Title:
Leistungswandler mit wenigstens fünf elektrischen Verbindungen auf einer Seite
Kind Code:
A1


Abstract:

Bei manchen Beispielen umfasst eine Vorrichtung einen integrierten Schaltkreis, der einen ersten Transistor und einen zweiten Transistor umfasst. Die Vorrichtung umfasst ferner ein induktives Element, das einen ersten Induktives-Element- Anschluss und einen zweiten Induktives-Element-Anschluss umfasst, wobei der erste Induktives-Element-Anschluss elektrisch mit dem ersten Transistor und dem zweiten Transistor verbunden ist. Die Vorrichtung umfasst ferner wenigstens fünf elektrische Verbindungen auf einer ersten Seite der Vorrichtung.




Inventors:
Cho, Eung San, Calif. (Torrance, US)
Application Number:
DE102017214236
Publication Date:
02/22/2018
Filing Date:
08/16/2017
Assignee:
Infineon Technologies Americas Corp. (Calif., El Segundo, US)
International Classes:



Attorney, Agent or Firm:
Patentanwälte Lambsdorff & Lange, 81673, München, DE
Claims:
1. Vorrichtung, die Folgendes umfasst:
einen integrierten Schaltkreis (IC: Integrated Circuit), der einen ersten Transistor und einen zweiten Transistor umfasst;
ein induktives Element, das einen ersten Induktives- Element-Anschluss und einen zweiten Induktives-Element- Anschluss umfasst, wobei der erste Induktives-Element- Anschluss elektrisch mit dem ersten Transistor und dem zweiten Transistor verbunden ist; und
wenigstens fünf elektrische Verbindungen auf einer ersten Seite der Vorrichtung.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die wenigstens fünf elektrischen Verbindungen Folgendes umfassen:
eine erste elektrische Verbindung zu einem ersten Steueranschluss des ersten Transistors;
eine zweite elektrische Verbindung zu einem zweiten Steueranschluss des zweiten Transistors;
eine dritte elektrische Verbindung zu einem ersten Drain-Anschluss des ersten Transistors; und
eine vierte elektrische Verbindung zu einem zweiten Source-Anschluss des zweiten Transistors.

3. Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei die wenigstens fünf elektrischen Verbindungen eine fünfte elektrische Verbindung zu dem zweiten Induktives-Element-Anschluss des induktiven Elements umfassen.

4. Vorrichtung nach Anspruch 3, wobei die wenigstens fünf elektrischen Verbindungen eine sechste elektrische Verbindung zu einem ersten Source-Anschluss des ersten Transistors, ei- nem zweiten Drain-Anschluss des zweiten Transistors und dem ersten Induktives-Element-Anschluss umfassen.

5. Vorrichtung nach Anspruch 3 oder 4, die ferner Folgendes umfasst:
eine Isolationsschicht, die an dem IC angebracht ist, wobei:
die fünfte elektrische Verbindung einen leitfähigen Pfad zwischen der ersten Seite der Vorrichtung und dem zweiten Induktives-Element-Anschluss durch die Isolationsschicht hindurch umfasst, und
der leitfähige Pfad elektrisch von dem IC isoliert ist.

6. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei:
die erste elektrische Verbindung dazu konfiguriert ist, Treibersignale zu empfangen;
die zweite elektrische Verbindung dazu konfiguriert ist, Treibersignale zu empfangen;
die dritte elektrische Verbindung dazu konfiguriert ist, ein Eingangssignal zu empfangen;
die vierte elektrische Verbindung dazu konfiguriert ist, mit einer Referenzspannung verbunden zu werden; und
die fünfte elektrische Verbindung dazu konfiguriert ist, ein Ausgangssignal zu übermitteln.

7. Vorrichtung nach Anspruch 6, wobei:
die Vorrichtung dazu konfiguriert ist, als ein Halbbrückenleistungswandler zu arbeiten;
die erste Seite der Vorrichtung dazu konfiguriert ist, an einer Leiterplatte angebracht zu werden;
das Eingangssignal ein DC-Elektrizitätssignal (DC: Direct-Current - Gleichstrom) ist;
das Ausgangssignal ein DC-Elektrizitätssignal ist; und
eine Spannungsamplitude des Eingangssignals höher als eine Spannungsamplitude des Ausgangssignals ist.

8. Vorrichtung nach Anspruch 2 oder einem der auf Anspruch 2 rückbezogenen Ansprüche 3 bis 7, wobei die wenigstens fünf elektrischen Verbindungen eine fünfte elektrische Verbindung zu einem ersten Source-Anschluss des ersten Transistors, einem zweiten Drain-Anschluss des zweiten Transistors und dem ersten Induktives-Element-Anschluss umfassen.

9. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei:
der erste Transistor einen ersten vertikalen Leistungstransistor umfasst, der Folgendes umfasst:
– einen ersten Steueranschluss auf der ersten Seite des IC;
– einen ersten Drain-Anschluss auf der ersten Seite des IC; und
– einen ersten Source-Anschluss auf der zweiten Seite des IC;
der zweite Transistor einen zweiten vertikalen Leistungstransistor umfasst, der Folgendes umfasst:
– einen zweiten Steueranschluss auf der ersten Seite des IC;
– einen zweiten Drain-Anschluss auf der zweiten Seite des IC; und
– einen zweiten Source-Anschluss auf der ersten Seite des IC; und
wobei der erste Induktives-Element-Anschluss elektrisch mit dem ersten Source-Anschluss und dem zweiten Drain-Anschluss verbunden ist.

10. Verfahren, das Folgendes umfasst:
Bilden eines integrierten Schaltkreises (IC: Integrated Circuit), der einen ersten Transistor und einen zweiten Transistor umfasst; und
elektrisches Verbinden eines ersten Induktives-Element- Anschlusses eines induktiven Elements mit dem ersten Transistor und dem zweiten Transistor, um eine Vorrichtung zu bilden,
wobei eine erste Seite der Vorrichtung wenigstens fünf elektrische Verbindungen umfasst.

11. Verfahren nach Anspruch 10, das ferner Folgendes umfasst:
elektrisches Verbinden einer ersten elektrischen Verbindung der wenigstens fünf elektrischen Verbindungen mit einem ersten Steueranschluss des ersten Transistors; elektrisches Verbinden einer zweiten elektrischen Verbindung der wenigstens fünf elektrischen Verbindungen mit einem zweiten Steueranschluss des zweiten Transistors;
elektrisches Verbinden einer dritten elektrischen Verbindung der wenigstens fünf elektrischen Verbindungen mit einem ersten Drain-Anschluss des ersten Transistors; und
elektrisches Verbinden einer vierten elektrischen Verbindung der wenigstens fünf elektrischen Verbindungen mit einem zweiten Source-Anschluss des zweiten Transistors.

12. Verfahren nach Anspruch 11, das ferner Folgendes umfasst:
elektrisches Verbinden einer fünften elektrischen Verbindung der wenigstens fünf elektrischen Verbindungen mit einem zweiten Induktives-Element-Anschluss des induktiven Elements.

13. Verfahren nach Anspruch 12, das ferner Folgendes umfasst:
elektrisches Verbinden einer sechsten elektrischen Verbindung der wenigstens fünf elektrischen Verbindungen mit einem ersten Source-Anschluss des ersten Transistors, einem zweiten Drain-Anschluss des zweiten Transistors und dem ersten Induktives-Element-Anschluss.

