacher sind. Das heißt, gemäß dem Ausführungsbeispiel werden hohe Induktivitätswerte bis hin zu höheren Frequenzen im Vergleich zu den Vergleichsbeispielen 1 und 2, die Einzelschichtwicklung bzw. unorganisierte verschachtelte Wicklung verwenden, aufrechterhalten.

Gründe für die oben beschriebenen Auswirkungen werden nachstehend erörtert.

(1) Gründe für gute Frequenzcharakteristika der Induktivität

Allgemein weist ein magnetisches Material mit einer geringen magnetischen Permeabilität gute Hochfrequenzcharakteristika auf. Die Charakteristika sind weithin als Snoek-Grenze bekannt. Somit werden bei Induktoren mit zufriedenstellenden Hochfrequenzcharakteristika Materialien mit einer niedrigen relativen Permeabilität verwendet. Diese Technik verbessert die Hochfrequenzcharakteristika, indem sie die magnetische Permeabilität mikroskopisch verringert.

im Wesentlichen dieselben Effekte werden erwartet, indem man die magnetische Permeabilität von einem makroskopischen Gesichtspunkt aus verringert. Mit anderen Worten können dadurch, dass man den magnetischen Widerstandswert der gesamten geschlossenen Magnetschaltung erhöht (d. h. die makroskopische magnetische Permeabilität der gesamten Magnetschaltung verringert), indem man in einem Teil der geschlossenen Magnetschaltungsstruktur einen Luftzwischenraum vorsieht, die Hochfrequenzcharakteristika des Induktors im Vergleich zu dem Fall, bei dem kein Zwischenraum vorgesehen ist, verbessert werden.

Bei der vorliegenden Offenbarung können dadurch, dass man zwischen dem Trommelkern und dem Plattenkern einen Zwischenraum vorsieht, die Induktivitätscharakteristika ausgeweitet werden. Falls durch Verwendung eines Materials mit einer niedrigen magnetischen Permeabilität mit dem Ziel des Erreichens sowohl von Hohe-Induktivität- als auch von Hochfrequenzcharakteristika eine hohe Induktivität erhalten wird, verschlechtern sich die Gleichstromüberlagerungscharakteristika. Somit ist das beste Mittel zum Erzielen von Hohe-Induktivität- und Hochfrequenzcharakteristika eine geschlossene Magnetschaltung mit einem Zwischenraum.

(2) Auswirkungen der ausgerichteten verschachtelten Wicklung

Wenn eine geschlossene Magnetschaltung mit einem Zwischenraum verwendet wird, ist der magnetische Widerstand der geschlossenen Magnetschaltung hoch, und es kann keine hohe Induktivität erreicht werden. Ein Lösungsansatz bei diesem Problem ist die Verwendung einer Struktur einer verschachtelten Wicklung. Eine typische (nicht ausgerichtete) verschachtelte Wicklung weist eine hohe Streukapazität und verschlechterte Hochfrequenzcharakteristika auf (siehe „Vergleichsbeispiel 2“ in 6). Somit wird in gewöhnlichen Fällen eine derartige verschachtelte Wicklung nicht bei einer Komponente verwendet, die Hochfrequenzcharakteristika aufweisen muss.

Wenn die in 1 veranschaulichte Struktur einer ausgerichteten verschachtelten Wicklung verwendet wird, nimmt die Streukapazität leicht zu, jedoch kann das Ausmaß der Zunahme gering bleiben. Da außerdem Drahtstücke in dem verschachtelten Abschnitt in engem Kontakt miteinander stehen, wie aus dem „Ausführungsbeispiel“ in 5 hervorgeht, tritt in einem frühen Stadium eine weitere Resonanz auf, die über die Eigenresonanzfrequenz hinausgeht, und sie bewirkt, dass die Ersatzkapazität sinkt.

Bei den oben beschriebenen Auswirkungen nimmt die Streukapazität in Wirklichkeit im Vergleich zu der bei einer Einzelschichtwicklung (flachen Wicklung) eigentlich nicht zu. Insbesondere tritt eine Resonanz bei einer Frequenz auf, die nahe des 10-Fachen der Eigenresonanzfrequenz beträgt (wo die Resonanz auftritt, hängt davon ab, wie die Spule gewickelt ist), und sie bewirkt, dass sich die Impedanz/Frequenz-Charakteristika nach der Resonanz nach oben bewegen. Da die Drahtstücke in der verschachtelten Wicklung ausgerichtet sind, werden im Wesentlichen dieselben Frequenzcharakteristika beibehalten, und die Charakteristika nach der Eigenresonanzfrequenz können gesteuert werden.