14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, das ferner Anbringen einer Isolationsschicht an dem IC umfasst, wobei:
elektrisches Verbinden der fünften elektrischen Verbindung Bilden eines leitfähigen Pfades in der Isolationsschicht umfasst; und
der leitfähige Pfad elektrisch von dem IC isoliert ist.

15. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 14, wobei:
die erste elektrische Verbindung dazu konfiguriert ist, Treibersignale zu empfangen;
die zweite elektrische Verbindung dazu konfiguriert ist, Treibersignale zu empfangen;
die dritte elektrische Verbindung dazu konfiguriert ist, ein Eingangssignal zu empfangen;
die vierte elektrische Verbindung dazu konfiguriert ist, mit einer Referenzspannung verbunden zu werden; und
die fünfte elektrische Verbindung dazu konfiguriert ist, ein Ausgangssignal zu übermitteln.

16. Verfahren nach Anspruch 15, wobei:
die Vorrichtung dazu konfiguriert ist, als ein Halbbrückenleistungswandler zu arbeiten;
die erste Seite der Vorrichtung dazu konfiguriert ist, an einer Leiterplatte angebracht zu werden;
das Eingangssignal ein DC-Elektrizitätssignal (DC: Direct-Current - Gleichstrom) ist;
das Ausgangssignal ein DC-Elektrizitätssignal ist; und
eine Spannungsamplitude des Eingangssignals höher als eine Spannungsamplitude des Ausgangssignals ist.

17. Verfahren nach Anspruch 11 oder einem der auf Anspruch 11 rückbezogenen Ansprüche 12 bis 16, das ferner Folgendes umfasst:
elektrisches Verbinden einer fünften elektrischen Verbindung der wenigstens fünf elektrischen Verbindungen mit einem ersten Source-Anschluss des ersten Transistors, einem zweiten Drain-Anschluss des zweiten Transistors und dem ersten Induktives-Element-Anschluss.

18. Leistungswandlervorrichtung, die Folgendes umfasst:
einen integrierten Schaltkreis (IC: Integrated Circuit), der einen ersten vertikalen Leistungstransistor und einen zweiten vertikalen Leistungstransistor umfasst, wobei:
– der erste vertikale Leistungstransistor einen ersten Steueranschluss, einen ersten Drain-Anschluss und einen ersten Source-Anschluss umfasst, und
– der zweite vertikale Leistungstransistor einen zweiten Steueranschluss, einen zweiten Drain-Anschluss und einen zweiten Source-Anschluss umfasst;
ein induktives Element, das einen ersten Induktives- Element-Anschluss und einen zweiten Induktives-Element- Anschluss umfasst, wobei der erste Induktives-Element- Anschluss elektrisch mit dem ersten Source-Anschluss und dem zweiten Drain-Anschluss verbunden ist; und
wenigstens fünf elektrische Verbindungen auf einer ersten Seite der Leistungswandlervorrichtung, wobei die wenigstens fünf elektrischen Verbindungen Folgendes umfassen:
– eine erste elektrische Verbindung zu dem ersten Steueranschluss;
– eine zweite elektrische Verbindung zu dem zweiten Steueranschluss;
– eine dritte elektrische Verbindung zu dem ersten Drain-Anschluss; und
– eine vierte elektrische Verbindung zu dem zweiten Source-Anschluss.

19. Leistungswandlervorrichtung nach Anspruch 18, wobei:
die wenigstens fünf elektrischen Verbindungen eine fünfte elektrische Verbindung zu dem zweiten Induktives-Element- Anschluss umfassen;
die erste elektrische Verbindung dazu konfiguriert ist, Treibersignale zu empfangen;
die zweite elektrische Verbindung dazu konfiguriert ist, Treibersignale zu empfangen;
die dritte elektrische Verbindung dazu konfiguriert ist, ein DC-Eingangselektrizitätssignal (DC: Direct-Current - Gleichstrom) zu empfangen;
die vierte elektrische Verbindung dazu konfiguriert ist, mit einer Referenzspannung verbunden zu werden;
die fünfte elektrische Verbindung dazu konfiguriert ist, ein DC-Ausgangselektrizitätssignal zu übermitteln; und
eine Spannungsamplitude des DC-Eingangselektrizitätssignals höher als eine Spannungsamplitude des DC-Ausgangselektrizitätssignals ist.

20. Leistungswandlervorrichtung nach Anspruch 19, die ferner eine Isolationsschicht umfasst, die an dem IC angebracht ist, wobei:
die wenigstens fünf elektrischen Verbindungen eine sechste elektrische Verbindung zu dem ersten Source-An- schluss, dem zweiten Drain-Anschluss und dem ersten Induktives-Element-Anschluss umfassen;
die fünfte elektrische Verbindung einen ersten leitfähigen Pfad zwischen der ersten Seite der Leistungswandlervorrichtung und dem zweiten Induktives-Element-Anschluss durch die Isolationsschicht hindurch umfasst;
der erste leitfähige Pfad elektrisch von dem IC isoliert ist;
die erste Seite der Vorrichtung dazu konfiguriert ist, an einer Leiterplatte angebracht zu werden; und
die sechste elektrische Verbindung einen zweiten leitfähigen Pfad zwischen der ersten Seite der Leistungswandlervorrichtung und dem ersten Induktives-Element-Anschluss durch die Isolationsschicht hindurch umfasst.

Description:
Technisches Gebiet

Diese Offenbarung betrifft Halbleiter-Packaging und insbesondere Halbleitergehäuse für Leistungselektronikelemente.

Hintergrund

Ein Halbbrückenschaltkreis kann zwei analoge Vorrichtungen oder Schalter beinhalten. Halbbrückenschaltkreise können in Leistungsversorgungen für Motoren, in Gleichrichtern und zur Leistungswandlung verwendet werden. Jedes Halbbrückenschaltkreisgehäuse weist einige Kontakte auf und kann einige leitfähige Pfade zum Verbinden der Kontakte miteinander und mit externen Komponenten beinhalten.

Oberflächenmontagetechnologie (SMT: Surface-Mount Technology) ist ein Produktionsverfahren für elektronische Elemente, das Anbringen von Komponenten und Vorrichtungen auf einer Leiterplatte (PCB: Printed Circuit Board) einschließt. Komponenten und Vorrichtungen können an die PCB gelötet werden, um Stabilität und elektrische Verbindungen durch die Leiterbahnen in der PCB bereitzustellen.

Kurzdarstellung

Diese Offenbarung beschreibt Techniken für eine Vorrichtung, die einen integrierten Schaltkreis (IC: Integrated Circuit) umfasst, der einen ersten Transistor und einen zweiten Transistor umfasst. Die Vorrichtung umfasst ferner ein induktives Element, das einen ersten Induktives-Element-Anschluss und einen zweiten Induktives-Element-Anschluss umfasst, wobei der erste Induktives-Element-Anschluss elektrisch mit dem ersten Transistor und dem zweiten Transistor verbunden ist. Die Vorrichtung umfasst ferner wenigstens fünf elektrische Verbindungen auf einer ersten Seite der Vorrichtung.

Bei manchen Beispielen umfasst ein Verfahren Bilden eines IC, der einen ersten Transistor und einen zweiten Transistor umfasst. Das Verfahren umfasst ferner elektrisches Verbinden eines ersten Induktives-Element-Anschlusses eines induktiven Elements mit dem ersten Transistor und dem zweiten Transistor, um eine Vorrichtung zu bilden. Eine erste Seite der Vorrichtung umfasst wenigstens fünf elektrische Verbindungen.