7 veranschaulicht eine Ersatzschaltung eines einzelnen Abschnitts einer ausgerichteten verschachtelten Wicklung (z. B. Windungen 1 bis 5 in 1) bei der Induktorkomponente 31. In 7 tritt in der gesamten äußeren Form des Abschnitts einer ausgerichteten verschachtelten Wicklung eine Streukapazität C1 auf, und zwischen den Wicklungsdrahtelementen L1 bis L5 treten Streukapazitäten C2 bis C8 auf. Da sich die zueinander benachbarten Wicklungsdrahtelemente im Wesentlichen parallel erstrecken und der Abstand zwischen den Wicklungsdrahtelementen einheitlich im Wesentlichen gleich sind, sind die Kapazitäten im Wesentlichen dieselben. Die Induktivitäten L1 bis L5 liegen bei dem einzelnen Abschnitt einer ausgerichteten verschachtelten Wicklung in den Windungen der Wicklungsdrahtelemente vor. Da die Induktivitäten L1 bis L5 nahe beieinander liegen, sind die benachbarten Induktivitäten mit einem hohen Kopplungskoeffizienten gekoppelt. Der Kopplungskoeffizient ist lediglich bei niedrigen Frequenzen hoch, bevor die relative magnetische Permeabilität des magnetischen Materials abnimmt, und er nimmt bei darüber liegenden höheren Frequenzen ab.

In Anbetracht des Kopplungskoeffizienten weist von den Induktivitätswerten der Induktivitäten L1 bis L5 die Induktivität L2 in der Mitte auf der Seite der unteren Schicht den höchsten Induktivitätswert auf und weisen die Induktivitäten L1 und L3 an beiden Enden den geringsten Induktivitätswert auf, und dies kann als „diskreter“ Zustand bezeichnet werden.

In 7 sind eine Mehrzahl von Stromschleifen vorhanden, wie durch die Pfeile angegeben ist. Von den Schleifen erscheint eine, die die niedrigste Resonanzfrequenz aufweist, als Eigenresonanzfrequenz, und dieses Schaltungsdiagramm zeigt ferner, dass eine Mehrzahl von Resonanzen auch bei hohen Frequenzen, die oberhalb der Eigenresonanzfrequenz liegen, auftreten. Jedes Mal, wenn eine Resonanz mit einer kleinen Schleife auftritt, fällt die Impedanz bei einer lokalen Frequenz ab, und die Ersatzstreukapazität nimmt bei nachfolgenden Frequenzen ab. Bei der Struktur einer ausgerichteten verschachtelten Wicklung wird durch Verringern der Differenz zwischen den Ordnungszahlen von Windungen der Induktivitäten, bei denen die Streukapazität auftritt, auf einen gewissen Bereich (so gering wie möglich) die Frequenz, in der der lokale Impedanzabfall auftritt, indirekt gesteuert, und die Gesamtimpedanzcharakteristika werden optimiert und stabilisiert.

Nachstehend werden unter Bezugnahme auf 8 bis 11 Variationen des Wickelmodus des Drahtes 38 in dem Wickelkernabschnitt 32 beschrieben. 8 bis 11 entsprechen 1. Bei den Elementen in 8 bis 11 werden dieselben Bezugszeichen verwendet, die den Elementen in 1 entsprechen, und auf überflüssige Beschreibungen wird verzichtet.

Eine in 8 veranschaulichte Induktorkomponente 51 umfasst einen Draht 38, der um einen Wickelkern 32 gewickelt ist, und der Draht 38 umfasst sechs Abschnitte B1 bis B6 ausgerichteter verschachtelter Wicklungen.

Der erste Abschnitt B1 einer ausgerichteten verschachtelten Wicklung wird von den Windungen 1 bis 3 des Drahtes 38 gebildet. Das heißt, die Windungen 1 und 2 des Drahtes 38 werden auf der untersten Schicht positioniert und werden spiralförmig auf den Wickelkernabschnitt 32 gewickelt. Anschließend wird der Draht 38 um ungefähr 0,5 Windungen zurückgeführt, und der Draht 38 wird derart gewickelt, dass die Windung 3 auf einer Seite der oberen Schicht in einen Aussparungsabschnitt eingepasst wird, der zwischen den Windungen 1 und 2 auf der Seite der unteren Schicht gebildet ist, mit Ausnahme des Rückführungssegments.