Bei manchen Beispielen umfasst eine Leistungswandlervorrichtung einen IC, der einen ersten vertikalen Leistungstransistor und einen zweiten vertikalen Leistungstransistor umfasst, wobei der erste vertikale Leistungstransistor einen ersten Steueranschluss, einen ersten Drain-Anschluss und einen ersten Source-Anschluss umfasst und wobei der zweite vertikale Leistungstransistor einen zweiten Steueranschluss, einen zweiten Drain-Anschluss und einen zweiten Source-Anschluss umfasst. Die Leistungswandlervorrichtung umfasst ferner ein induktives Element, das einen ersten Induktives-Element- Anschluss und einen zweiten Induktives-Element-Anschluss umfasst, wobei der erste Induktives-Element-Anschluss elektrisch mit dem ersten Source-Anschluss und dem zweiten Drain- Anschluss verbunden ist. Die Leistungswandlervorrichtung umfasst ferner wenigstens fünf elektrische Verbindungen auf einer ersten Seite der Leistungswandlervorrichtung, wobei die wenigstens fünf elektrischen Verbindungen eine erste elektrische Verbindung zu dem ersten Steueranschluss, eine zweite elektrische Verbindung zu dem zweiten Steueranschluss, eine dritte elektrische Verbindung zu dem ersten Drain-Anschluss und eine vierte elektrische Verbindung zu dem zweiten Source- Anschluss umfassen.

Die Einzelheiten eines oder mehrerer Beispiele sind in den beiliegenden Zeichnungen und der nachfolgenden Beschreibung dargelegt. Andere Merkmale, Objekte und Vorteile werden aus der Beschreibung und den Zeichnungen und aus den Ansprüchen ersichtlich.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

1 ist ein Schaltbild eines Leistungswandlers gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung.

2 ist ein Blockdiagramm eines integrierten Schaltkreises (IC: Integrated Circuit), der zwei Transistoren umfasst, gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung.

3 ist ein Seitenansichtsschaubild einer Vorrichtung, die wenigstens fünf elektrische Verbindungen auf einer Seite umfasst, gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung.

4 ist ein Seitenansichtsschaubild einer Vorrichtung, die einen IC, ein induktives Element und wenigstens fünf elektrische Verbindungen auf einer Seite umfasst, gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung.

5 ist ein Seitenansichtsschaubild einer Vorrichtung, die einen IC, ein induktives Element und wenigstens fünf elektrische Verbindungen auf einer Seite umfasst, gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung.

6 ist ein Seitenansichtsschaubild einer Vorrichtung, die einen IC, ein induktives Element und wenigstens fünf elektrische Verbindungen auf einer Seite umfasst, gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung.

7 ist ein Seitenansichtsschaubild einer Vorrichtung, die einen IC und ein induktives Element umfasst, gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung.

8 ist ein Flussdiagramm, das eine Beispieltechnik zum Konstruieren einer Vorrichtung, die wenigstens fünf elektrische Verbindungen auf einer Seite umfasst, gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung veranschaulicht.

Ausführliche Beschreibung

1 ist ein Schaltbild eines Leistungswandlers 2 gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung. Bei manchen Beispielen kann der Leistungswandler 2 einen Halbbrücken-DC-DC-Abwärtswandler (DC: Direct Current - Gleichstrom) zum Wandeln eines DC-Eingangssignals in ein DC-Ausgangssignal mit einer niedrigeren Spannung umfassen. Als ein DC-DC-Abwärtswandler kann der Leistungswandler 2 als ein Spannungsregler in einer Vielzahl von Anwendungen wirken. Für einen DC-DC-Abwärtswandler kann eine Spannungsamplitude eines DC-Eingangssignals höher als eine Spannungsamplitude eines DC-Ausgangssignals sein. Jedoch können die Techniken dieser Offenbarung auf andere Schaltkreise und Konfigurationen, wie etwa andere Leistungswandler einschließlich Mehrphasenleistungswandler, zutreffen.

Der Leistungswandler 2 kann eine Vorrichtung 4 beinhalten, die einen integrierten Schaltkreis (IC: Integrated Circuit) 6 beinhalten kann. Der Leistungswandler 2 kann Transistoren 10A, 10B, ein induktives Element 16, einen Kondensator 20 und eine PWM-Steuerung-und-Treiber-Anordnung 12 (PWM: Pulse-Width Modulation - Pulsbreitenmodulation) beinhalten. Bei manchen Beispielen kann der Leistungswandler 2 mehr oder weniger Komponenten als die in 1 dargestellten Komponenten enthalten. Der Leistungswandler 2 kann einen Eingangsknoten 8, einen Ausgangsknoten 18 und einen Referenzknoten 22 sowie andere in 1 nicht gezeigte Knoten beinhalten. Die Knoten 8, 18, 22 können dazu konfiguriert sein, mit externen Komponenten verbunden zu werden. Zum Beispiel kann der Eingangsknoten 8 mit einer Eingangsspannung, wie etwa einer Leistungsversorgung, verbunden werden, kann der Ausgangsknoten 18 mit einer elektronischen Vorrichtung verbunden werden, kann der Referenzknoten 22 mit einer Referenzspannung, wie etwa einer Referenzmasse, verbunden werden. Bei manchen Beispielen kann die PWM-Steuerung-und-Treiber-Anordnung 12 mit einem (in 1 nicht gezeigten) Knoten mit einem externen Schaltkreis verbunden werden.

Die Transistoren 10A, 10B können Metall-Oxid-Halbleiter(MOS)- Feldeffekttransistoren (FETs) (MOS: Metal-Oxide Semiconductor), Bipolartransistoren (BJTs: Bipolar Junction Transistors), Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs: Insulated-Gate Bipolar Transistors), Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMTs: High-Electron-Mobility Transistors), Galliumnitrid(GaN)-basierte Transistoren und/oder andere Elemente, die eine Spannung zur Steuerung verwenden, umfassen. Die Transistoren 10A, 10B können n-Typ-Transistoren oder p-Typ-Transistoren umfassen und die Transistoren 10A, 10B können vertikale Leistungstransistoren umfassen. Für einen vertikalen Leistungstransistor können sich der Source- Anschluss und der Drain-Anschluss auf gegenüberliegenden Seiten oder gegenüberliegenden Oberflächen des Transistors befinden. Ein Strom in einem vertikalen Leistungstransistor kann von oben nach unten oder von unten nach oben durch den Transistor fließen. Bei manchen Beispielen können die Transistoren 10A, 10B andere analoge Vorrichtungen, wie etwa Dioden, umfassen. Die Transistoren 10A, 10B können auch Freilaufdioden beinhalten, die mit Transistoren parallelgeschaltet sind, um einen Durchbruch der Transistoren 10A, 10B in Sperrrichtung zu verhindern. Bei manchen Beispielen können die Transistoren 10A, 10B als Schalter oder als analoge Vorrichtungen arbeiten. Bei noch anderen Beispielen können die Transistoren 10 mehr als zwei Transistoren beinhalten, wie etwa bei Mehrphasenleistungswandlern oder anderen komplexeren Leistungsschaltkreisen. Zum Beispiel kann der Leistungswandler 2 bei einem Mehrphasenleistungswandler einen High-Side- Transistor und einen Low-Side-Transistor für jede Phase aufweisen. Daher kann ein Mehrphasenleistungswandler eine oder mehrere Kopien des wie in 1 dargestellten Leistungswandlers 2 beinhalten.

1 stellt die Transistoren 10A, 10B mit drei Anschlüssen dar: Drain (D), Source (S) und Gate (G). Ein Strom kann basierend auf der Spannung an dem Gate zwischen dem Drain und der Source der Transistoren 10A, 10B fließen. Ein Strom kann basierend auf der Spannung an dem Gate des Transistors 10A von dem Eingangsknoten 8 durch den Drain und die Source des Transistors 10A zu dem Schaltknoten 14 fließen. Ein Strom kann basierend auf der Spannung an dem Gate des Transistors 10B von dem Schaltknoten 14 durch den Drain und die Source des Transistors 10B zu dem Referenzknoten 22 fließen. Der Transistor 10A kann einen High-Side-Transistor umfassen und der Transistor 10B kann einen Low-Side-Transistor umfassen, weil der Transistor 10B mit dem Referenzknoten 22 verbunden ist.

Die Transistoren 10A, 10B können verschiedene Materialverbindungen umfassen, wie etwa Silizium (Si), Siliziumcarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN) oder eine beliebige andere Kombination von einem oder mehreren Halbleitermaterialien. Um den Vorteil von höheren Leistungsdichteanforderungen bei manchen Schaltkreisen zu nutzen, können Leistungswandler bei höheren Frequenzen arbeiten. Magnetikverbesserungen und schnellere Schalter, wie etwa Galliumnitrid(GaN)-Schalter, können Wandler mit höherer Frequenz unterstützen. Diese Schaltkreise mit höherer Frequenz können erfordern, dass Steuersignale mit genauerem Timing als für Schaltkreise mit niedrigerer Frequenz gesendet werden.

Die PWM-Steuerung-und-Treiber-Anordnung 12 kann Signale und/oder Spannungen an die Steueranschlüsse der Transistoren 10A, 10B übermitteln. 1 stellt die PWM-Steuerung-und- Treiber-Anordnung 12 als eine Komponente dar, aber der PWM- Steuerschaltkreis und der Treiberschaltkreis können getrennte Komponenten sein. Bei manchen Beispielen kann sich die PWM- Steuerung-und-Treiber-Anordnung 12, nur der PWM-Steuerschaltkreis oder nur der Treiberschaltkreis außerhalb des Leistungswandlers 2 oder außerhalb des IC 6 befinden.

Das induktive Element 16 kann ein induktives Spulenelement umfassen, das sich außerhalb des IC 6 befindet. Das induktive Element 16 kann mit dem Schaltknoten 14 und dem Ausgangsknoten 18 verbunden sein. Das induktive Element 16 kann den Fluss von Wechselstrom(AC)-Elektrizität (AC: Alternating- Current) behindern, während es ermöglicht, dass DC-Elektrizität zwischen dem Schaltknoten 14 und dem Ausgangsknoten 18 fließt.

Der Kondensator 20 kann einen Folienkondensator, einen Elektrolytkondensator, einen Keramikkondensator oder eine beliebige andere Art von Kondensator oder Kondensatoren umfassen, der bzw. die sich außerhalb des IC 6 und der Vorrichtung 4 befinden. Der Kondensator 20 kann eine optionale Komponente in dem Leistungswandler 2 sein. Der Kondensator 20 kann mit dem Ausgangsknoten 18 und dem Referenzknoten 22 verbunden sein. Der Kondensator 20 kann den Fluss von DC-Elektrizität behindern, während er ermöglicht, dass AC-Elektrizität zwischen dem Ausgangsknoten 18 und dem Referenzknoten 22 fließt. Der Kondensator 20 kann als ein Glättungskondensator für die Spannung an dem Ausgangsknoten 18 wirken, um Fluktuationen der Spannung an dem Ausgangsknoten 18 abzuschwächen. Der Kondensator 20 kann eine optionale Komponente außerhalb des Leistungswandlers 2 sein.

2 ist ein Blockdiagramm eines integrierten Schaltkreises (IC: Integrated Circuit) 30, der zwei Transistoren 32, 40 umfasst, gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung. Die Transistoren 32, 40 können vertikale Transistoren umfassen, die in dem IC 30 integriert sind. Der IC 30 kann Silizium oder ein beliebiges anderes geeignetes Halbleitermaterial umfassen.

Die Transistoren 32, 40 können jeweils einen Steueranschluss, wie etwa Gate-Anschlüsse 34, 44, aufweisen. Jeder der Transistoren 32, 40 kann zwei Lastanschlüsse, wie etwa eine Source und einen Drain, umfassen. Jeder der Transistoren 32, 40 kann vertikale Leistungstransistoren, wie etwa vertikale Leistungs-FETs umfassen, wobei sich ein Strom von einer Seite des IC 30 zu einer gegenüberliegenden Seite des IC 30 bewegt. Jeder der Steueranschlüsse und der Lastanschlüsse der Transistoren 32, 40 kann ein Pad oder einen Bereich bei der Oberfläche des IC 30 zum Bilden externer elektrischer Verbindungen umfassen. Der High-Side-Transistor 32 kann auf eine dem Transistor 10A in 1 ähnliche Weise wirken und der Low- Side-Transistor 40 kann auf eine dem Transistor 10B in 1 ähnliche Weise wirken. Bei manchen Beispielen können die Transistoren 32, 40 MOSFETs, BJTs, IGBTs und/oder eine beliebige Art von Transistor sein. Falls die Transistoren 32, 40 Bipolartransistoren sind, kann jeder Steueranschluss eine Basis sein und können die Lastanschlüsse Emitter und Kollektoren sein.

Die Transistoren 32, 40 können so konfiguriert sein, dass der Source-Anschluss 38 durch den Schaltknoten 64 elektrisch mit dem Drain-Anschluss 46 verbunden ist. Der Schaltknoten 64 kann eine Metallisierungsschicht, eine Klammer, ein Band, eine Die-Grundplatte, eine Drahtbondung und/oder ein beliebiges anderes geeignetes leitfähiges Material umfassen. Der Schaltknoten 64 kann sich auf einer von den Steueranschlüssen und dem Drain-Anschluss 36 und dem Source-Anschluss 42 gegenüberliegenden Seite des IC 30 befinden. Bei manchen Beispielen können der Source-Anschluss 38 und der Drain-Anschluss 46 durch den Schaltknoten 64 elektrisch mit einem (in 2 nicht gezeigten) induktiven Element verbunden sein.

Wie in 2 dargestellt, kann der IC 30 wenigstens vier elektrische Verbindungen auf einer Seite umfassen. Der Gate- Anschluss 34 kann durch die erste elektrische Verbindung 50 verbunden werden und kann dazu konfiguriert sein, Treibersignale 66A zu empfangen, die von einem (in 2 nicht gezeigten) externen Treiberschaltkreis stammen können. Der Drain-Anschluss 36 kann durch die zweite elektrische Verbindung 52 verbunden werden und kann dazu konfiguriert sein, eine Eingangsspannung 60 zu empfangen, die ein DC-Elektrizitätssignal umfassen kann. Der Source-Anschluss 42 kann durch die dritte elektrische Verbindung 54 verbunden werden und kann dazu konfiguriert sein, eine Referenzspannung 62 zu empfangen. Der Gate-Anschluss 44 kann durch die vierte elektrische Verbindung 56 verbunden werden und kann dazu konfiguriert sein, Treibersignale 66B zu empfangen, die von einem externen Treiberschaltkreis stammen können. Bei manchen Beispielen kann der IC 30 zur Stromspiegelung mehr als eine elektrische Verbindung für die Eingangsspannung 60 und/oder die Referenzspannung 62 umfassen.