Danach wird im Wesentlichen derselbe Wickelmodus verwendet wie im Fall des ersten Abschnitts B1 einer ausgerichteten verschachtelten Wicklung. Nacheinander wird aus den Windungen 4 bis 6 der zweite Abschnitt B2 einer ausgerichteten verschachtelten Wicklung gebildet, aus den Windungen 7 bis 9 wird der dritte Abschnitt B3 einer ausgerichteten verschachtelten Wicklung gebildet, aus den Windungen 10 bis 12 wird der vierte Abschnitt B4 einer ausgerichteten verschachtelten Wicklung gebildet, aus den Windungen 13 bis 15 wird der fünfte Abschnitt B5 einer ausgerichteten verschachtelten Wicklung gebildet, und aus den Windungen 16 bis 18 wird der sechste Abschnitt B6 einer ausgerichteten verschachtelten Wicklung gebildet.

Anschließend an den sechsten Abschnitt B6 einer ausgerichteten verschachtelten Wicklung wird der Draht 38 an den Windungen 19 und 20 in einer Einzelschicht gewickelt, und anschließend wird er mit einer Anschlusselektrode 40 verbunden.

Die in 8 veranschaulichte Induktorkomponente 51 kann im Vergleich zu der in 1 veranschaulichten Induktorkomponente 31 eine geringere Streukapazität aufweisen, die zwischen dem Wickeldraht auf der Seite der unteren Schicht und dem Wickeldraht auf der Seite der oberen Schicht in den Abschnitten B1 bis B6 ausgerichteter verschachtelter Wicklungen gebildet ist.

Da die Endwindung des Drahtes 38 auf einer Seite des Flanschabschnitts 35 und der Anschlusselektrode 40 in einer Einzelschicht gewickelt ist, kann die in 8 veranschaulichte Induktorkomponente 51 nicht nur die Wickelgenauigkeit des Drahtes 38 verbessern, sondern kann auch das Auftreten eines unerwünschten Kontakts zwischen dem Draht 38 und der Anschlusselektrode 40 oder dem an der Anschlusselektrode 40 angebrachten Lötmetall verringern. Man beachte, dass beide Endwindungen des Drahtes 38 auf der jeweiligen Seite des Flanschabschnitts 34 und 35 und der ersten und der zweiten Anschlusselektrode 39 und 40 in einer Einzelschicht gewickelt sein können. Die Anzahl von Windungen, die in der Einzelschicht gewickelt sind, die sich von der Endwindung des Drahtes 38 fortsetzt, kann vorzugsweise etwa vier oder weniger betragen.

Eine in 9 veranschaulichte Induktorkomponente 52 umfasst einen um einen Wickelkernabschnitt 32 gewickelten Draht 38, und der Draht 38 umfasst fünf Abschnitte B1 bis B5 ausgerichteter verschachtelter Wicklungen. Der erste bis dritte Abschnitt B1 bis B3 ausgerichteter verschachtelter Wicklungen und der vierte und fünfte Abschnitt B4 und B5 ausgerichteter verschachtelter Wicklungen sind unterschiedliche Arten von Abschnitten ausgerichteter verschachtelter Wicklungen.

Der erste Abschnitt B1 einer ausgerichteten verschachtelten Wicklung wird von den Windungen 1 bis 3 des Drahtes 38 gebildet. Das heißt, die Windungen 1 und 2 des Drahtes 38 werden auf der untersten Schicht positioniert und werden spiralförmig auf den Wickelkernabschnitt 32 gewickelt. Anschließend wird der Draht 38 um ungefähr 0,5 Windungen zurückgeführt, und der Draht 38 wird derart gewickelt, dass die Windung 3 auf einer Seite der oberen Schicht in einen Aussparungsabschnitt eingepasst wird, der zwischen den Windungen 1 und 2 auf der Seite der unteren Schicht gebildet ist, mit Ausnahme des Rückführungssegments.

Der von den Windungen 4 bis 6 gebildete zweite Abschnitt B2 einer ausgerichteten verschachtelten Wicklung und der von den Windungen 7 bis 9 gebildete dritte Abschnitt B3 einer ausgerichteten verschachtelten Wicklung sind im Wesentlichen von derselben Art eines Abschnitts einer ausgerichteten verschachtelten Wicklung wie der erste Abschnitt B1 einer ausgerichteten verschachtelten Wicklung.