3 ist ein Seitenansichtsschaubild einer Vorrichtung 70, die wenigstens fünf elektrische Verbindungen auf einer Seite 99 umfasst, gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung. Die Vorrichtung 70 kann einen IC 72 umfassen, der elektrische Verbindungen 74, 76, 78, 80 auf der Seite 99 umfasst. Der IC 72 kann durch eine Klammer 84 auch mit einer elektrischen Verbindung 82 auf der Seite 99 verbunden sein. Der IC 72 kann durch leitfähige Pads 86, 88, 90, 92, 94 mit den elektrischen Verbindungen 74, 76, 78, 80 und der Klammer 84 verbunden sein.

Die elektrischen Verbindungen 74, 76, 78, 80, 82 können einen Leiterrahmen, eine Metallisierungsschicht, Klammern, Bänder, Die-Grundplatten, Drahtbondungen, einen vorgegossenen Leiterrahmen, ein Laminatsubstrat und/oder beliebige andere geeignete leitfähige Materialien umfassen. Die Klammer 84 kann eine Metallisierungsschicht, ein Band, eine Die-Grundplatte, eine Drahtbondung und/oder ein beliebiges anderes geeignetes leitfähiges Material umfassen. Die Klammer 84 kann teilweise zur elektrischen Isolation in einer Isolationsschicht verkapselt und teilweise zur verbesserten Wärmedissipation freigelegt sein. Die Klammer 84 kann einen Schaltknoten auf dem IC 72 elektrisch mit der elektrischen Verbindung 82 verbinden, die sich auf derselben Seite der Vorrichtung 70 wie die elektrischen Verbindungen 74, 76, 78, 80 befinden kann. Die leitfähigen Pads 86, 88, 90, 92, 94 können ein Lot, Metallisierungsschichten, ein leitfähiges Band, eine leitfähige Paste, einen leitfähigen Klebstoff und/oder ein beliebiges anderes geeignetes leitfähiges Material umfassen.

4 ist ein Seitenansichtsschaubild einer Vorrichtung 100, die einen IC 110, ein induktives Element 102 und wenigstens fünf elektrische Verbindungen 112, 114, 116, 118, 122 auf einer Seite 129 umfasst, gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung. Die Seite 129 der Vorrichtung 100 kann an einer (in 4 nicht gezeigten) Leiterplatte (PCB: Printed Circuit Board) montiert oder angebracht werden, so dass eine Isolationsschicht 108 und die elektrischen Verbindungen 112, 114, 116, 118, 122 an der PCB angebracht werden.

Das induktive Element 102 kann Anschlussleitungen 104A, 104B, die Elektrizität leiten und das induktive Element 102 stützen können, beinhalten. Die Anschlussleitungen 104A, 104B können Induktives-Element-Anschlüsse zum elektrischen Verbinden des induktiven Elements 102 mit anderen Komponenten umfassen. Die Anschlussleitungen 104A, 104B können durch jeweilige Verbinder 106A, 106B an dem leitfähigen Material 120 und der elektrischen Verbindung 122 angebracht werden. Die Verbinder 106A, 106B können ein Lot, eine elektrisch leitfähige Paste oder einen elektrisch leitfähigen Klebstoff oder ein beliebiges anderes geeignetes Material zum Befestigen der Anschlussleitungen 104A, 104B an dem leitfähigen Material 120 und der elektrischen Verbindung 122 umfassen.

Das leitfähige Material 120 kann auf eine dem Schaltknoten 14 in 1, dem Schaltknoten 64 in 2 und/oder der Klammer 84 in 3 ähnliche Weise arbeiten. Das leitfähige Material 120 kann eine Klammer, eine Metallisierungsschicht, ein Band, eine Drahtbondung und/oder ein beliebiges anderes geeignetes leitfähiges Material umfassen. Das leitfähige Material 120 kann teilweise zur elektrischen Isolation in der Isolationsschicht 108 verkapselt und teilweise zur verbesserten Wärmedissipation freigelegt sein. Die elektrische Verbindung 122 kann eine Metallisierungsschicht, einen Stift, eine Kupfersäule, ein durchplattiertes Loch (PTH: Plated-Through Hole) und/oder ein beliebiges anderes geeignetes leitfähiges Material umfassen. Ein PTH dieser Offenbarung kann einen leitfähigen Pfad mit einer Metallplattierung durch eine Isolationsschicht 108 umfassen. Die Isolationsschicht 108 kann ein Laminatsubstrat, eine Gussmasse, ein Eingebetteter-Chip- Substrat, ein Verkapselungsmaterial oder ein beliebiges anderes geeignetes Isolationsmaterial umfassen. Die Isolationsschicht 108 kann mit einem dielektrischen Material, wie etwa einer Lötmaske, einem Lötstopplackmaterial, einer Glasfaser und/oder einem Epoxidmaterial, wie etwa einer Gussmasse, bedeckt sein.

Die elektrischen Verbindungen 112, 114, 116, 118 können Steueranschlüsse für die Transistoren in dem IC 110 umfassen. Die elektrischen Verbindungen 112, 114, 116, 118 können auch einen Drain-Anschluss für einen High-Side-Transistor und einen Source-Anschluss für einen Low-Side-Transistor umfassen. Die elektrische Verbindung 122 kann einen dem Ausgangsknoten 18 in 1 ähnlichen Ausgangsknoten umfassen. Die elektrische Verbindung 122 kann elektrisch von dem IC 110 isoliert sein und kann dazu konfiguriert sein, ein Ausgangssignal für die Vorrichtung 100 zu übermitteln. Das Ausgangssignal von der elektrischen Verbindung 122 kann eine Spannungsamplitude umfassen, die geringer als eine Spannungsamplitude der durch den IC 110 empfangenen Eingangsspannung ist.

Gemäß den Techniken dieser Offenbarung kann die Vorrichtung 100 wenigstens fünf elektrische Verbindungen 112, 114, 116, 118, 122 auf der Seite 129 umfassen. Mit den fünf elektrischen Verbindungen 112, 114, 116, 118, 122 auf der Seite 129 kann die Vorrichtung 100 einfach an einer PCB angebracht werden. Die fünf elektrischen Verbindungen 112, 114, 116, 118, 122 auf der Seite 129 können den Gestaltungsprozess für das größere System, in dem sich die Vorrichtung 100 befindet, vereinfachen.

Eine Vorrichtung mit weniger als fünf elektrischen Verbindungen auf einer Seite, die an einer PCB angebracht werden kann, erfordert möglicherweise zusätzliche Komponenten und Verbindungen, um die Transistoranschlüsse elektrisch mit externen Vorrichtungen zu verbinden. Durch Lokalisieren von wenigstens fünf elektrischen Verbindungen 112, 114, 116, 118, 122 auf der Seite 129 können die elektrischen Verbindungen 112, 114, 116, 118, 122 mit Leiterbahnen in einer PCB verbunden werden. Vertikale Transistoren ermöglichen, dass sich der Schaltknoten, wie etwa das leitfähige Material 120, auf der Oberseite des IC 110 befindet, während die wenigstens fünf elektrischen Verbindungen 112, 114, 116, 118, 122 auf der Seite 129 freigelegt sind. Laterale Transistoren mit beiden Lastanschlüssen auf derselben Seite des IC 100 können die Gestaltungsvorteile der Vorrichtung 100 nicht ermöglichen.

5 ist ein Seitenansichtsschaubild einer Vorrichtung 130, die einen IC 110, ein induktives Element 102 und wenigstens fünf elektrische Verbindungen 112, 114, 116, 118, 134, 138 auf einer Seite 139 umfasst, gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung. Die Seite 139 der Vorrichtung 130 kann an einer (in 5 nicht gezeigten) PCB montiert oder angebracht werden, so dass eine Isolationsschicht 132 und die elektrischen Verbindungen 112, 114, 116, 118, 134, 138 an der PCB angebracht werden. Bei manchen Beispielen kann das induktive Element 102 eine größere Grundfläche als der IC 110 aufweisen, so dass sich der IC 110 zwischen den Anschlussleitungen 104A, 104B befinden kann und die Verbinder 106A, 106B direkt an der PCB angebracht werden können.

Das leitfähige Material 136 und die elektrische Verbindung 134 können auf eine dem Schaltknoten 14 in 1, dem Schaltknoten 64 in 2, der Klammer 84 in 3 und/oder dem leitfähigen Material 120 in 4 ähnliche Weise arbeiten. Die elektrische Verbindung 134 kann eine elektrische Verbindung zu dem Source-Anschluss des High-Side- Transistors in dem IC 110, dem Drain-Anschluss des Low-Side- Transistors in dem IC 110 und der Anschlussleitung 104A umfassen. Die elektrische Verbindung 134 kann elektrisch von dem IC 110 isoliert sein. Das leitfähige Material 136 kann eine Klammer, eine Metallisierungsschicht, ein Band, eine Drahtbondung und/oder ein beliebiges anderes geeignetes leitfähiges Material umfassen. Das leitfähige Material 136 kann durch eine Metallisierungsschicht, einen Stift, eine Kupfersäule, ein PTH und/oder ein beliebiges anderes geeignetes leitfähiges Material elektrisch mit der elektrischen Verbindung 134 auf der Seite 139 verbunden sein. Die elektrische Verbindung 138 kann auf eine der elektrischen Verbindung 122 in 4 ähnliche Weise arbeiten. Die Isolationsschicht 132 kann ein Laminatsubstrat, eine Gussmasse, ein Eingebetteter- Chip-Substrat, ein Verkapselungsmaterial oder ein beliebiges anderes geeignetes Isolationsmaterial umfassen. Die elektrische Verbindung 138 kann als ein dem Ausgangsknoten 18 in 1 ähnlicher Ausgangsknoten arbeiten und die elektrische Verbindung 138 kann eine Metallisierungsschicht, einen Stift, eine Kupfersäule, ein PTH und/oder ein beliebiges anderes geeignetes leitfähiges Material umfassen.

6 ist ein Seitenansichtsschaubild einer Vorrichtung 140, die einen IC 110, ein induktives Element 102 und wenigstens fünf elektrische Verbindungen 112, 114, 116, 118, 144 auf einer Seite 149 umfasst, gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung. Die Seite 149 der Vorrichtung 140 kann an einer (in 6 nicht gezeigten) PCB montiert oder angebracht werden, so dass eine Isolationsschicht 142 und die elektrischen Verbindungen 112, 114, 116, 118, 144 an der PCB angebracht werden.

Das leitfähige Material 146 und die elektrische Verbindung 144 können auf eine dem Schaltknoten 14 in 1, dem Schaltknoten 64 in 2, der Klammer 84 in 3, dem leitfähigen Material 120 in 4 und/oder dem leitfähigen Material 136 in 5 ähnliche Weise arbeiten. Die elektrische Verbindung 144 kann eine elektrische Verbindung zu dem Source-Anschluss des High-Side-Transistors in dem IC 110, dem Drain-Anschluss des Low-Side-Transistors in dem IC 110 und der Anschlussleitung 104A umfassen. Das leitfähige Material 146 kann eine Klammer, eine Metallisierungsschicht, ein Band, eine Drahtbondung und/oder ein beliebiges anderes geeignetes leitfähiges Material umfassen. Das leitfähige Material 146 kann durch eine Metallisierungsschicht, einen Stift, eine Kupfersäule, ein PTH und/oder ein beliebiges anderes geeignetes leitfähiges Material elektrisch mit der elektrischen Verbindung 144 verbunden sein. Die elektrische Verbindung 148 kann sich in die Ebene aus 6 hinein oder aus dieser heraus erstrecken, um mit einer internen oder externen Komponente verbunden zu werden. Die elektrische Verbindung 148 kann elektrisch von dem IC 110 isoliert sein. Die Isolationsschicht 142 kann ein Laminatsubstrat, eine Gussmasse, ein Eingebetteter-Chip-Substrat, ein Verkapselungsmaterial oder ein beliebiges anderes geeignetes Isolationsmaterial umfassen.

7 ist ein Seitenansichtsschaubild einer Vorrichtung 150, die einen IC 110 und ein induktives Element 102 umfasst, gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung. Obwohl dies in 7 nicht dargestellt ist, kann die Vorrichtung 150 wenigstens fünf elektrische Verbindungen auf der Seite 159 umfassen, falls die elektrischen Verbindungen 154, 156, 158, 160 elektrisch in die Ebene der 7 hinein oder aus dieser heraus mit der Seite 159 verbunden sind. Die Seite 159 der Vorrichtung 150 kann an einer (in 7 nicht gezeigten) PCB montiert oder angebracht werden, so dass eine Isolationsschicht 152 und die elektrischen Verbindungen 164, 166 an der PCB angebracht werden. Eine oder mehrere elektrische Verbindungen 154, 156, 158, 160 können durch eine Verbindung zu der Seite 159 in die Ebene in 7 hinein oder aus dieser heraus an der PCB angebracht werden.

Das leitfähige Material 162 und die elektrische Verbindung 166 können auf eine dem Schaltknoten 14 in 1, dem Schaltknoten 64 in 2, der Klammer 84 in 3, dem leitfähigen Material 120 in 4, dem leitfähigen Material 136 in 5 und/oder dem leitfähigen Material 146 in 6 ähnliche Weise arbeiten. Die elektrische Verbindung 166 kann eine elektrische Verbindung zu dem Source-Anschluss des High-Side-Transistors in dem IC 110, dem Drain-Anschluss des Low-Side-Transistors in dem IC 110 und der Anschlussleitung 104A umfassen. Die elektrische Verbindung 166 kann eine Klammer, eine Metallisierungsschicht, ein Band, eine Drahtbondung und/oder ein beliebiges anderes geeignetes leitfähiges Material umfassen. Das leitfähige Material 162 kann elektrisch mit der elektrischen Verbindung 166 verbunden sein. Sowohl das leitfähige Material 162 als auch die elektrische Verbindung 164 können eine Metallisierungsschicht, einen Stift, eine Kupfersäule, ein PTH und/oder ein beliebiges anderes geeignetes leitfähiges Material umfassen. Die elektrische Verbindung 164 kann elektrisch von dem IC 110 isoliert sein. Die Isolationsschicht 152 kann ein Laminatsubstrat, eine Gussmasse, ein Eingebetteter-Chip-Substrat, ein Verkapselungsmaterial oder ein beliebiges anderes geeignetes Isolationsmaterial umfassen.

8 ist ein Flussdiagramm, das eine Beispieltechnik 170 zum Konstruieren einer Vorrichtung, die wenigstens fünf elektrische Verbindungen auf einer Seite umfasst, gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung veranschaulicht. Die Technik 170 ist unter Bezugnahme auf die Vorrichtung 100 in 4 beschrieben, obgleich andere Komponenten, wie etwa die Vorrichtungen 130, 140, 150 in 57, als Beispiel für ähnliche Techniken dienen können.