Anschließend wird, nachdem eine Windung 10 in einer Einzelschicht gewickelt wird, der vierte Abschnitt B4 einer ausgerichteten verschachtelten Wicklung von den Windungen 11 bis 15 gebildet. Die Windungen 11 bis 13 des Drahtes 38 werden auf der untersten Schicht positioniert, die Windungen 11 bis 13 werden spiralförmig auf den Wickelkernabschnitt 32 gewickelt, anschließend wird der Draht 38 um etwa 1,5 Windungen zurückgeführt, und der Draht 38 wird derart gewickelt, dass die Windungen 14 und 15 auf der Seite der oberen Schicht in Aussparungsabschnitte eingepasst werden, die jeweils zwischen den Windungen 11 bis 13 auf der Seite der unteren Schicht gebildet sind, mit Ausnahme des Rückführungssegments.

Dann ist der fünfte Abschnitt B5 einer ausgerichteten verschachtelten Wicklung, der aus den Windungen 16 bis 20 gebildet ist, im Wesentlichen von derselben Art eines Abschnitts einer ausgerichteten verschachtelten Wicklung wie der vierte Abschnitt B4 einer ausgerichteten verschachtelten Wicklung.

Das vorliegende Ausführungsbeispiel weist insofern eine Bedeutung auf, als es deutlich besagt, dass der Draht eine Mehrzahl von Arten von Abschnitten ausgerichteter verschachtelter Wicklungen umfasst. Es gibt manche Arten von Abschnitten ausgerichteter verschachtelter Wicklungen, wie beispielsweise die Abschnitte ausgerichteter verschachtelter Wicklungen mit unterschiedlichen Anzahlen von Windungen oder mit unterschiedlichen Positionen, an denen die Rückführungssegmente beginnen.

Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ist bei dem Draht 38 die Windung 10 in einer Einzelschicht zwischen dem dritten Abschnitt B3 einer ausgerichteten verschachtelten Wicklung und dem vierten Abschnitt B4 einer ausgerichteten verschachtelten Wicklung, die zueinander benachbart sind, gewickelt. Bei dieser Konfiguration kann eine Diskrepanz zwischen der Position des Drahtes 38, die durch eine Wickelmaschine erkannt wird, und einer tatsächlichen Position des Drahtes 38, die bei einem Prozess zum Wickeln des Drahtes 38 auftreten kann, durch den in einer Einzelschicht gewickelten Abschnitt kompensiert werden, und die Wickelgenauigkeit des Drahtes 38 kann verbessert werden.

Eine in 10 veranschaulichte Induktorkomponente 53 umfasst einen um einen Wickelkernabschnitt 32 gewickelten Draht 38, und der Draht 38 umfasst drei Abschnitte B1 bis B3 ausgerichteter verschachtelter Wicklungen und umfasst ferner einen Einzelschicht-Wickelabschnitt mit einer relativ großen Anzahl von Windungen zwischen dem zweiten und dem dritten Abschnitt B2 und B3 ausgerichteter verschachtelter Wicklungen.

Der erste Abschnitt B1 einer ausgerichteten verschachtelten Wicklung wird von den Windungen 1 bis 5 des Drahtes 38 gebildet. Das heißt, die Windungen 1 bis 3 des Drahtes 38 werden auf der untersten Schicht positioniert und werden spiralförmig auf den Wickelkernabschnitt 32 gewickelt. Anschließend wird der Draht 38 um ungefähr 1,5 Windungen zurückgeführt, und der Draht 38 wird derart gewickelt, dass die Windungen 4 und 5 auf einer Seite der oberen Schicht in Aussparungsabschnitte eingepasst werden, die jeweils zwischen den Windungen 1 bis 3 auf der Seite der unteren Schicht gebildet sind, mit Ausnahme des Rückführungssegments.

Der von den Windungen 6 bis 10 gebildete zweite Abschnitt B2 einer ausgerichteten verschachtelten Wicklung ist im Wesentlichen von derselben Art wie der erste Abschnitt B1 einer ausgerichteten verschachtelten Wicklung.

Anschließend werden die Windungen 11 bis 15 in einer Einzelschicht gewickelt.

Danach wird von den Windungen 16 bis 20 der dritte Abschnitt B3 einer ausgerichteten verschachtelten Wicklung gebildet. Das heißt, die Windungen 16 bis 18 werden auf der Seite der untersten Schicht platziert, und die Windungen 16 bis 18 werden spiralförmig auf den Wickelkernabschnitt 32 gewickelt, anschließend wird der Draht 38 um etwa 1,5 Windungen zurückgeführt, und der Draht 38 wird derart gewickelt, dass die Windungen 19 und 20 auf der Seite der oberen Schicht in Ausgangsabschnitte eingepasst werden, die jeweils auf der Seite der unteren Schicht zwischen den Windungen 16 bis 20 gebildet sind, mit Ausnahme des Rückführungsabschnitts.