Die Techniken aus 8 beinhalten Bilden eines IC 110, der einen ersten Transistor und einen zweiten Transistor umfasst (172). Der erste Transistor kann einen High-Side-Transistor umfassen und der zweite Transistor kann einen Low-Side- Transistor umfassen. Die zwei Transistoren können vertikale Leistungs-FETs oder beliebige andere geeignete Transistoren umfassen, die dazu konfiguriert sind, als ein Halbbrückenschaltkreis zu arbeiten.

Die Technik aus 8 beinhaltet ferner elektrisches Verbinden eines ersten Induktives-Element-Anschlusses 104A eines induktiven Elements 102 mit dem ersten Transistor und dem zweiten Transistor, um eine Vorrichtung zu bilden (174). Der erste Induktives-Element-Anschluss, d. h. die Anschlussleitung 104A, kann elektrisch mit dem Source-Anschluss des ersten Transistors und dem Drain-Anschluss des zweiten Transistors verbunden werden. Die Verbindung zwischen dem ersten Induktives-Element-Anschluss, dem ersten Transistor und dem zweiten Transistor kann ein leitfähiges Material 120 umfassen, das als ein Schaltknoten arbeiten kann.

Als Teil der Techniken aus 8 umfasst die Seite 129 der Vorrichtung 100 wenigstens fünf elektrische Verbindungen 112, 114, 116, 118, 122 (176). Die elektrischen Verbindungen 112, 114, 116, 118 können Anschlüsse für die Transistoren in dem IC 110 umfassen. Die elektrische Verbindung 122 kann einen Ausgangsknoten umfassen. Falls die Vorrichtung 100 an einer PCB angebracht wird, können die elektrischen Verbindungen 112, 114, 116, 118, 122 elektrisch mit Leiterbahnen in der PCB verbunden werden.

Die folgenden nummerierten Beispiele demonstrieren einen oder mehrere Aspekte der Offenbarung.

Beispiel 1. Eine Vorrichtung umfasst einen IC, der einen ersten Transistor und einen zweiten Transistor umfasst. Die Vorrichtung umfasst ferner ein induktives Element, das einen ersten Induktives-Element-Anschluss und einen zweiten Induktives-Element-Anschluss umfasst, wobei der erste Induktives- Element-Anschluss elektrisch mit dem ersten Transistor und dem zweiten Transistor verbunden ist. Die Vorrichtung umfasst ferner wenigstens fünf elektrische Verbindungen auf einer ersten Seite der Vorrichtung.

Beispiel 2. Die Vorrichtung nach Beispiel 1, wobei die wenigstens fünf elektrischen Verbindungen eine erste elektrische Verbindung zu einem ersten Steueranschluss des ersten Transistors, eine zweite elektrische Verbindung zu einem zweiten Steueranschluss des zweiten Transistors, eine dritte elektrische Verbindung zu einem ersten Drain-Anschluss des ersten Transistors und eine vierte elektrische Verbindung zu einem zweiten Source-Anschluss des zweiten Transistors umfassen.

Beispiel 3. Die Vorrichtung nach Beispiel 1 oder 2 oder Kombinationen von diesen, wobei die wenigstens fünf elektrischen Verbindungen eine fünfte elektrische Verbindung zu dem zweiten Induktives-Element-Anschluss des induktiven Elements umfassen.

Beispiel 4. Die Vorrichtung nach einem der Beispiele 1 bis 3 oder Kombinationen von diesen, wobei die wenigstens fünf elektrischen Verbindungen eine sechste elektrische Verbindung zu einem ersten Source-Anschluss des ersten Transistors, einem zweiten Drain-Anschluss des zweiten Transistors und dem ersten Induktives-Element-Anschluss umfassen.

Beispiel 5. Die Vorrichtung nach einem der Beispiele 1 bis 4 oder Kombinationen von diesen, die ferner eine Isolationsschicht umfasst, die an dem IC angebracht ist, wobei die fünfte elektrische Verbindung einen leitfähigen Pfad zwischen der ersten Seite der Vorrichtung und dem zweiten Induktives- Element-Anschluss durch die Isolationsschicht hindurch um- fasst und wobei der leitfähige Pfad elektrisch von dem IC isoliert ist.

Beispiel 6. Die Vorrichtung nach einem der Beispiele 1 bis 5 oder Kombinationen von diesen, wobei die erste elektrische Verbindung dazu konfiguriert ist, Treibersignale zu empfangen, die zweite elektrische Verbindung dazu konfiguriert ist, Treibersignale zu empfangen, die dritte elektrische Verbindung dazu konfiguriert ist, ein Eingangssignal zu empfangen, die vierte elektrische Verbindung dazu konfiguriert ist, mit einer Referenzspannung verbunden zu werden, und die fünfte elektrische Verbindung dazu konfiguriert ist, ein Ausgangssignal zu übermitteln.

Beispiel 7. Die Vorrichtung nach einem der Beispiele 1 bis 6 oder Kombinationen von diesen, wobei die Vorrichtung dazu konfiguriert ist, als ein Halbbrückenleistungswandler zu arbeiten; die erste Seite der Vorrichtung dazu konfiguriert ist, an einer Leiterplatte angebracht zu werden; das Eingangssignal ein DC-Elektrizitätssignal (DC: Direct-Current – Gleichstrom) ist; das Ausgangssignal ein DC-Elektrizitätssignal ist; und eine Spannungsamplitude des Eingangssignals höher als eine Spannungsamplitude des Ausgangssignals ist.

Beispiel 8. Die Vorrichtung nach einem der Beispiele 1 bis 7 oder Kombinationen von diesen, wobei die wenigstens fünf elektrischen Verbindungen eine fünfte elektrische Verbindung zu einem ersten Source-Anschluss des ersten Transistors, einem zweiten Drain-Anschluss des zweiten Transistors und dem ersten Induktives-Element-Anschluss umfassen.

Beispiel 9. Die Vorrichtung nach einem der Beispiele 1 bis 8 oder Kombinationen von diesen, wobei der erste Transistor einen ersten vertikalen Leistungstransistor, der einen ersten Steueranschluss auf der ersten Seite des IC umfasst; einen ersten Drain-Anschluss auf der ersten Seite des IC; und einen ersten Source-Anschluss auf der zweiten Seite des IC umfasst; wobei der zweite Transistor einen zweiten vertikalen Leistungstransistor, der einen zweiten Steueranschluss auf der ersten Seite des IC umfasst; einen zweiten Drain-Anschluss auf der zweiten Seite des IC; und einen zweiten Source- Anschluss auf der ersten Seite des IC umfasst; und wobei der erste Induktives-Element-Anschluss elektrisch mit dem ersten Source-Anschluss und dem zweiten Drain-Anschluss verbunden ist.

Beispiel 10. Ein Verfahren umfasst Bilden eines IC, der einen ersten Transistor und einen zweiten Transistor umfasst. Das Verfahren umfasst ferner elektrisches Verbinden eines ersten Induktives-Element-Anschlusses eines induktiven Elements mit dem ersten Transistor und dem zweiten Transistor, um eine Vorrichtung zu bilden. Eine erste Seite der Vorrichtung umfasst wenigstens fünf elektrische Verbindungen.