Bei der Induktorkomponente 53 sind die Windungen 16 bis 18, in denen der Draht 38 in einer Einzelschicht gewickelt ist, zwischen den benachbarten Abschnitten B2 und B3 ausgerichteter verschachtelter Wicklungen angeordnet. Bei dieser Konfiguration kann, da die Anzahl von Windungen des in einer Einzelschicht gewickelten Drahtes größer ist als bei der vorstehenden Induktorkomponente 52, eine Diskrepanz zwischen der Position des Drahtes 38, die durch eine Wickelmaschine erkannt wird, und einer tatsächlichen Position des Drahtes 38, die bei einem Prozess eines Wickelns des Drahtes 38 auftreten kann, leichter durch den Einzelschicht-Wickelabschnitt kompensiert werden, und die Wickelgenauigkeit des Drahtes 38 kann leichter verbessert werden.

Eine in 11 veranschaulichte Induktorkomponente 54 umfasst einen um einen Wickelkernabschnitt 32 gewickelten Draht 38, und der Draht 38 umfasst zwei Abschnitte B1 und B2 ausgerichteter verschachtelter Wicklungen. Die Art der Abschnitte B1 und B2 ausgerichteter verschachtelter Wicklungen unterscheidet sich von der der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele.

Der erste Abschnitt B1 einer ausgerichteten verschachtelten Wicklung wird von den Windungen 1 bis 11 des Drahtes 38 gebildet. Genauer gesagt werden die Windungen 1 und 2 des Drahtes 38 auf die unterste Schicht gewickelt, anschließend wird der Draht 38 um etwa 0,5 Windungen zurückgeführt, und der Draht 38 wird derart gewickelt, dass die Windung 3 in einen Aussparungsabschnitt eingepasst wird, der zwischen den Windungen 1 und 2 auf der Seite der unteren Schicht gebildet ist. Danach wird auf der Basis der oben beschriebenen Windungen 1 bis 3 die Windung 4 auf die unterste Schicht gewickelt, der Draht 38 wird um etwa 0,5 Windungen zurückgeführt, und die Windung 5 wird auf der Seite der oberen Schicht so gewickelt, dass sie in einen Aussparungsabschnitt eingepasst wird, der zwischen den Windungen 2 und 4 auf der Seite der unteren Schicht gebildet ist.

Danach werden auf analoge Weise die Windungen 6 bis 11 abwechselnd auf der Seite der unteren Schicht und der Seite der oberen Schicht gewickelt.

Danach wird von den Windungen 12 bis 22 des Drahtes 38 der zweite Abschnitt B2 einer ausgerichteten verschachtelten Wicklung gebildet. Die Art des zweiten Abschnitts B2 einer ausgerichteten verschachtelten Wicklung ist im Wesentlichen dieselbe wie die des ersten Abschnitts B1 einer ausgerichteten verschachtelten Wicklung.

Bei dem Wickelmodus des Drahtes 38, der bei der in 11 veranschaulichten Induktorkomponente 54 verwendet wird, kann die Anzahl von Windungen des Drahtes 38 um den Wickelkernabschnitt 32 mit begrenzten Abmessungen erhöht werden. Dies kann zu einer Erhöhung des Induktivitätswerts beitragen.

Die vorliegende Offenbarung wurde oben in Verbindung mit den veranschaulichten Ausführungsbeispielen beschrieben. Die veranschaulichten Ausführungsbeispiele werden beispielhaft gezeigt, und es versteht sich, dass die Ausführungsbeispiele für verschiedene Modifikationen, beispielsweise der Anzahl von Windungen des Drahtes, geeignet sind. Bei den verschiedenen oben beschriebenen Ausführungsbeispielen können die Strukturen teilweise ersetzt und kombiniert werden.

Obwohl die veranschaulichten Ausführungsformen erläuternde Beispiele sind, können die Strukturen gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen teilweise ersetzt oder kombiniert werden. Obwohl einige Ausführungsbeispiele der Offenbarung oben beschrieben wurden, versteht es sich, dass Fachleuten Variationen und Modifikationen einleuchten werden, ohne von dem Schutzumfang und der Wesensart der Offenbarung abzuweichen. Deshalb soll der Schutzumfang der Offenbarung lediglich durch die folgenden Patentansprüche bestimmt werden.