Beispiel 11. Das Verfahren nach Beispiel 10, das ferner elektrisches Verbinden einer ersten elektrischen Verbindung der wenigstens fünf elektrischen Verbindungen mit einem ersten Steueranschluss des ersten Transistors umfasst. Das Verfahren umfasst ferner elektrisches Verbinden einer zweiten elektrischen Verbindung der wenigstens fünf elektrischen Verbindungen mit einem zweiten Steueranschluss des zweiten Transistors. Das Verfahren umfasst ferner elektrisches Verbinden einer dritten elektrischen Verbindung der wenigstens fünf elektrischen Verbindungen mit einem ersten Drain-Anschluss des ersten Transistors. Das Verfahren umfasst ferner elektrisches Verbinden einer vierten elektrischen Verbindung der wenigstens fünf elektrischen Verbindungen mit einem zweiten Source-Anschluss des zweiten Transistors.

Beispiel 12. Das Verfahren nach Beispiel 10 oder 11 oder Kombinationen von diesen, das ferner elektrisches Verbinden einer fünften elektrischen Verbindung der wenigstens fünf elektrischen Verbindungen mit einem zweiten Induktives- Element-Anschluss des induktiven Elements umfasst.

Beispiel 13. Das Verfahren nach einem der Beispiele 10 bis 12 oder Kombinationen von diesen, das ferner elektrisches Verbinden einer sechsten elektrischen Verbindung der wenigstens fünf elektrischen Verbindungen mit einem ersten Source- Anschluss des ersten Transistors, einem zweiten Drain- Anschluss des zweiten Transistors und dem ersten Induktives- Element-Anschluss umfasst.

Beispiel 14. Das Verfahren nach einem der Beispiele 10 bis 13 oder Kombinationen von diesen, das ferner Anbringen einer Isolationsschicht an dem IC umfasst, wobei elektrisches Verbinden der fünften elektrischen Verbindung Bilden eines leitfähigen Pfades in der Isolationsschicht umfasst; und wobei der leitfähige Pfad elektrisch von dem IC isoliert ist.

Beispiel 15. Das Verfahren nach einem der Beispiele 10 bis 14 oder Kombinationen von diesen, wobei: die erste elektrische Verbindung dazu konfiguriert ist, Treibersignale zu empfangen; die zweite elektrische Verbindung dazu konfiguriert ist, Treibersignale zu empfangen; die dritte elektrische Verbindung dazu konfiguriert ist, ein Eingangssignal zu empfangen; die vierte elektrische Verbindung dazu konfiguriert ist, mit einer Referenzspannung verbunden zu werden; und die fünfte elektrische Verbindung dazu konfiguriert ist, ein Ausgangssignal zu übermitteln.

Beispiel 16. Das Verfahren nach einem der Beispiele 10 bis 15 oder Kombinationen von diesen, wobei: die Vorrichtung dazu konfiguriert ist, als ein Halbbrückenleistungswandler zu arbeiten; die erste Seite der Vorrichtung dazu konfiguriert ist, an einer Leiterplatte angebracht zu werden; das Eingangssignal ein DC-Elektrizitätssignal (DC: Direct-Current – Gleichstrom) ist; das Ausgangssignal ein DC-Elektrizitätssignal ist; und eine Spannungsamplitude des Eingangssignals höher als eine Spannungsamplitude des Ausgangssignals ist.

Beispiel 17. Das Verfahren nach einem der Beispiele 10 bis 16 oder Kombinationen von diesen, das ferner elektrisches Verbinden einer fünften elektrischen Verbindung der wenigstens fünf elektrischen Verbindungen mit einem ersten Source-Anschluss des ersten Transistors, einem zweiten Drain-Anschluss des zweiten Transistors und dem ersten Induktives-Element- Anschluss umfasst.

Beispiel 18. Eine Leistungswandlervorrichtung, die einen IC umfasst, der einen ersten vertikalen Leistungstransistor und einen zweiten vertikalen Leistungstransistor umfasst, wobei der erste vertikale Leistungstransistor einen ersten Steueranschluss, einen ersten Drain-Anschluss und einen ersten Source-Anschluss umfasst und wobei der zweite vertikale Leistungstransistor einen zweiten Steueranschluss, einen zweiten Drain-Anschluss und einen zweiten Source-Anschluss umfasst. Die Leistungswandlervorrichtung umfasst ferner ein induktives Element, das einen ersten Induktives-Element-Anschluss und einen zweiten Induktives-Element-Anschluss umfasst, wobei der erste Induktives-Element-Anschluss elektrisch mit dem ersten Source-Anschluss und dem zweiten Drain-Anschluss verbunden ist. Die Leistungswandlervorrichtung umfasst ferner wenigstens fünf elektrische Verbindungen auf einer ersten Seite der Leistungswandlervorrichtung, wobei die wenigstens fünf elektrischen Verbindungen eine erste elektrische Verbindung zu dem ersten Steueranschluss, eine zweite elektrische Verbindung zu dem zweiten Steueranschluss, eine dritte elektrische Verbindung zu dem ersten Drain-Anschluss und eine vierte elektrische Verbindung zu dem zweiten Source-Anschluss umfassen.

Beispiel 19. Die Leistungswandlervorrichtung nach Beispiel 18, wobei die wenigstens fünf elektrischen Verbindungen eine fünfte elektrische Verbindung zu dem zweiten Induktives- Element-Anschluss umfassen; die erste elektrische Verbindung dazu konfiguriert ist, Treibersignale zu empfangen. Die zweite elektrische Verbindung ist dazu konfiguriert, Treibersignale zu empfangen, und die dritte elektrische Verbindung ist dazu konfiguriert, ein DC-Eingangselektrizitätssignal (DC: Direct-Current - Gleichstrom) zu empfangen. Die vierte elektrische Verbindung ist dazu konfiguriert, mit einer Referenzspannung verbunden zu werden, und die fünfte elektrische Verbindung ist dazu konfiguriert, ein DC-Ausgangselektrizitätssignal zu übermitteln. Eine Spannungsamplitude des DC-Eingangselektrizitätssignals ist höher als eine Spannungsamplitude des DC-Ausgangselektrizitätssignals.

Beispiel 20. Die Leistungswandlervorrichtung nach Beispiel 18 oder 19 oder Kombinationen von diesen, die ferner eine Isolationsschicht umfasst, die an dem IC angebracht ist, wobei die wenigstens fünf elektrischen Verbindungen eine sechste elektrische Verbindung zu dem ersten Source-Anschluss, dem zweiten Drain-Anschluss und dem ersten Induktives-Element-Anschluss umfassen. Die fünfte elektrische Verbindung umfasst einen ersten leitfähigen Pfad zwischen der ersten Seite der Leistungswandlervorrichtung und dem zweiten Induktives- Element-Anschluss durch die Isolationsschicht hindurch; wobei der erste leitfähige Pfad elektrisch von dem IC isoliert ist. Die erste Seite der Vorrichtung ist dazu konfiguriert, an einer Leiterplatte angebracht zu werden; und die sechste elektrische Verbindung umfasst einen zweiten leitfähigen Pfad zwischen der ersten Seite der Leistungswandlervorrichtung und dem ersten Induktives-Element-Anschluss durch die Isolationsschicht hindurch.

Es wurden verschiedene Beispiele der Offenbarung beschrieben. Eine beliebige Kombination der beschriebenen Systeme, Vorgänge oder Funktionen ist beabsichtigt. Diese und andere Beispiele befinden sich innerhalb des Schutzumfangs der folgenden Ansprüche.